ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନର ବିସ୍ତୃତ ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ପ୍ରଥମେ, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲିରେ କ୍ରୁସିବଲ୍ ଥିବା କ୍ୱାର୍ଟଜରେ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଡୋପାଣ୍ଟ ରଖନ୍ତୁ, ତାପମାତ୍ରାକୁ 1000 ଡିଗ୍ରୀରୁ ଅଧିକ ବ, ାନ୍ତୁ ଏବଂ ଏକ ତରଳ ଅବସ୍ଥାରେ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରାପ୍ତ କରନ୍ତୁ |

ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହେଉଛି ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ କୁ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ରେ ପରିଣତ କରିବାର ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା | ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ତରଳ ପଦାର୍ଥରେ ଗରମ ହେବା ପରେ, ଉଚ୍ଚମାନର ଏକକ ସ୍ଫଟିକରେ ବ to ିବା ପାଇଁ ତାପଜ ପରିବେଶକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇଥାଏ |

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଧାରଣା:
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି:ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଦ୍ରବଣର ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିର ହେବା ପରେ, ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ସିଲିକନ୍ ତରଳିବାରେ କମିଯାଏ (ସିଲିକନ୍ ତରଳିବାରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ମଧ୍ୟ ତରଳି ଯିବ), ଏବଂ ପରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ବିହନ ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବେଗରେ ଉପରକୁ ଉଠାଯାଏ | ପ୍ରକ୍ରିୟା ତାପରେ, ବିହନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ସ୍ଥାନାନ୍ତରଗୁଡିକ କଣ୍ଠ ପ୍ରୟୋଗ ଦ୍ୱାରା ଦୂର ହୋଇଯାଏ | ଯେତେବେଳେ ବେକକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ଦ length ର୍ଘ୍ୟକୁ ସଙ୍କୁଚିତ କରାଯାଏ, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ର ବ୍ୟାସ ଟାଣିବା ବେଗ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରାକୁ ସଜାଡି ଲକ୍ଷ୍ୟ ମୂଲ୍ୟରେ ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇଥାଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ସମାନ ବ୍ୟାସ ଧାର୍ଯ୍ୟ ଲମ୍ବକୁ ବ to ିବା ପାଇଁ ବଜାୟ ରଖେ | ଶେଷରେ, ସ୍ଥାନାନ୍ତରକୁ ପଛକୁ ବିସ୍ତାର ନକରିବାକୁ, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ସମାପ୍ତ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ପାଇବା ପାଇଁ ସମାପ୍ତ ହୁଏ, ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ଥଣ୍ଡା ହେବା ପରେ ଏହାକୁ ବାହାର କରିଦିଆଯାଏ |

ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାର ପଦ୍ଧତି:CZ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ FZ ପଦ୍ଧତି | CZ ପଦ୍ଧତିକୁ CZ ପଦ୍ଧତି ଭାବରେ ସଂକ୍ଷିପ୍ତ କରାଯାଇଛି | CZ ପଦ୍ଧତିର ବ istic ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଏହା ଏକ ସିଲିଣ୍ଡର ଥର୍ମାଲ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ହୋଇଛି, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଗରମ ବ୍ୟବହାର କରି ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍ ରେ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ତରଳାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଏ, ଏବଂ ତାପରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକକୁ ତରଳିବା ପାଇଁ ତରଳ ପୃଷ୍ଠରେ ଭର୍ତ୍ତି କଲା | ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକକୁ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରିବା, ଏବଂ ତାପରେ କ୍ରୁସିବଲ୍ କୁ ଓଲଟାଇବା | ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ ଧୀରେ ଧୀରେ ଉପରକୁ ଉପରକୁ ଉଠାଯାଏ, ଏବଂ ବିହନ, ବୃଦ୍ଧି, କାନ୍ଧ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ, ସମାନ ବ୍ୟାସ ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଲାଞ୍ଜ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ ଗୋଟିଏ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରାପ୍ତ ହୁଏ |

ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ତରଳିବା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ କରିବା ପାଇଁ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବାର ଏକ ପଦ୍ଧତି | ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ରଡର ଗୋଟିଏ ମୁଣ୍ଡରେ ଏକ ତରଳିବା ଜୋନ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ତାପଜ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଗୋଟିଏ ସ୍ଫଟିକ୍ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ eld ାଲାଯାଏ | ତରଳିବା ଜୋନ୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ବାଡର ଅନ୍ୟ ପ୍ରାନ୍ତକୁ ଯିବା ପାଇଁ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୁଏ ଏବଂ ସମଗ୍ର ବାଡ଼ି ମାଧ୍ୟମରେ ଗୋଟିଏ ସ୍ଫଟିକ୍ ବ grown ିଯାଏ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ସହିତ ସମାନ | ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପଦ୍ଧତିକୁ ଦୁଇ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି: ଭୂସମାନ୍ତର ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଭୂଲମ୍ବ ସସପେନ୍ସନ୍ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପଦ୍ଧତି | ପୂର୍ବଟି ମୁଖ୍ୟତ germ ଜର୍ମାନିୟମ୍ ଏବଂ GaA ପରି ସାମଗ୍ରୀର ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଶେଷଟି ହେଉଛି ଏକ ବାୟୁମଣ୍ଡଳ କିମ୍ବା ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କୋଇଲ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ ଏହା ଉପରେ ସ୍ଥଗିତ ଥିବା ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ରଡ୍ ମଧ୍ୟରେ ଯୋଗାଯୋଗରେ ଏକ ତରଳ ଜୋନ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା, ଏବଂ ତାପରେ ତରଳାଯାଇଥିବା ଜୋନ୍ କୁ ଉପରକୁ ବ move ାଇବା | ସ୍ଫଟିକ୍

ପ୍ରାୟ 85% ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ Czochralski ପଦ୍ଧତି ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ ଏବଂ 15% ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପ୍ରଣାଳୀ ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ | ପ୍ରୟୋଗ ଅନୁଯାୟୀ, Czochralski ପଦ୍ଧତି ଦ୍ grown ାରା ବୃଦ୍ଧି ହୋଇଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ମୁଖ୍ୟତ integr ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉପାଦାନ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିବାବେଳେ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପ୍ରଣାଳୀ ଦ୍ grown ାରା ବ grown ଼ାଯାଇଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ମୁଖ୍ୟତ power ପାୱାର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | Czochralski ପଦ୍ଧତିର ଏକ ପରିପକ୍ୱ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅଛି ଏବଂ ବୃହତ-ବ୍ୟାସ ବିଶିଷ୍ଟ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ବ to ିବା ସହଜ ଅଟେ | ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପଦ୍ଧତି ତରଳିବା ପାତ୍ର ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରେ ନାହିଁ, ଦୂଷିତ ହେବା ସହଜ ନୁହେଁ, ଅଧିକ ଶୁଦ୍ଧତା ଅଛି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, କିନ୍ତୁ ବଡ଼ ବ୍ୟାସ ବିଶିଷ୍ଟ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ବ grow ାଇବା ଅଧିକ କଷ୍ଟକର, ଏବଂ ସାଧାରଣତ only କେବଳ 8 ଇଞ୍ଚ କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ କମ୍ ବ୍ୟାସ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଭିଡିଓରେ Czochralski ପଦ୍ଧତି ଦେଖାଯାଇଛି |

ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ଟାଣିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ରଡର ବ୍ୟାସକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାରେ ଅସୁବିଧା ହେତୁ, ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧର ସିଲିକନ୍ ରଡ୍ ପାଇବା ପାଇଁ ଯେପରିକି 6 ଇଞ୍ଚ, 8 ଇଞ୍ଚ, 12 ଇଞ୍ଚ ଇତ୍ୟାଦି ସିଙ୍ଗଲ୍ ଟାଣିବା ପରେ | ସ୍ଫଟିକ୍, ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟର ବ୍ୟାସ ଗଡ଼ାଯିବ ଏବଂ ଭୂମିରେ ରହିବ | ଗଡ଼ିବା ପରେ ସିଲିକନ୍ ରଡର ଉପରିଭାଗ ଚିକ୍କଣ ଏବଂ ଆକାର ତ୍ରୁଟି ଛୋଟ ଅଟେ |

ଉନ୍ନତ ତାର କାଟିବା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରି, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ସ୍ଲାଇସିଂ ଉପକରଣ ମାଧ୍ୟମରେ ଉପଯୁକ୍ତ ଘନତାର ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ରେ କାଟି ଦିଆଯାଏ |

ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ଛୋଟ ମୋଟା ହେତୁ, କାଟିବା ପରେ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ଧାର ଅତ୍ୟନ୍ତ ତୀକ୍ଷ୍ଣ | ଏଜ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ଏକ ସୁଗମ ଧାର ଗଠନ କରିବା ଏବଂ ଭବିଷ୍ୟତର ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଭାଙ୍ଗିବା ସହଜ ନୁହେଁ |

LAPPING ହେଉଛି ଭାରୀ ଚୟନ ପ୍ଲେଟ୍ ଏବଂ ନିମ୍ନ ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ଲେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ୱେଫର୍ ଯୋଡିବା, ଏବଂ ଚାପ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ଏବଂ ୱେଫର୍ ଫ୍ଲାଟ କରିବା ପାଇଁ ଚାପ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା |

ୱେଫର୍ ର ଭୂପୃଷ୍ଠର କ୍ଷତି ହଟାଇବା ପାଇଁ ଇଚିଂ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଏବଂ ଶାରୀରିକ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଦ୍ୱାରା ନଷ୍ଟ ହୋଇଥିବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସ୍ତର ରାସାୟନିକ ସମାଧାନ ଦ୍ୱାରା ଦ୍ରବୀଭୂତ ହୁଏ |

ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ହେଉଛି ୱେଫର୍ କୁ ଚାଟୁକାର କରିବା ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠରେ ଛୋଟ ଛୋଟ ପଦାର୍ଥ ବାହାର କରିବା |

ଆରଟିପି ହେଉଛି କିଛି ସେକେଣ୍ଡରେ ୱେଫରକୁ ଶୀଘ୍ର ଗରମ କରିବାର ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଯାହାଫଳରେ ୱେଫରର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ତ୍ରୁଟି ସମାନ, ଧାତୁ ଅପରିଷ୍କାରତାକୁ ଦମନ କରାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରର ଅସ୍ୱାଭାବିକ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ରୋକାଯାଇଥାଏ |

ପଲିସିଂ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସଠିକତା ଯନ୍ତ୍ର ମାଧ୍ୟମରେ ଭୂପୃଷ୍ଠର ସୁଗମତାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ପଲିସିଂ ସ୍ଲିରି ଏବଂ ପଲିସିଂ କପଡ଼ାର ବ୍ୟବହାର, ଉପଯୁକ୍ତ ତାପମାତ୍ରା, ଚାପ ଏବଂ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ବେଗ ସହିତ ମିଳିତ ହୋଇ, ପୂର୍ବ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଛାଡିଥିବା ଯାନ୍ତ୍ରିକ କ୍ଷତି ସ୍ତରକୁ ଦୂର କରିପାରିବ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମତଳତା ସହିତ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ହାସଲ କରିପାରିବ |

ସଫା କରିବାର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ପଲିସିଂ ପରେ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଅବଶିଷ୍ଟ ଜ organic ବ ପଦାର୍ଥ, କଣିକା, ଧାତୁ ଇତ୍ୟାଦି ଅପସାରଣ କରିବା, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠର ପରିଷ୍କାର ପରିଚ୍ଛନ୍ନତା ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଗୁଣାତ୍ମକ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ ହେବ |

ପଲିଥିନ୍ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧକ ପରୀକ୍ଷଣକାରୀ ପଲିସିଂ ଏବଂ ସଫା କରିବା ପରେ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଚିହ୍ନଟ କରେ ଯେ ପଲିସ୍ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ଘନତା, ସମତଳତା, ସ୍ଥାନୀୟ ସମତଳତା, ବକ୍ରତା, ଯୁଦ୍ଧ ପୃଷ୍ଠା, ପ୍ରତିରୋଧକତା ଇତ୍ୟାଦି ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ |

ପାର୍ଟିକ୍ ଗଣନା ହେଉଛି ୱେଫରର ପୃଷ୍ଠକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ଯାଞ୍ଚ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଏବଂ ଲେଜର ବିଛାଇବା ଦ୍ୱାରା ଭୂପୃଷ୍ଠର ତ୍ରୁଟି ଏବଂ ପରିମାଣ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ |

ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ରାସାୟନିକ ଜମା ଦ୍ୱାରା ପଲିସିଡ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଉପରେ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସିଲିକନ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ବ growing ିବା ପାଇଁ EPI GROWING ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଧାରଣା:ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି: ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତରର ବୃଦ୍ଧିକୁ ଏବଂ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ (ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍) ଉପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସମାନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟକୁ ବୁ refers ାଏ, ଯେପରି ମୂଳ ସ୍ଫଟିକ୍ ଏକ ବିଭାଗ ପାଇଁ ବାହ୍ୟ ବିସ୍ତାର କରେ | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା 1950 ଦଶକ ତଥା 1960 ଦଶକ ପୂର୍ବରୁ ବିକଶିତ ହୋଇଥିଲା | ସେହି ସମୟରେ, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ପାଇଁ, କଲେକ୍ଟର ସିରିଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ ଥିଲା, ଏବଂ ହାଇ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ହାଇ କରେଣ୍ଟକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବା ପାଇଁ ସାମଗ୍ରୀ ଆବଶ୍ୟକ ଥିଲା, ତେଣୁ ଏକ ପତଳା ଉଚ୍ଚ ବ grow ିବା ଆବଶ୍ୟକ | କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ପ୍ରତିରୋଧ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଭାବରେ ବ grown ଼ିଥିବା ନୂତନ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପ୍ରକାର, ପ୍ରତିରୋଧକତା ଇତ୍ୟାଦି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଠାରୁ ଭିନ୍ନ ହୋଇପାରେ ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ମୋଟା ଏବଂ ଆବଶ୍ୟକତା ବିଶିଷ୍ଟ ମଲ୍ଟି ଲେୟାର୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ମଧ୍ୟ ବ grown ାଯାଇପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ device ାରା ଡିଭାଇସ୍ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ନମନୀୟତାକୁ ବହୁଗୁଣିତ କରାଯାଇପାରିବ | ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା

ପ୍ୟାକେଜିଂ ହେଉଛି ଅନ୍ତିମ ଯୋଗ୍ୟ ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ପ୍ୟାକେଜିଂ |