ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥରେ ଏକ ବଡ଼ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ପ୍ରସ୍ଥ (~ Si 3 ଥର), ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା (~ Si 3.3 ଥର କିମ୍ବା GaAs 10 ଥର), ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଚୁରେସନ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ହାର (~ Si 2.5 ଥର), ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଅଛି | କ୍ଷେତ୍ର (~ Si 10 ଥର କିମ୍ବା GaAs 5 ଥର) ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ |
ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକରେ ମୁଖ୍ୟତ Si SiC, GaN, ହୀରା ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, କାରଣ ଏହାର ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ମୋଟେଇ (ଯଥା) 2.3 ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଭୋଲ୍ଟ (ଇଭି) ଠାରୁ ଅଧିକ କିମ୍ବା ସମାନ, ଏହାକୁ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | ପ୍ରଥମ ଏବଂ ଦ୍ generation ିତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ, ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକରେ ଉଚ୍ଚ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, ହାଇ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ, ଉଚ୍ଚ ସାଚୁରେଟେଡ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ହାର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତିର ସୁବିଧା ରହିଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ପାଇଁ ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ନୂତନ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ | ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଚାପ, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ବିକିରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କଠିନ ପରିସ୍ଥିତି | ଜାତୀୟ ପ୍ରତିରକ୍ଷା, ବିମାନ ଚଳାଚଳ, ଏରୋସ୍ପେସ୍, ତ oil ଳ ଅନୁସନ୍ଧାନ, ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଇତ୍ୟାଦି କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରୟୋଗ ଆଶା ରହିଛି ଏବଂ ବ୍ରଡବ୍ୟାଣ୍ଡ ଯୋଗାଯୋଗ, ସ ar ର ଶକ୍ତି, ଅଟୋମୋବାଇଲ ଉତ୍ପାଦନ ଭଳି ଅନେକ କ strategic ଶଳ ଶିଳ୍ପରେ ଶକ୍ତି କ୍ଷୟକୁ 50% ରୁ ଅଧିକ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଆଲୋକୀକରଣ, ଏବଂ ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍, ଏବଂ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପରିମାଣକୁ 75% ରୁ ଅଧିକ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ, ଯାହା ମାନବ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିକାଶ ପାଇଁ ମାଇଲଖୁଣ୍ଟ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ସେମିସେରା ଶକ୍ତି ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ (କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍), ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ (ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ), HPSI (ହାଇ ପ୍ୟୁରିଟି ସେମି-ଇନସୁଲେଟିଂ) ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଯୋଗାଇପାରେ | ଏହା ସହିତ, ଆମେ ଗ୍ରାହକଙ୍କୁ ସମଲିଙ୍ଗୀ ଏବଂ ହେଟେରୋଜିନସ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଟ୍ ଯୋଗାଇ ପାରିବା; ଗ୍ରାହକଙ୍କ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ଆମେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଟ୍ ମଧ୍ୟ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରିପାରିବା, ଏବଂ କ minimum ଣସି ସର୍ବନିମ୍ନ ଅର୍ଡର ପରିମାଣ ନାହିଁ |
ମ PR ଳିକ ଉତ୍ପାଦ ବିଶେଷତା |
| ଆକାର | | 6-ଇଞ୍ଚ | |
| ବ୍ୟାସ | 150.0mm + 0mm / -0.2mm |
| ସର୍ଫେସ୍ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | ଅଫ୍ ଅକ୍ଷ: 411 <1120> ± 0.5 ° ଆଡକୁ | |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5mm1.5 mm |
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | <1120> ± 1.0 ° | |
| ସେକେଣ୍ଡାରୀ ଫ୍ଲାଟ | କିଛି ନୁହେଁ | |
| ମୋଟା | | 350.0um ± 25.0um |
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H |
| କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ପ୍ରକାର | | n- ପ୍ରକାର | |
କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗୁଣବତ୍ତା ବିଶେଷତା |
| 6-ଇଞ୍ଚ | | ||
| ଆଇଟମ୍ | | P-MOS ଗ୍ରେଡ୍ | | P-SBD ଗ୍ରେଡ୍ | |
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015Ω · cm-0.025Ω · cm | |
| ପଲିଟାଇପ୍ | | କେହି ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ନୁହଁନ୍ତି | | |
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | ≤0.2 / cm2 | ≤0.5 / cm2 |
| EPD | 0004000 / cm2 | ≤8000 / cm2 |
| TED | ≤3000 / cm2 | ≤6000 / cm2 |
| BPD | 0001000 / cm2 | ≤2000 / cm2 |
| TSD | ≤300 / cm2 | 0001000 / cm2 |
| SF (UV-PL-355nm ଦ୍ୱାରା ମାପ କରାଯାଏ) | ≤0.5% କ୍ଷେତ୍ର | | ≤1% କ୍ଷେତ୍ର | |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କେହି ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ନୁହଁନ୍ତି | | |
| ଉଚ୍ଚ ତୀବ୍ରତା ଆଲୋକ ଦ୍ୱାରା ଭିଜୁଆଲ୍ କାର୍ବନ୍ ଇନକ୍ଲୁସନ୍ | | Cumulativearea≤0.05% | | |
ପ୍ରତିରୋଧକତା |
ପଲିଟାଇପ୍ |
BPD & TSD
