ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ ଇମେଜିଙ୍ଗ ଦ୍ୱାରା ସାହାଯ୍ୟ କରୁଥିବା ରେସି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ ଦ୍ୱାରା ସିସି ସ୍ଫଟିକରେ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ସଂରଚନାର ବିଶ୍ଳେଷଣ |

ଅନୁସନ୍ଧାନ ପୃଷ୍ଠଭୂମି |

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ର ପ୍ରୟୋଗ ଗୁରୁତ୍ୱ: ଏକ ବ୍ୟାପକ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ (ଯେପରିକି ବୃହତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଚୁଚରେସନ୍ ବେଗ ଏବଂ ତାପଜ ଚାଳନା) କାରଣରୁ ବହୁ ଧ୍ୟାନ ଆକର୍ଷଣ କରିଛି | ଏହି ଗୁଣଗୁଡିକ ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ବିଶେଷ ଭାବରେ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ |

ସ୍ଫଟିକ୍ ତ୍ରୁଟିର ପ୍ରଭାବ: SiC ର ଏହି ସୁବିଧା ସତ୍ତ୍ high େ, ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ତ୍ରୁଟି ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶରେ ବାଧା ସୃଷ୍ଟି କରିବାରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସମସ୍ୟା ହୋଇ ରହିଥାଏ | ଏହି ତ୍ରୁଟିଗୁଡ଼ିକ ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଅବନତି ଘଟାଇପାରେ ଏବଂ ଉପକରଣ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇପାରେ |
ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଇମେଜିଙ୍ଗ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି: ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା ଏବଂ ଡିଭାଇସ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ ତ୍ରୁଟିର ପ୍ରଭାବ ବୁ understand ିବା ପାଇଁ, SiC ସ୍ଫଟିକରେ ଥିବା ତ୍ରୁଟି ସଂରଚନାକୁ ବର୍ଣ୍ଣନା କରିବା ଏବଂ ବିଶ୍ଳେଷଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଇମେଜିଙ୍ଗ୍ (ବିଶେଷକରି ସିଙ୍କ୍ରୋଟ୍ରନ୍ ବିକିରଣ ବିମ୍ ବ୍ୟବହାର କରି) ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଚରିତ୍ରକରଣ କ techni ଶଳ ହୋଇପାରିଛି ଯାହା ସ୍ଫଟିକର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଗଠନର ଉଚ୍ଚ-ବିଭେଦନ ଚିତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ |
ଅନୁସନ୍ଧାନ ଚିନ୍ତାଧାରା |
ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉପରେ ଆଧାର କରି: ପ୍ରବନ୍ଧଟି ପ୍ରକୃତ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ପ୍ରତିଛବିରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ତ୍ରୁଟିର ବିପରୀତକୁ ଅନୁକରଣ କରିବା ପାଇଁ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ କଣ୍ଟ୍ରାସ୍ ମେକାନିଜିମ୍ ଉପରେ ଆଧାର କରି ରେସି ଟ୍ରାକିଂ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବ୍ୟବହାର ପ୍ରସ୍ତାବ ଦେଇଛି | ବିଭିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ତ୍ରୁଟିର ଗୁଣ ଅଧ୍ୟୟନ ପାଇଁ ଏହି ପଦ୍ଧତି ଏକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଉପାୟ ବୋଲି ପ୍ରମାଣିତ ହୋଇଛି |
ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଉନ୍ନତି: 4H-SiC ଏବଂ 6H-SiC ସ୍ଫଟିକରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ବିଭିନ୍ନ ସ୍ଥାନାନ୍ତରକୁ ଭଲ ଭାବରେ ଅନୁକରଣ କରିବା ପାଇଁ, ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିଲେ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆରାମ ଏବଂ ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଅବଶୋଷଣର ପ୍ରଭାବକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କଲେ |
ଅନୁସନ୍ଧାନ ବିଷୟବସ୍ତୁ |
ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ପ୍ରକାର ବିଶ୍ଳେଷଣ: ପ୍ରବନ୍ଧଟି ସିଆରସିର ବିଭିନ୍ନ ପଲିଟାଇପ୍ (4H ଏବଂ 6H ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି) ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ଚରିତ୍ରକରଣକୁ (ଯେପରିକି ସ୍କ୍ରୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତର, ଧାର ସ୍ଥାନାନ୍ତର, ମିଶ୍ରିତ ସ୍ଥାନାନ୍ତର, ବେସାଲ୍ ପ୍ଲେନ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଏବଂ ଫ୍ରାଙ୍କ-ପ୍ରକାର ସ୍ଥାନାନ୍ତର) ସମୀକ୍ଷା କରିଥାଏ | ଅନୁକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତି
ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପ୍ରୟୋଗ: ବିଭିନ୍ନ ବିମ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପ୍ରୟୋଗ ଯେପରିକି ଦୁର୍ବଳ ବିମ୍ ଟପୋଲୋଜି ଏବଂ ପ୍ଲେନ ତରଙ୍ଗ ଟପୋଲୋଜି, ଏବଂ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମାଧ୍ୟମରେ ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଅନୁପ୍ରବେଶ ଗଭୀରତା କିପରି ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ |
ପରୀକ୍ଷଣ ଏବଂ ଅନୁକରଣଗୁଡ଼ିକର ମିଶ୍ରଣ: ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ଭାବରେ ପ୍ରାପ୍ତ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ପ୍ରତିଛବିଗୁଡ଼ିକୁ ସିମୁଲେଡ୍ ଇମେଜ୍ ସହିତ ତୁଳନା କରି, ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ପ୍ରକାର, ବରଗଡ ଭେକ୍ଟର ଏବଂ ସ୍ଫଟିକରେ ସ୍ଥାନଗୁଡିକର ସ୍ଥାନ ବଣ୍ଟନ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବାରେ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ସଠିକତା ଯାଞ୍ଚ କରାଯାଇଥାଏ |
ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିଦ୍ଧାନ୍ତ |
ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଫଳପ୍ରଦତା: ଅଧ୍ୟୟନରୁ ଜଣାପଡିଛି ଯେ ସିସିରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ଗୁଣଗୁଡିକ ପ୍ରକାଶ କରିବା ପାଇଁ ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏକ ସରଳ, ବିନାଶକାରୀ ଏବଂ ଅସ୍ପଷ୍ଟ ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଅନୁପ୍ରବେଶ ଗଭୀରତାକୁ ଆକଳନ କରିପାରିବ |
3D ସ୍ଥାନାନ୍ତର ବିନ୍ୟାସ ବିଶ୍ଳେଷଣ: ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମାଧ୍ୟମରେ, 3D ସ୍ଥାନାନ୍ତର ବିନ୍ୟାସ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଏବଂ ଘନତା ମାପ କରାଯାଇପାରିବ, ଯାହା ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସମୟରେ ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ଆଚରଣ ଏବଂ ବିବର୍ତ୍ତନକୁ ବୁ understanding ିବା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ଭବିଷ୍ୟତର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ: ଉଚ୍ଚ ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀ ଟପୋଲୋଜି ତଥା ଲାବୋରେଟୋରୀ ଭିତ୍ତିକ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିରେ ରାଇ ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଅଧିକ ପ୍ରୟୋଗ ହେବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ | ଏହା ସହିତ, ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିକୁ ଅନ୍ୟ ପଲିଟାଇପ୍ (ଯେପରିକି 15R-SiC) କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ତ୍ରୁଟି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକର ଅନୁକରଣକୁ ବିସ୍ତାର କରାଯାଇପାରେ |
ଚିତ୍ର ସମୀକ୍ଷା

ଚିତ୍ର :: ସିଙ୍କ୍ରୋଟ୍ରନ୍ ବିକିରଣ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଇମେଜିଙ୍ଗ୍ ସେଟଅପ୍ ର ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର, ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ (ଲାଉ) ଜ୍ୟାମିତି, ଓଲଟା ପ୍ରତିଫଳନ (ବ୍ରାଗ୍) ଜ୍ୟାମିତି ଏବଂ ଚରିବା ଘଟଣା ଜ୍ୟାମିତିକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ଏହି ଜ୍ୟାମିତିକଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ X ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକୁ ରେକର୍ଡ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

ଚିତ୍ର 2: ସ୍କ୍ରୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଚାରିପାଖରେ ବିକୃତ ଅଞ୍ଚଳର ଏକ୍ସ-ରେ ବିଭାଜନର ସ୍କିଜେଟିକ୍ ଚିତ୍ର | ଏହି ଚିତ୍ରଟି ଘଟଣା ବିମ୍ (s0) ଏବଂ ସ୍ଥାନୀୟ ବିଚ୍ଛେଦ ବିମାନ ସାଧାରଣ (n) ଏବଂ ସ୍ଥାନୀୟ ବ୍ରାଗ୍ ଆଙ୍ଗଲ୍ (θB) ସହିତ ଡିଫ୍ରାକ୍ଟଡ୍ ବିମ୍ (sg) ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ପର୍କକୁ ବର୍ଣ୍ଣନା କରେ |

ଚିତ୍ର 3: 6H - SiC ୱେଫର୍ ଉପରେ ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ (MP) ର ବ୍ୟାକ୍-ପ୍ରତିଫଳନ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଗ୍ରାଫି ଚିତ୍ର ଏବଂ ସମାନ ବିଭାଜନ ଅବସ୍ଥାରେ ଏକ ସିମୁଲେଡ୍ ସ୍କ୍ରୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ବିପରୀତତା (b = 6c) |

ଚିତ୍ର 4: 6H - SiC ୱେଫର୍ ର ବ୍ୟାକ୍-ପ୍ରତିଫଳନ ଟପୋଗ୍ରାଫି ପ୍ରତିଛବିରେ ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ଯୋଡି | ବିଭିନ୍ନ ସ୍ପେସିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ବିପରୀତ ଦିଗରେ ସାଂସଦଙ୍କ ସମାନ ସାଂସଦଙ୍କ ପ୍ରତିଛବିଗୁଡିକ ରେସି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଦର୍ଶିତ |

ଚିତ୍ର 5: 4H - SiC ୱେଫର୍ ଉପରେ ବନ୍ଦ-କୋର ସ୍କ୍ରୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତର (TSDs) ର ଚରିବା ଘଟଣା ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଗ୍ରାଫି ଚିତ୍ର ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି | ପ୍ରତିଛବିଗୁଡ଼ିକ ବର୍ଦ୍ଧିତ ଧାର ବିପରୀତ ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 6: 4H - SiC ୱେଫର୍ ଉପରେ ବାମହାତୀ ଏବଂ ଡାହାଣ ହାତର 1c TSD ଗୁଡ଼ିକର ଚରିବା ଘଟଣାର ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଗ୍ରାଫି ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକର ରେସି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି |

ଚିତ୍ର 7: 4H - SiC ଏବଂ 6H - SiC ରେ TSD ଗୁଡ଼ିକର ରେସି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣଗୁଡିକ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି, ବିଭିନ୍ନ ବର୍ଗର୍ ଭେକ୍ଟର୍ ଏବଂ ପଲିଟାଇପ୍ ସହିତ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 8: 4H-SiC ୱାଫର୍ ଉପରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଥ୍ରେଡିଙ୍ଗ୍ ଏଜ୍ ଡିସଲୋକେସନ୍ (TEDs) ର ଚରିବା ଘଟଣା ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଚିତ୍ର ଏବଂ ରେଡ୍ ଅନୁସନ୍ଧାନ ପ୍ରଣାଳୀ ବ୍ୟବହାର କରି ଅନୁକରଣ କରାଯାଇଥିବା TED ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 9: 4H-SiC ୱାଫର୍ ଉପରେ ବିଭିନ୍ନ TED ପ୍ରକାରର ଏକ୍ସ-ରେ ବ୍ୟାକ୍-ପ୍ରତିଫଳନ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଚିତ୍ର ଏବଂ ସିମୁଲେଡ୍ TED ବିପରୀତ ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 10: ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବରଗଡ ଭେକ୍ଟର ସହିତ ମିଶ୍ରିତ ଥ୍ରେଡିଙ୍ଗ ସ୍ଥାନାନ୍ତର (TMDs) ର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଚିତ୍ର ଏବଂ ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ଟପୋଲୋଜିକାଲ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 11: 4H-SiC ୱାଫର୍ ଉପରେ ବେସାଲ୍ ପ୍ଲେନ ସ୍ଥାନାନ୍ତର (BPDs) ର ବ୍ୟାକ୍-ପ୍ରତିଫଳନ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଚିତ୍ର ଏବଂ ସିମୁଲେଡ୍ ଏଜ୍ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ବିପରୀତ ଗଠନର ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 12: ଭୂପୃଷ୍ଠର ଆରାମ ଏବଂ ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଅବଶୋଷଣ ପ୍ରଭାବକୁ ବିଚାର କରି ବିଭିନ୍ନ ଗଭୀରତାରେ ଡାହାଣ ହାତର ହେଲିକାଲ୍ BPD ର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 13: ବିଭିନ୍ନ ଗଭୀରତାରେ ଡାହାଣ ହାତର ହେଲିକାଲ୍ BPD ର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଚିତ୍ର ଏବଂ ଚରିବା ଘଟଣା ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 14: 4H-SiC ୱାଫର୍ ଉପରେ ଯେକ direction ଣସି ଦିଗରେ ବେସାଲ୍ ପ୍ଲେନ ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ ଏବଂ ପ୍ରୋଜେକସନ ଲମ୍ବ ମାପ କରି କିପରି ଅନୁପ୍ରବେଶ ଗଭୀରତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ |

ଚିତ୍ର 15: ଚରିବା ଘଟଣାରେ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ପ୍ରତିଛବିରେ ବିଭିନ୍ନ ବରଗଡ ଭେକ୍ଟର ଏବଂ ଲାଇନ ନିର୍ଦ୍ଦେଶ ସହିତ BPD ର ବିପରୀତତା, ଏବଂ ସଂପୃକ୍ତ ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଫଳାଫଳ |

ଚିତ୍ର 16: 4H-SiC ୱେଫର୍ ଉପରେ ଡାହାଣ ହାତର ଡିଫ୍ଲେକ୍ଟଡ୍ TSD ର ରେସି ଟ୍ରାକିଂ ସିମୁଲେସନ୍ ଇମେଜ୍ ଏବଂ ଚରିବା ଘଟଣା ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଇମେଜ୍ ଦେଖାଯାଇଛି |

ଚିତ୍ର 17: 8 ° ଅଫସେଟ୍ 4H-SiC ୱେଫର୍ ଉପରେ ଡିଫ୍ଲେଡ୍ TSD ର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଏବଂ ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ଚିତ୍ର ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି |

ଚିତ୍ର 18: ବିଭିନ୍ନ ବରଗଡ ଭେକ୍ଟର ସହିତ ଡିଫ୍ଲେଡ୍ TSD ଏବଂ TMD ର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଚିତ୍ର କିନ୍ତୁ ସମାନ ଧାଡି ଦିଗ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |

ଚିତ୍ର 19: ଫ୍ରାଙ୍କ-ପ୍ରକାର ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଚିତ୍ର, ଏବଂ ଅନୁରୂପ ଚରିବା ଘଟଣା ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ପ୍ରତିଛବି ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି |

ଚିତ୍ର 20: 6H-SiC ୱେଫର୍ ଉପରେ ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ର ପ୍ରସାରିତ ଧଳା ବିମ୍ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ପ୍ରତିଛବି, ଏବଂ ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଚିତ୍ର ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି |

ଚିତ୍ର 21: 6H-SiC ର ଅକ୍ଷତ ଭାବରେ କଟାଯାଇଥିବା ନମୁନାର ଚରିବା ଘଟଣା ମୋନୋକ୍ରୋମାଟିକ୍ ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ପ୍ରତିଛବି, ଏବଂ BPD ଗୁଡ଼ିକର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅନୁକରଣ ଚିତ୍ର ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି |

ଚିତ୍ର 22: 6H-SiC ରେ BPD ର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ପ୍ରତିଛବିଗୁଡିକ ବିଭିନ୍ନ ଘଟଣା କୋଣରେ ଅକ୍ଷତ ଭାବରେ କଟା ନମୁନା ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 23: 6H-SiC ରେ TED, TSD ଏବଂ TMD ର ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଚିତ୍ର ଦେଖାଏ |

ଚିତ୍ର 24: 4H-SiC ୱାଫର୍ରେ ଥିବା ଆଇସୋକଲିନିକ୍ ଲାଇନର ବିଭିନ୍ନ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଡିଫ୍ଲେଡ୍ TSD ଗୁଡ଼ିକର ଏକ୍ସ-ରେ ଟପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଚିତ୍ର ଏବଂ ସଂପୃକ୍ତ ରଶ୍ମି ଅନୁସନ୍ଧାନ ସିମୁଲେସନ୍ ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକୁ ଦର୍ଶାଏ |

ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ କେବଳ ଏକାଡେମିକ୍ ଅଂଶୀଦାର ପାଇଁ | ଯଦି କ any ଣସି ଉଲ୍ଲଂଘନ ଅଛି, ଦୟାକରି ଏହାକୁ ବିଲୋପ କରିବାକୁ ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରନ୍ତୁ |