ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥରେ ଏକ ବଡ଼ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ପ୍ରସ୍ଥ (~ Si 3 ଥର), ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା (~ Si 3.3 ଥର କିମ୍ବା GaAs 10 ଥର), ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଚୁରେସନ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ହାର (~ Si 2.5 ଥର), ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଅଛି | କ୍ଷେତ୍ର (~ Si 10 ଥର କିମ୍ବା GaAs 5 ଥର) ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ |
ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକରେ ମୁଖ୍ୟତ Si SiC, GaN, ହୀରା ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, କାରଣ ଏହାର ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ମୋଟେଇ (ଯଥା) 2.3 ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଭୋଲ୍ଟ (ଇଭି) ଠାରୁ ଅଧିକ କିମ୍ବା ସମାନ, ଏହାକୁ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | ପ୍ରଥମ ଏବଂ ଦ୍ generation ିତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ, ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକରେ ଉଚ୍ଚ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, ହାଇ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ, ଉଚ୍ଚ ସାଚୁରେଟେଡ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ହାର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତିର ସୁବିଧା ରହିଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ପାଇଁ ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ନୂତନ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ | ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଚାପ, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ବିକିରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କଠିନ ପରିସ୍ଥିତି | ଜାତୀୟ ପ୍ରତିରକ୍ଷା, ବିମାନ ଚଳାଚଳ, ଏରୋସ୍ପେସ୍, ତ oil ଳ ଅନୁସନ୍ଧାନ, ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଇତ୍ୟାଦି କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରୟୋଗ ଆଶା ରହିଛି ଏବଂ ବ୍ରଡବ୍ୟାଣ୍ଡ ଯୋଗାଯୋଗ, ସ ar ର ଶକ୍ତି, ଅଟୋମୋବାଇଲ ଉତ୍ପାଦନ ଭଳି ଅନେକ କ strategic ଶଳ ଶିଳ୍ପରେ ଶକ୍ତି କ୍ଷୟକୁ 50% ରୁ ଅଧିକ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଆଲୋକୀକରଣ, ଏବଂ ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍, ଏବଂ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପରିମାଣକୁ 75% ରୁ ଅଧିକ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ, ଯାହା ମାନବ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିକାଶ ପାଇଁ ମାଇଲଖୁଣ୍ଟ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ସେମିସେରା ଶକ୍ତି ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ (କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍), ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ (ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ), HPSI (ହାଇ ପ୍ୟୁରିଟି ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ) ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଯୋଗାଇପାରେ | ଏହା ସହିତ, ଆମେ ଗ୍ରାହକଙ୍କୁ ସମଲିଙ୍ଗୀ ଏବଂ ହେଟେରୋଜିନସ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଟ୍ ଯୋଗାଇ ପାରିବା; ଗ୍ରାହକଙ୍କ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ଆମେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଟ୍ ମଧ୍ୟ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରିପାରିବା, ଏବଂ କ minimum ଣସି ସର୍ବନିମ୍ନ ଅର୍ଡର ପରିମାଣ ନାହିଁ |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
