ସେମିସେରା 3C-SiC ୱାଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏକ ଦୃ ust ପ୍ଲାଟଫର୍ମ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ | ଉନ୍ନତ ତାପଜ ଗୁଣ ଏବଂ ବ electrical ଦୁତିକ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ, ଏହି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ଆଧୁନିକ ଜ୍ଞାନକ technology ଶଳର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବାକୁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି |
ସେମିସେରା ୱାଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ସର 3C-SiC (କ୍ୟୁବିକ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍) ସଂରଚନା ଅନ୍ୟ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା ଏବଂ କମ୍ ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ ସହିତ ଅନନ୍ୟ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରେ | ଅତ୍ୟଧିକ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପରିସ୍ଥିତିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହା ସେମାନଙ୍କୁ ଏକ ଉତ୍ତମ ପସନ୍ଦ କରିଥାଏ |
ଏକ ଉଚ୍ଚ ବ electrical ଦୁତିକ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଉନ୍ନତ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ସହିତ, ସେମିସେରା 3C-SiC ୱାଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଦୀର୍ଘସ୍ଥାୟୀ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ | ଏହି ଗୁଣଗୁଡିକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଯେପରିକି ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରାଡାର, କଠିନ-ସ୍ଥିତ ଆଲୋକ, ଏବଂ ପାୱାର ଇନଭର୍ଟର, ଯେଉଁଠାରେ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ସର୍ବାଧିକ |
ଗୁଣବତ୍ତା ପାଇଁ ସେମିସେରାର ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା ସେମାନଙ୍କର 3C-SiC ୱାଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟଗୁଡିକର ଯତ୍ନଶୀଳ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପ୍ରତିଫଳିତ ହୋଇଛି, ପ୍ରତ୍ୟେକ ବ୍ୟାଚ୍ ମଧ୍ୟରେ ସମାନତା ଏବଂ ସ୍ଥିରତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ଏହି ସଠିକତା ସେମାନଙ୍କ ଉପରେ ନିର୍ମିତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ସାମଗ୍ରିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଦୀର୍ଘାୟୁରେ ସହାୟକ ହୋଇଥାଏ |
ସେମିସେରା 3C-SiC ୱାଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଚୟନ କରି, ନିର୍ମାତାମାନେ ଏକ ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ପଦାର୍ଥକୁ ପ୍ରବେଶ କରନ୍ତି ଯାହା ଛୋଟ, ତୀବ୍ର ଏବଂ ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ | ସେମିସେରା ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରି ବ techn ଷୟିକ ଉଦ୍ଭାବନକୁ ସମର୍ଥନ କରିଚାଲିଛି ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ବିକାଶଶୀଳ ଚାହିଦା ପୂରଣ କରେ |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
