ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ ପାଇଁ ଏକ ଦୃ solid ଆଧାର ପ୍ରଦାନ କରି ସେମିକେରାର 8 ଇଞ୍ଚ N- ପ୍ରକାର ସିସି ୱାଫର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ନବସୃଜନର ଅଗ୍ରଭାଗରେ ଅଛି | ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସର୍କିଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକର କଠୋର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବାକୁ ଏହି ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି |
ଏହି ସିସି ୱାଫର୍ ଗୁଡିକରେ ଥିବା N- ପ୍ରକାରର ଡୋପିଂ ସେମାନଙ୍କର ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ବ ances ାଇଥାଏ, ପାୱାର୍ ଡାୟୋଡ୍, ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଏବଂ ଏମ୍ପ୍ଲାଇଫାୟର୍ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ସେମାନଙ୍କୁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ | ଉନ୍ନତ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସର୍ବନିମ୍ନ ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଶକ୍ତି ସ୍ତରରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ସେମିକେରା ଉନ୍ନତ ଉତ୍ପାଦନ କ techni ଶଳଗୁଡିକୁ ବ୍ୟତିକ୍ରମିକ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସମାନତା ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ତ୍ରୁଟି ସହିତ SiC ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ନିୟୋଜିତ କରେ | ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହି ସ୍ତରର ସଠିକତା ଜରୁରୀ ଅଟେ ଯାହା କ୍ରମାଗତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଆବଶ୍ୟକ କରେ ଯେପରିକି ଏରୋସ୍ପେସ୍, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଏବଂ ଟେଲିକମ୍ ଶିଳ୍ପରେ |
ଆପଣଙ୍କ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନରେ ସେମିସେରାର 8 ଇଞ୍ଚ N- ପ୍ରକାର SiC ୱାଫର୍ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରିବା ଉପାଦାନ ସୃଷ୍ଟି ପାଇଁ ଏକ ମୂଳଦୁଆ ଯୋଗାଇଥାଏ ଯାହା କଠିନ ପରିବେଶ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାକୁ ସହ୍ୟ କରିପାରିବ | ପାୱାର୍ ରୂପାନ୍ତର, ଆରଏଫ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଚାହିଦା କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହି ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକ ଉପଯୁକ୍ତ |
ସେମିସେରାର 8 ଇଞ୍ଚ N- ପ୍ରକାର SiC ୱାଫର୍ ଚୟନ କରିବା ଅର୍ଥ ଏକ ଉତ୍ପାଦରେ ବିନିଯୋଗ କରିବା ଯାହା ଉଚ୍ଚମାନର ବସ୍ତୁ ବିଜ୍ଞାନକୁ ସଠିକ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ସହିତ ମିଶ୍ରଣ କରେ | ସେମିକେରା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ସାମର୍ଥ୍ୟକୁ ଅଗ୍ରଗତି କରିବାକୁ ପ୍ରତିଶ୍ରୁତିବଦ୍ଧ, ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରେ ଯାହା ତୁମର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ବ enhance ାଇଥାଏ |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
