ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କଭର |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ ହେଉଛି ଏକ ଉନ୍ନତ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଆବରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଯାହା ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ କଠିନ, ପରିଧାନ-ପ୍ରତିରୋଧକ ଏବଂ କ୍ଷୟ-ପ୍ରତିରୋଧକ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଏହି ଆବରଣର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ରହିଛି ଯାହା ପଦାର୍ଥର କଠିନତା, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ, ଯେତେବେଳେ ଘର୍ଷଣ ଏବଂ ପରିଧାନ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ | ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍ପାଦନ, ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଶିଳ୍ପ ଉତ୍ପାଦନ, ଏରୋସ୍ପେସ୍, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ଏବଂ ଚିକିତ୍ସା ଉପକରଣ ସମେତ ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଧାତୁ ପୃଷ୍ଠଗୁଡ଼ିକୁ କ୍ଷୟରୁ ରକ୍ଷା କରିବା କିମ୍ବା ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଅଂଶଗୁଡ଼ିକର ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ବ ancing ାଇବା, ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରେ |

 


ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ସେମିସେରା ବିଭିନ୍ନ ଉପାଦାନ ଏବଂ ବାହକ ପାଇଁ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (TaC) ଆବରଣ ପ୍ରଦାନ କରେ |ସେମିସେରା ଅଗ୍ରଣୀ ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ରାସାୟନିକ ସହନଶୀଳତା, SIC / GAN ସ୍ଫଟିକ ଏବଂ EPI ସ୍ତରର ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (TaC) ଆବରଣକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଆବୃତ TaC ସସେପ୍ଟର |), ଏବଂ ମୁଖ୍ୟ ରିଆକ୍ଟର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଜୀବନ ବ ending ାଇବା | ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ TaC ଆବରଣର ବ୍ୟବହାର ହେଉଛି ଧାର ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ଗୁଣବତ୍ତାକୁ ସୁଦୃ। କରିବା, ଏବଂ ସେମିସେରା ସେମିସେରା ଆନ୍ତର୍ଜାତିକ ଉନ୍ନତ ସ୍ତରରେ ପହଞ୍ଚିବା ପାଇଁ ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା (CVD) ର ସମାଧାନ କରିପାରିଛି |

 

ବହୁ ବର୍ଷର ବିକାଶ ପରେ, ସେମିସେରା ଟେକ୍ନୋଲୋଜିକୁ ପରାସ୍ତ କରିଛି |CVD TaCR&D ବିଭାଗର ମିଳିତ ଉଦ୍ୟମ ସହିତ | ସିସି ୱାଫରର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ତ୍ରୁଟି ଘଟିବା ସହଜ, କିନ୍ତୁ ବ୍ୟବହାର ପରେ |TaC, ପାର୍ଥକ୍ୟ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ନିମ୍ନରେ TaC ସହିତ ଏବଂ ବିନା ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକର ତୁଳନା, ଏବଂ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ସିମିସେରାର ଅଂଶଗୁଡ଼ିକ |

20 _20240227150045

TaC ସହିତ ଏବଂ ବିନା |

20 _20240227150053

TaC (ଡାହାଣ) ବ୍ୟବହାର କରିବା ପରେ

ଏହା ସହିତ, ସେମିସେରାର TaC ଆବରଣ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ସେବା ଜୀବନ SiC ଆବରଣ ଅପେକ୍ଷା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାକୁ ଅଧିକ ଲମ୍ବା ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧୀ | ଲାବୋରେଟୋରୀ ମାପ ତଥ୍ୟର ଦୀର୍ଘ ସମୟ ପରେ, ଆମର TaC ସର୍ବାଧିକ 2300 ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସରେ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ କାମ କରିପାରିବ | ନିମ୍ନରେ ଆମର କିଛି ନମୁନା ଅଛି:

20 _20240227145010

(କ) PVT ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Si ାରା SiC ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଇନଗଟ୍ ବ growing ୁଥିବା ଉପକରଣର ସ୍କିଜେଟିକ୍ ଚିତ୍ର (ଖ) ଟପ୍ TaC ଆବୃତ ବିହନ ବ୍ରାକେଟ୍ (SiC ବିହନ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି) (ଗ) TAC- ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗାଇଡ୍ ରିଙ୍ଗ |

ZDFVzCFV |
ମୁଖ୍ୟ ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ |
ସେମିସେରା କାର୍ଯ୍ୟ ସ୍ଥାନ |
ସେମିସେରା କାର୍ଯ୍ୟ ସ୍ଥାନ 2
ଉପକରଣ ଯନ୍ତ୍ର
CNN ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ରାସାୟନିକ ସଫେଇ, CVD ଆବରଣ |
ଆମର ସେବା

  • ପୂର୍ବ:
  • ପରବର୍ତ୍ତୀ: