ସେମିସେରା ଉପସ୍ଥାପନା କରି ଗର୍ବିତ |Ga2O3ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ବିପ୍ଳବ ଆଣିବା ପାଇଁ ଏକ ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରସ୍ତୁତ |ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (ଗା2O3) ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |ସେମାନଙ୍କର ଅଲ୍ଟ୍ରା-ୱାଇଡ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା, ସେମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ |
ମୁଖ୍ୟ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
ଅଲ୍ଟ୍ରା-ୱାଇଡ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍: ଗା2O3 ପାଖାପାଖି 4.8 eV ର ଏକ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ପ୍ରଦାନ କରେ, ସିଲିକନ୍ ଏବଂ GaN ପରି ପାରମ୍ପାରିକ ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ପରିଚାଳନା କରିବାର କ୍ଷମତାକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ |
ହାଇ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍: ଏକ ବ୍ୟତିକ୍ରମ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଫିଲ୍ଡ ସହିତ ,।Ga2O3ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଅପରେସନ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, ଅଧିକ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ |
ଥର୍ମାଲ୍ ସ୍ଥିରତା: ପଦାର୍ଥର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଏହାକୁ ଚରମ ପରିବେଶରେ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ, କଠିନ ପରିସ୍ଥିତିରେ ମଧ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବଜାୟ ରଖେ |
• ବହୁମୁଖୀ ପ୍ରୟୋଗ: ଉନ୍ନତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ପାଇଁ ଏକ ଦୃ ust ଼ ଭିତ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରି ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, UV ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ |
ସେମିକେରା ସହିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଭବିଷ୍ୟତକୁ ଅନୁଭବ କର |Ga2O3ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |। ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସର ବ growing ୁଥିବା ଚାହିଦା ପୂରଣ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ଏହି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ପାଇଁ ଏକ ନୂତନ ମାନକ ସ୍ଥିର କରେ | ତୁମର ସବୁଠାରୁ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜିଂ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଅଭିନବ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିବାକୁ ସେମିସେରାକୁ ବିଶ୍ୱାସ କର |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
