ଭାଗ / 1
SiC ଏବଂ AIN ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାରେ କ୍ରୁସିବଲ୍, ବିହନ ଧାରକ ଏବଂ ଗାଇଡ୍ ରିଙ୍ଗ୍ PVT ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇଥିଲା |
ଚିତ୍ର 2 [1] ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, ଯେତେବେଳେ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ପରିବହନ ପଦ୍ଧତି (PVT) SiC ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ତାପମାତ୍ରା ଅଞ୍ଚଳରେ, SiC କଞ୍ଚାମାଲ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅଞ୍ଚଳରେ (2400 ରୁ ଅଧିକ) |℃), ଏବଂ କଞ୍ଚାମାଲ SiXCy ଉତ୍ପାଦନ କରିବାକୁ କ୍ଷୟ ହୁଏ (ମୁଖ୍ୟତ Si Si, SiC ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |₂, ସି₂C, ଇତ୍ୟାଦି) | ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସାମଗ୍ରୀ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅଞ୍ଚଳରୁ ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ଅଞ୍ଚଳରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକକୁ ପରିବହନ କରାଯାଏ |, fମଞ୍ଜି ନ୍ୟୁକ୍ଲିୟକୁ ଅର୍ମିଙ୍ଗ୍ କରିବା, ବ growing ିବା ଏବଂ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀ ଯେପରିକି କ୍ରୁସିବଲ୍, ଫ୍ଲୋ ଗାଇଡ୍ ରିଙ୍ଗ, ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଧାରକ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧକ ହେବା ଉଚିତ ଏବଂ SiC କଞ୍ଚାମାଲ ଏବଂ SiC ଏକକ ସ୍ଫଟିକକୁ ପ୍ରଦୂଷିତ କରିବ ନାହିଁ | ସେହିଭଳି, AlN ଏକକ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ବୃଦ୍ଧିରେ ଉତ୍ତାପ ଉପାଦାନଗୁଡିକ ଅଲ ବାଷ୍ପ, N ପ୍ରତିରୋଧକ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |₂କ୍ଷୟ, ଏବଂ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ତାପମାତ୍ରା ରହିବା ଆବଶ୍ୟକ |ସହିତ AlN) ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ସମୟକୁ ଛୋଟ କରିବାକୁ |
ଏହା ଦେଖାଗଲା ଯେ SiC [2-5] ଏବଂ AlN [2-3] ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ |TaC ଆବୃତ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ଫିଲ୍ଡ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ଅଧିକ ପରିଷ୍କାର ଥିଲା, ପ୍ରାୟ କ carbon ଣସି ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ (ଅମ୍ଳଜାନ, ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍) ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଅପରିଷ୍କାରତା, କମ୍ ଧାରର ତ୍ରୁଟି, ପ୍ରତ୍ୟେକ ଅଞ୍ଚଳରେ ଛୋଟ ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋପୋରର ଘନତା ଏବଂ ଏଚିଂ ଗର୍ତ୍ତର ଘନତା ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ ପାଇଲା (KOH ଇଚିଂ ପରେ), ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗୁଣ | ବହୁତ ଉନ୍ନତ ହେଲା | ଏହା ସହିତ,TaC କ୍ରୁସିବଲ୍ |ଓଜନ ହ୍ରାସ ହାର ପ୍ରାୟ ଶୂନ, ଦୃଶ୍ୟ ବିନାଶକାରୀ, ପୁନ yc ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ (200 ଘଣ୍ଟା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଜୀବନ), ଏହିପରି ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ପ୍ରସ୍ତୁତିର ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ |
ସଂଖ୍ୟା କିମ୍ବା ପ୍ରତୀକ ସହିତ ଅକ୍ଷର ମଧ୍ଯ ବ୍ୟବହାର କରି। 2। (କ) PVT ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Si ାରା SiC ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ବ growing ୁଥିବା ଉପକରଣର ସ୍କିଜେଟିକ୍ ଚିତ୍ର |
(ଖ) ଶୀର୍ଷ |TaC ଆବୃତ |ମଞ୍ଜି ବ୍ରାକେଟ୍ (SiC ବିହନ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି)
(ଗ)TAC- ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗାଇଡ୍ ରିଙ୍ଗ୍ |
ଭାଗ / 2
MOCVD GaN epitaxial ସ୍ତର ବ growing ୁଥିବା ହିଟର |
ଚିତ୍ର ((କ) ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, MOCVD GaN ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହେଉଛି ଏକ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଯାହା ବାଷ୍ପ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଦ୍ thin ାରା ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ବ to ାଇବା ପାଇଁ ଅର୍ଗାନୋମେଟ୍ରିକ୍ ବିଚ୍ଛେଦ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ | ଗୁହାଳର ତାପମାତ୍ରା ସଠିକତା ଏବଂ ସମାନତା ହିଟରକୁ MOCVD ଯନ୍ତ୍ରର ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ମୂଳ ଉପାଦାନରେ ପରିଣତ କରେ | ଦୀର୍ଘ ସମୟ ପାଇଁ (ବାରମ୍ବାର ଥଣ୍ଡା ସମୟରେ) ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଶୀଘ୍ର ଏବଂ ସମାନ ଭାବରେ ଗରମ ହୋଇପାରିବ କି ନାହିଁ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ସ୍ଥିରତା (ଗ୍ୟାସ୍ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ) ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଶୁଦ୍ଧତା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଗୁଣବତ୍ତା, ଘନତା ସ୍ଥିରତା ଉପରେ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବ ପକାଇବ | ଏବଂ ଚିପ୍ ର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା
MOCVD GaN ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଣାଳୀରେ ହିଟରର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ପୁନ yc ବ୍ୟବହାର ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବାକୁ,TAC- ଆବୃତ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର ସଫଳତାର ସହିତ ପରିଚିତ ହେଲା | ପାରମ୍ପାରିକ ହିଟର (pBN ଆବରଣ ବ୍ୟବହାର କରି) ଦ୍ୱାରା ବୃଦ୍ଧି ହୋଇଥିବା GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ତୁଳନାରେ, TaC ହିଟର ଦ୍ grown ାରା ବ Ga ଼ିଥିବା GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ପ୍ରାୟ ସମାନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗଠନ, ଘନତା ସମାନତା, ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ତ୍ରୁଟି, ଅପରିଷ୍କାର ଡୋପିଂ ଏବଂ ପ୍ରଦୂଷଣ | ଏହା ସହିତ,TaC ଆବରଣ |କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଏବଂ ନିମ୍ନ ପୃଷ୍ଠର ନିର୍ଗତତା ଅଛି, ଯାହା ହିଟରର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସମାନତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ହ୍ରାସ ହେବ | ଉତ୍ତାପର ବିକିରଣ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟକୁ ଆହୁରି ଉନ୍ନତ କରିବା ଏବଂ ଏହାର ସେବା ଜୀବନ ବ extend ାଇବା ପାଇଁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ଆବରଣର ପୋରୋସିଟି ଆଡଜଷ୍ଟ ହୋଇପାରିବ | ଏହି ସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ ତିଆରି କରେ |TaC ଆବୃତ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟରଗୁଡିକ MOCVD GaN ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍ତମ ପସନ୍ଦ |
ସଂଖ୍ୟା କିମ୍ବା ପ୍ରତୀକ ସହିତ ଅକ୍ଷର ମଧ୍ଯ ବ୍ୟବହାର କରି। 3। (କ) GaN epitaxial ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ MOCVD ଉପକରଣର ସ୍କିଜେଟିକ୍ ଚିତ୍ର |
(ଖ) ବେସ୍ ଏବଂ ବ୍ରାକେଟ୍ କୁ ବାଦ ଦେଇ MOCVD ସେଟଅପ୍ ରେ ସ୍ଥାପିତ TAC- ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର (ଉତ୍ତାପରେ ଆଧାର ଏବଂ ବ୍ରାକେଟ୍ ଦେଖାଉଥିବା ଚିତ୍ର)
(ଗ) 17 GaN epitaxial ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପରେ TAC- ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର | [6]
ଭାଗ / 3
ଏପିଟାକ୍ସି ପାଇଁ ଆବୃତ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ (ୱେଫର୍ ବାହକ)
SiC, AlN, GaN ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ତୃତୀୟ ଶ୍ରେଣୀ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ୱାଫର୍ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱେଫର୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ୱେଫର୍ ବାହକ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଗଠନମୂଳକ ଉପାଦାନ | ଅଧିକାଂଶ ୱେଫର୍ ବାହକ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ରେ ନିର୍ମିତ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ର କ୍ଷୟକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବା ପାଇଁ SiC ଆବରଣ ସହିତ ଆବୃତ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ତାପମାତ୍ରା 1100 ରୁ 1600 ମଧ୍ୟରେ |°ସି, ଏବଂ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଆବରଣର କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧକ ୱେଫର୍ ବାହକ ଜୀବନରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ଫଳାଫଳଗୁଡିକ ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଆମୋନିଆରେ TaC ର କ୍ଷୟ ହାର SiC ଠାରୁ 6 ଗୁଣ ଧୀର ଅଟେ | ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ହାଇଡ୍ରୋଜେନରେ, କ୍ଷୟ ହାର SiC ଠାରୁ 10 ଗୁଣ ଅଧିକ ଧୀର ଅଟେ |
ପରୀକ୍ଷଣ ଦ୍ It ାରା ଏହା ପ୍ରମାଣିତ ହୋଇଛି ଯେ TaC ସହିତ ଆଚ୍ଛାଦିତ ଟ୍ରେଗୁଡିକ ନୀଳ ଆଲୋକ GaN MOCVD ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଭଲ ସୁସଙ୍ଗତତା ଦେଖାଏ ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାରତା ପ୍ରବର୍ତ୍ତାଏ ନାହିଁ | ସୀମିତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସଂଶୋଧନ ପରେ, TaC ବାହକ ବ୍ୟବହାର କରି ବ grown ଼ିଥିବା ଲେଡ୍ ପାରମ୍ପାରିକ SiC ବାହକ ପରି ସମାନ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସମାନତା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ | ତେଣୁ, TAC- ଆବୃତ ପ୍ୟାଲେଟଗୁଡିକର ସେବା ଜୀବନ ଖାଲି ପଥର ଇଙ୍କି ଅପେକ୍ଷା ଭଲ ଏବଂ |SiC ଆବୃତ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପ୍ୟାଲେଟ୍ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ମାର୍ଚ-05-2024 |