ସେରାମିକ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗୁଣ |

ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗୁଣ ସହିତ ସିରାମିକ୍ସର ପ୍ରତିରୋଧକତା ପ୍ରାୟ 10-5 ~ 107ω.cm ଅଟେ, ଏବଂ ଷ୍ଟୋଇଚିଓମେଟ୍ରିକ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଦ୍ d ାରା ଡୋପିଂ କିମ୍ବା ଲାଟାଇସ୍ ତ୍ରୁଟି ଦ୍ c ାରା ସେରାମିକ୍ ସାମଗ୍ରୀର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗୁଣ ମିଳିପାରିବ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରୁଥିବା ସିରାମିକ୍ସରେ TiO2 ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ,

ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 ଏବଂ SiC | ର ବିଭିନ୍ନ ଗୁଣ |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସିରାମିକ୍ସ |ସେଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ଯେ ସେମାନଙ୍କର ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପରିବେଶ ସହିତ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ, ଯାହା ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସିରାମିକ୍ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଉପକରଣ ତିଆରି କରିବାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |

ଯେପରିକି ଉତ୍ତାପ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ, ଗ୍ୟାସ୍ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ, ଆର୍ଦ୍ରତା ସମ୍ବେଦନଶୀଳ, ଚାପ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ, ହାଲୁକା ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସେନ୍ସର | ନିୟନ୍ତ୍ରିତ କଠିନ ସମାଧାନରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍ପିନେଲ ସାମଗ୍ରୀ, ଯେପରିକି Fe3O4, ଅଣ-କଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍ପିନେଲ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ମିଶ୍ରିତ, ଯେପରିକି MgAl2O4 |

MgCr2O4, ଏବଂ Zr2TiO4, ଥର୍ମିଷ୍ଟର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ, ଯାହା ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଭିନ୍ନ ଭାବରେ ପ୍ରତିରୋଧ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ କରିଥାଏ | Bi, Mn, Co ଏବଂ Cr ପରି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଯୋଗ କରି ZnO କୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରାଯାଇପାରିବ |

ଏହି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ମଧ୍ୟରୁ ଅଧିକାଂଶ ZnO ରେ ଦୃ ly ଭାବରେ ଦ୍ରବୀଭୂତ ହୋଇନଥାଏ, କିନ୍ତୁ ଶସ୍ୟ ସୀମା ଉପରେ ଏକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ZnO varistor ସେରାମିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇବା ପାଇଁ, ଏବଂ ଭାରିଷ୍ଟୋର ସେରାମିକ୍ସରେ ସର୍ବୋତ୍ତମ ପ୍ରଦର୍ଶନ ସହିତ ଏକ ପ୍ରକାର ପଦାର୍ଥ |

SiC ଡୋପିଂ (ଯେପରିକି ମାନବ କାର୍ବନ କଳା, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପାଉଡର) ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିପାରିବ |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ |ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା ସହିତ, ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରତିରୋଧ ଗରମ ଉପାଦାନ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଅର୍ଥାତ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ବ electric ଦୁତିକ ଚୁଲିରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବନ ରଡ୍ | ପ୍ରାୟ କିଛି ଇଚ୍ଛା ହାସଲ କରିବାକୁ SiC ର ପ୍ରତିରୋଧକତା ଏବଂ କ୍ରସ୍ ବିଭାଗକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରନ୍ତୁ |

ଅପରେଟିଂ ଅବସ୍ଥା (1500 ° C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ), ଏହାର ପ୍ରତିରୋଧକତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା ଏବଂ ଉତ୍ତାପ ଉପାଦାନର କ୍ରସ୍ ବିଭାଗକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଦ୍ the ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ଉତ୍ତାପ ବୃଦ୍ଧି ପାଇବ | ବାୟୁରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବନ ରଡ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଘଟିବ, ତାପମାତ୍ରାର ବ୍ୟବହାର ସାଧାରଣତ below 1600 ° C ରେ ସୀମିତ, ସାଧାରଣ ପ୍ରକାରର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବନ ରଡ୍ |

ସୁରକ୍ଷିତ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା 1350 ° C ଅଟେ | SiC ରେ, ଏକ ସି ପରମାଣୁ ଏକ N ପରମାଣୁ ଦ୍ୱାରା ବଦଳାଯାଇଥାଏ, କାରଣ N ରେ ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଥାଏ, ସେଠାରେ ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଥାଏ, ଏବଂ ଏହାର ଶକ୍ତି ସ୍ତର ନିମ୍ନ କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ନିକଟରେ ଏବଂ ଏହା କଣ୍ଡକ୍ଟେସନ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡକୁ ଉଠାଇବା ସହଜ, ତେଣୁ ଏହି ଶକ୍ତି ସ୍ଥିତି | ଦାତା ସ୍ତର ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ, ଏହି ଅଧା |

କଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି N- ପ୍ରକାରର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କିମ୍ବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଭାବରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡିକ | ଯଦି ଏକ ସି ପରମାଣୁକୁ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ SiC ରେ ଏକ ଅଲ ପରମାଣୁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଅଭାବ ହେତୁ ଗଠିତ ବସ୍ତୁ ଶକ୍ତି ଶକ୍ତି ଉପର ଭାଲେନ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ନିକଟରେ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗ୍ରହଣ କରିବା ସହଜ, ତେଣୁ ଏହାକୁ ଗ୍ରହଣକାରୀ କୁହାଯାଏ |

ମୁଖ୍ୟ ଶକ୍ତି ସ୍ତର, ଯାହା ଭାଲେନ୍ସ ବ୍ୟାଣ୍ଡରେ ଏକ ଖାଲି ସ୍ଥାନ ଛାଡିଥାଏ ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଚଳାଇପାରେ କାରଣ ଖାଲି ପୋଜିସନ୍ ପଜିଟିଭ୍ ଚାର୍ଜ ବାହକ ସହିତ ସମାନ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ, ଏହାକୁ ପି-ଟାଇପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କିମ୍ବା ଗାତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କୁହାଯାଏ (H. Sarman, 1989) |