1 କାହିଁକି ଅଛି aସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ |
ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ହେଉଛି ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଯାହା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ୱେଫର୍ ଆଧାରରେ ବ grown ିଥାଏ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱେଫର୍ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରକୁ ସାମୂହିକ ଭାବରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍ କୁହାଯାଏ | ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ,।ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ |ଏକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସମଲିଙ୍ଗୀ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱେଫର୍ ପାଇବା ପାଇଁ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ସ୍ତର ବ grown ଼ିଥାଏ, ଯାହା ସ୍କଟ୍କି ଡାୟୋଡ୍, MOSFET, ଏବଂ IGBT ପରି ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସରେ ତିଆରି ହୋଇପାରିବ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ ସର୍ବାଧିକ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି 4H-SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ |
ଯେହେତୁ ସମସ୍ତ ଡିଭାଇସ୍ ମ ep ଳିକ ଭାବରେ ଏପିଟାକ୍ସି ଉପରେ ହୃଦୟଙ୍ଗମ ହୋଇଛି, ଗୁଣବତ୍ତା |epitaxyଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ ଏହାର ବହୁତ ପ୍ରଭାବ ପଡିଥାଏ, କିନ୍ତୁ ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଦ୍ୱାରା ଏପିଟାକ୍ସିର ଗୁଣ ପ୍ରଭାବିତ ହୋଇଥାଏ | ଏହା ଏକ ଶିଳ୍ପର ମଧ୍ୟମ ଲିଙ୍କରେ ଅଛି ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ବିକାଶରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି: ବାଷ୍ପୀକରଣ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତି; ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE); ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE); ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) |
ସେଥିମଧ୍ୟରୁ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ହେଉଛି ସବୁଠାରୁ ଲୋକପ୍ରିୟ 4H-SiC ହୋମୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପଦ୍ଧତି | 4-H-SiC-CVD ଏପିଟାକ୍ସି ସାଧାରଣତ C CVD ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥାରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର 4H ସ୍ଫଟିକ୍ SiC ର ଅବିରତତାକୁ ନିଶ୍ଚିତ କରିପାରିବ |
CVD ଯନ୍ତ୍ରପାତିରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସିଧାସଳଖ ଧାତୁ ଉପରେ ରଖାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ କିମ୍ବା କେବଳ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ପାଇଁ ଏକ ଆଧାରରେ ରଖାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ, କାରଣ ଏଥିରେ ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରବାହ ଦିଗ (ଭୂସମାନ୍ତର, ଭୂଲମ୍ବ), ତାପମାତ୍ରା, ଚାପ, ଫିକ୍ସିସନ ଏବଂ ପଡୁଥିବା ପ୍ରଦୂଷକ ଭଳି ବିଭିନ୍ନ କାରଣ ରହିଛି | ତେଣୁ, ଏକ ଆଧାର ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ତାପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଡିସ୍କରେ ରଖାଯାଇଥାଏ, ଏବଂ ତାପରେ CVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ କରାଯାଏ | ଏହି ଆଧାର ହେଉଛି SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ |
ଏକ ମୂଳ ଉପାଦାନ ଭାବରେ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସରେ ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଶକ୍ତି ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମଡ୍ୟୁଲସ୍, ଭଲ ଥର୍ମାଲ୍ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧର ଗୁଣ ରହିଛି, କିନ୍ତୁ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, କ୍ଷତିକାରକ ଗ୍ୟାସ୍ ଏବଂ ଧାତୁ ଜ organic ବିକ ଅବଶିଷ୍ଟତା ହେତୁ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କ୍ଷୟ ହୋଇ ପାଉଡର୍ ହୋଇଯିବ | ବିଷୟ, ଏବଂ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସର ସେବା ଜୀବନ ବହୁତ ହ୍ରାସ ପାଇବ |
ଏହି ସମୟରେ, ପଡିଥିବା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପାଉଡର ଚିପକୁ ପ୍ରଦୂଷିତ କରିବ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଲୋକଙ୍କ କ୍ରମାଗତ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା କଷ୍ଟକର, ଯାହା ଏହାର ବିକାଶ ଏବଂ ବ୍ୟବହାରିକ ପ୍ରୟୋଗକୁ ଗୁରୁତର ଭାବରେ ପ୍ରତିବନ୍ଧିତ କରେ | ତେଣୁ, ଆବରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ rise ିବାକୁ ଲାଗିଲା |
2 ର ଲାଭSiC ଆବରଣ |
ଆବରଣର ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଗୁଣରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ପାଇଁ କଠୋର ଆବଶ୍ୟକତା ରହିଛି, ଯାହା ଉତ୍ପାଦର ଅମଳ ଏବଂ ଜୀବନକୁ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ | SiC ପଦାର୍ଥର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, ନିମ୍ନ ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ ଏବଂ ଭଲ ତାପଜ ଚାଳନା | ଏହା ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଗଠନମୂଳକ ପଦାର୍ଥ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପଦାର୍ଥ | ଏହା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ | ଏହାର ସୁବିଧା ହେଉଛି:
-ସିସି କ୍ଷତିକାରକ-ପ୍ରତିରୋଧକ ଏବଂ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍କୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ରୂପେ ଗୁଡ଼ାଇ ଦେଇପାରେ, ଏବଂ କ୍ଷତିକାରକ ଗ୍ୟାସ୍ ଦ୍ୱାରା କ୍ଷତି ନହେବା ପାଇଁ ଭଲ ଘନତା ଅଛି |
-ସାଇସିରେ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତି ଅଛି, ଏହା ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଏକାଧିକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ନିମ୍ନ-ତାପମାତ୍ରା ଚକ୍ର ପରେ ଆବରଣ ଖସିଯିବା ସହଜ ନୁହେଁ |
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ କ୍ଷତିକାରକ ବାତାବରଣରେ ଆବରଣକୁ ବିଫଳ ନହେବା ପାଇଁ SiC ର ଭଲ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ଅଛି |
ଏହା ସହିତ, ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ବିଭିନ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସହିତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଟ୍ରେ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ମେଳକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଖାପ ଖାଇବା ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ତାପମାତ୍ରା ଅଧିକ, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ମେଳକ ସହିତ ଏକ ଟ୍ରେ ଆବଶ୍ୟକ | SiC ର ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସହିତ ଅତି ନିକଟତର, ଏହାକୁ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସର ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆବରଣ ପାଇଁ ପସନ୍ଦିତ ପଦାର୍ଥ ଭାବରେ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |
SiC ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମ ଅଛି, ଏବଂ ସାଧାରଣଗୁଡିକ ହେଉଛି 3C, 4H ଏବଂ 6H | SiC ର ବିଭିନ୍ନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ମଗୁଡ଼ିକର ଭିନ୍ନ ବ୍ୟବହାର ଅଛି | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, 4H-SiC ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ; 6H-SiC ସବୁଠାରୁ ସ୍ଥିର ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ତିଆରିରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ | GaN ସହିତ ସମାନ ଗଠନ ହେତୁ 3C-SiC GaN epitaxial ସ୍ତର ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ SiC-GaN RF ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ | 3C-SiC କୁ ସାଧାରଣତ β β-SiC ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | --SiC ର ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ବ୍ୟବହାର ହେଉଛି ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଏବଂ ଆବରଣ ସାମଗ୍ରୀ | ତେଣୁ, β-SiC ବର୍ତ୍ତମାନ ଆବରଣ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ପଦାର୍ଥ |
ସାଧାରଣତ sem ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ SiC ଆବରଣ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସେଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ sub ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ଏପିଟାକ୍ସି, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ବିସ୍ତାର, ଇଚିଂ ଏବଂ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଆବରଣର ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଗୁଣରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ଉପରେ କଠୋର ଆବଶ୍ୟକତା ରହିଛି, ଯାହା ଉତ୍ପାଦର ଅମଳ ଏବଂ ଜୀବନକୁ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ | ତେଣୁ, ସିସି ଆବରଣର ପ୍ରସ୍ତୁତି ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜୁନ୍ -24-2024 |