ଶୁଖିଲା ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ four ଚାରୋଟି ମ basic ଳିକ ଅବସ୍ଥାକୁ ନେଇ ଗଠିତ: ଇଚିଂ ପୂର୍ବରୁ, ଆଂଶିକ ଇଚିଂ, କେବଳ ଏଚିଂ, ଏବଂ ଅଧିକ ଇଚିଂ | ମୁଖ୍ୟ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ହେଉଛି ଇଚିଂ ହାର, ଚୟନକର୍ତ୍ତା, ଜଟିଳ ପରିମାଣ, ସମାନତା ଏବଂ ଶେଷ ପଏଣ୍ଟ ଚିହ୍ନଟ |

 ଚିତ୍ର 1

ଚିତ୍ର 2 ଆଂଶିକ ଇଚିଂ |

ଚିତ୍ର 3 କେବଳ ଏଚିଂ |

ଚିତ୍ର 4

(1) ଏଚିଂ ହାର: ୟୁନିଟ୍ ସମୟ ପ୍ରତି ଅପସାରିତ ପଦାର୍ଥର ଗଭୀରତା କିମ୍ବା ଘନତା |

ଚିତ୍ର 5 ଏଚିଂ ହାର ଚିତ୍ର |

(୨) ଚୟନକର୍ତ୍ତା: ବିଭିନ୍ନ ଇଚିଂ ସାମଗ୍ରୀର ଇଚିଂ ହାରର ଅନୁପାତ |

ଚିତ୍ର 6 ଚୟନ ଚିତ୍ର |

()) ଜଟିଳ ପରିମାଣ: ଇଚିଂ ସମାପ୍ତ ହେବା ପରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କ୍ଷେତ୍ରରେ pattern ାଞ୍ଚାର ଆକାର |

ଚିତ୍ର 7 ଜଟିଳ ପରିମାପ ଚିତ୍ର |

(4) ସମାନତା: ଜଟିଳ ଇଚିଂ ଡାଇମେନ୍ସନ୍ (CD) ର ସମାନତା ମାପିବା ପାଇଁ, ସାଧାରଣତ CD CD ର ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ମାନଚିତ୍ର ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ, ସୂତ୍ରଟି ହେଉଛି: U = (ମ୍ୟାକ୍ସ-ମିନିଟ୍) / 2 * AVG |

ଚିତ୍ର 8 ସମାନତା ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର |

(5) ଶେଷ ପଏଣ୍ଟ ଚିହ୍ନଟ: ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଆଲୋକର ତୀବ୍ରତାର ପରିବର୍ତ୍ତନ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଚିହ୍ନଟ ହୁଏ | ଯେତେବେଳେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆଲୋକର ତୀବ୍ରତା ବ ises ଼ିଯାଏ କିମ୍ବା ହ୍ରାସ ହୁଏ, ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ତରର ଫିଲ୍ମର ସମାପ୍ତିକୁ ଚିହ୍ନିତ କରିବା ପାଇଁ ଇଚିଂ ବନ୍ଦ ହୋଇଯାଏ |

ଚିତ୍ର 9 ଶେଷ ପଏଣ୍ଟ ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର |

ଶୁଖିଲା ଇଚିଂରେ, ଗ୍ୟାସ୍ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି (ମୁଖ୍ୟତ 13. 13.56 ମେଗାଜର୍ କିମ୍ବା 2.45 GHz) ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ସାହିତ | 1 ରୁ 100 ପା ଚାପରେ ଏହାର ଅର୍ଥ ମୁକ୍ତ ପଥ ଅନେକ ମିଲିମିଟରରୁ ଅନେକ ସେଣ୍ଟିମିଟର ଅଟେ | ତିନୋଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକାରର ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଂ ଅଛି:

•ଶାରୀରିକ ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ |: ତ୍ୱରିତ କଣିକା ଶାରୀରିକ ଭାବରେ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ପିନ୍ଧନ୍ତି |

•ରାସାୟନିକ ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ |: ଗ୍ୟାସ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠ ସହିତ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ |

•ରାସାୟନିକ ଶାରୀରିକ ଶୁଷ୍କ ଏଚିଂ |: ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ସହିତ ଶାରୀରିକ ଇଞ୍ଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ଆଇନ୍ ବିମ୍ ଇଚିଂ |

ଆଇନ୍ ବିମ୍ ଇଚିଂ (ଆଇନ୍ ବିମ୍ ଏଚିଂ) ହେଉଛି ଏକ ଶାରୀରିକ ଶୁଖିଲା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ଏକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଆର୍ଗନ୍ ଆୟନ ବିମ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରାୟ 1 ରୁ 3 କେଭି ଶକ୍ତି ସହିତ ପଦାର୍ଥ ପୃଷ୍ଠକୁ ବିକିରଣ କରିଥାଏ | ଆୟନ ବିମର ଶକ୍ତି ଏହାକୁ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପଦାର୍ଥକୁ ପ୍ରଭାବିତ ଏବଂ ଅପସାରଣ କରିଥାଏ | ଭୂଲମ୍ବ କିମ୍ବା ଅବଲିକ୍ ଘଟଣା ଆୟନ ବିମ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଇଚିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ | ତଥାପି, ଏହାର ଚୟନର ଅଭାବ ହେତୁ, ବିଭିନ୍ନ ସ୍ତରରେ ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରେ କ clear ଣସି ସ୍ପଷ୍ଟ ପାର୍ଥକ୍ୟ ନାହିଁ | ଉତ୍ପାଦିତ ଗ୍ୟାସ୍ ଏବଂ ଖଞ୍ଜା ଯାଇଥିବା ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପମ୍ପ ଦ୍ୱାରା ଶେଷ ହୋଇଯାଏ, କିନ୍ତୁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ଗ୍ୟାସ୍ ହୋଇନଥିବାରୁ କଣିକାଗୁଡ଼ିକ ୱେଫର୍ କିମ୍ବା ଚାମ୍ବର କାନ୍ଥରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ |

କଣିକା ଗଠନକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଚାମ୍ବରରେ ଦ୍ୱିତୀୟ ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରବେଶ କରାଯାଇପାରେ | ଏହି ଗ୍ୟାସ୍ ଆର୍ଗନ୍ ଆୟନ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବ ଏବଂ ଏକ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଇଞ୍ଚ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଗ୍ୟାସର ଏକ ଅଂଶ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପଦାର୍ଥ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବ, କିନ୍ତୁ ଏହା ପଲିସ୍ ହୋଇଥିବା କଣିକା ସହିତ ମଧ୍ୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଗ୍ୟାସୀୟ ଉପାଦାନ ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ almost ାରା ପ୍ରାୟ ସମସ୍ତ ପ୍ରକାରର ସାମଗ୍ରୀ ଖଞ୍ଜାଯାଇପାରିବ | ଭୂଲମ୍ବ ବିକିରଣ ହେତୁ, ଭୂଲମ୍ବ କାନ୍ଥରେ ପିନ୍ଧିବା ବହୁତ ଛୋଟ (ଉଚ୍ଚ ଆନିସୋଟ୍ରପି) | ଅବଶ୍ୟ, ଏହାର କମ୍ ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ମନ୍ଥର ଇଚିଂ ହାର ହେତୁ, ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାମ୍ପ୍ରତିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ କ୍ୱଚିତ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

2। ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ |

ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ହେଉଛି ଏକ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ରାସାୟନିକ ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଯାହାକୁ ରାସାୟନିକ ଶୁଖିଲା ଇଚିଂ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | ଏହାର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଏହା ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଆୟନର କ୍ଷତି ଘଟାଏ ନାହିଁ | ଯେହେତୁ ଇଚିଂ ଗ୍ୟାସରେ ସକ୍ରିୟ ପ୍ରଜାତିଗୁଡିକ ଚଳପ୍ରଚଳ ମୁକ୍ତ ଏବଂ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଅଟେ, ଏହି ପଦ୍ଧତି ସମଗ୍ର ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସ୍ତରକୁ ହଟାଇବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଅଟେ (ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପରେ ପଛ ପାର୍ଶ୍ୱକୁ ସଫା କରିବା) |

ଏକ ଡାଉନ୍ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ରିଆକ୍ଟର ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକାର ରିଆକ୍ଟର ଯାହା ସାଧାରଣତ pl ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହି ରିଆକ୍ଟରରେ, 2.45GHz ର ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡରେ ପ୍ରଭାବ ଆୟନାଇଜେସନ୍ ଦ୍ୱାରା ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ପନ୍ନ ହୁଏ ଏବଂ ୱେଫର୍ ଠାରୁ ପୃଥକ |

ଗ୍ୟାସ୍ ନିଷ୍କାସନ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ ସମେତ ପ୍ରଭାବ ଏବଂ ଉତ୍ତେଜନା ଯୋଗୁଁ ବିଭିନ୍ନ କଣିକା ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ ଗୁଡିକ ନିରପେକ୍ଷ ପରମାଣୁ ବା ଅସନ୍ତୁଳିତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସହିତ ଅଣୁ, ତେଣୁ ସେମାନେ ଅତ୍ୟଧିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ | ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, କିଛି ନିରପେକ୍ଷ ଗ୍ୟାସ୍ ଯେପରିକି ଟେଟ୍ରାଫ୍ଲୋରୋମେଟେନ୍ (CF4) ପ୍ରାୟତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯାହା ଆୟନାଇଜେସନ୍ କିମ୍ବା କ୍ଷୟ ଦ୍ୱାରା ସକ୍ରିୟ ପ୍ରଜାତି ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଗ୍ୟାସ୍ ଡିସଚାର୍ଜ ଅଞ୍ଚଳରେ ପ୍ରବେଶ କରାଯାଇଥାଏ |

ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, CF4 ଗ୍ୟାସରେ, ଏହା ଗ୍ୟାସ୍ ଡିସଚାର୍ଜ ଅଞ୍ଚଳରେ ପ୍ରବେଶ କରାଗଲା ଏବଂ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ରେଡିକାଲ୍ (F) ଏବଂ କାର୍ବନ ଡିଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଅଣୁ (CF2) ରେ କ୍ଷୟ ହେଲା | ସେହିଭଳି, ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ (F) ଅମ୍ଳଜାନ (O2) ଯୋଗ କରି CF4 ରୁ କ୍ଷୟ ହୋଇପାରେ |

2 CF4 + O2 -> 2 COF2 + 2 F2 |

ଗ୍ୟାସ୍ ଡିସଚାର୍ଜ ଅଞ୍ଚଳର ଶକ୍ତି ଅଧୀନରେ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଅଣୁ ଦୁଇଟି ସ୍ independent ାଧୀନ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ପରମାଣୁରେ ବିଭକ୍ତ ହୋଇପାରେ, ପ୍ରତ୍ୟେକଟି ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ମୁକ୍ତ ରେଡିକାଲ୍ | ଯେହେତୁ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ପରମାଣୁରେ ସାତୋଟି ଭାଲେନ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଥାଏ ଏବଂ ଏକ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଗ୍ୟାସର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ବିନ୍ୟାସ ହାସଲ କରିବାକୁ ଲାଗେ, ସେଗୁଡ଼ିକ ସମସ୍ତେ ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ | ନିରପେକ୍ଷ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଫ୍ରି ରେଡିକାଲ୍ସ ବ୍ୟତୀତ, ଗ୍ୟାସ୍ ନିଷ୍କାସନ ଅଞ୍ଚଳରେ CF + 4, CF + 3, CF + 2 ଇତ୍ୟାଦି ଚାର୍ଜ କଣିକା ଚାର୍ଜ କରାଯିବ | ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ, ଏହି ସମସ୍ତ କଣିକା ଏବଂ ମୁକ୍ତ ରେଡିକାଲ୍ ଗୁଡିକ ସିରାମିକ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଇଚିଂ ଚାମ୍ବରରେ ପ୍ରବେଶ କରାଗଲା |

ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା କଣିକା ଗୁଡିକ ନିଷ୍କାସନ ଗ୍ରିଟିଙ୍ଗ ଦ୍ୱାରା ଅବରୋଧ କରାଯାଇପାରେ କିମ୍ବା ଇଚିଂ ଚାମ୍ବରରେ ସେମାନଙ୍କ ଆଚରଣକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ନିରପେକ୍ଷ ଅଣୁ ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପୁନ omb ମିଳିତ ହୋଇପାରେ | ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଫ୍ରି ରେଡିକାଲ୍ସ ମଧ୍ୟ ଆଂଶିକ ପୁନର୍ବିନ୍ୟାସ କରିବେ, କିନ୍ତୁ ଏଚିଂ ଚାମ୍ବରରେ ପ୍ରବେଶ କରିବା, ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବା ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ ଛଡ଼ାଇବା ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ ସକ୍ରିୟ ଅଛନ୍ତି | ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ନିରପେକ୍ଷ କଣିକା ଇଞ୍ଚ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅଂଶଗ୍ରହଣ କରନ୍ତି ନାହିଁ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦ ସହିତ ଖିଆଯାଏ |

ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଉଦାହରଣ ଯାହା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂରେ ମିଶାଯାଇପାରିବ:

• ସିଲିକନ୍: Si + 4F—> SiF4 |

ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍: SiO2 + 4F—> SiF4 + O2 |

ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍: Si3N4 + 12F—> 3SiF4 + 2N2 |

3. ରିଆକ୍ଟିଭ୍ ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE)

ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ ହେଉଛି ଏକ ରାସାୟନିକ-ଶାରୀରିକ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି, ଏଚିଂ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍, ଇଚିଂ ହାର, ସମାନତା ଏବଂ ପୁନରାବୃତ୍ତି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ | ଏହା ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଏବଂ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଏଚିଂ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ ହାସଲ କରିପାରିବ ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ବିଭିନ୍ନ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ଏହା ହେଉଛି ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା |

RIE ସମୟରେ, ୱେଫର୍ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ (HF ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍) ଉପରେ ରଖାଯାଇଥାଏ | ପ୍ରଭାବ ଆୟନାଇଜେସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ, ଏକ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ଯେଉଁଥିରେ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ସକରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ଆୟନ ବିଦ୍ୟମାନ | ଯଦି HF ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡରେ ଏକ ପଜିଟିଭ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ, ତେବେ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଯାଏ ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସମ୍ବନ୍ଧ ହେତୁ ପୁନର୍ବାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଛାଡିପାରିବ ନାହିଁ | ତେଣୁ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡଗୁଡିକ -1000V (ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଭୋଲଟେଜ୍) ରେ ଚାର୍ଜ କରାଯାଏ ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଧୀର ଆୟନଗୁଡିକ ଦ୍ରୁତ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଅନୁସରଣ କରିପାରିବ ନାହିଁ |

ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE) ସମୟରେ, ଯଦି ଆୟନର ହାରାହାରି ମୁକ୍ତ ପଥ ଅଧିକ, ସେମାନେ ପ୍ରାୟ per ର୍ଦ୍ଧ୍ୱ ଦିଗରେ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଧକ୍କା ଦିଅନ୍ତି | ଏହିପରି, ତ୍ୱରିତ ଆୟନଗୁଡିକ ପଦାର୍ଥକୁ ବାହାର କରି ଶାରୀରିକ ଇଞ୍ଚିଂ ମାଧ୍ୟମରେ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଯେହେତୁ ପାର୍ଶ୍ୱବର୍ତ୍ତୀ ସାଇଡୱାଲ୍ ପ୍ରଭାବିତ ହୁଏ ନାହିଁ, ଇଚ୍ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ରହିଥାଏ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପରିଧାନ ଛୋଟ | ତଥାପି, ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି ବହୁତ ଅଧିକ ନୁହେଁ କାରଣ ଶାରୀରିକ ଇଞ୍ଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମଧ୍ୟ ହୁଏ | ଏହା ସହିତ, ଆୟନଗୁଡିକର ତ୍ୱରଣ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ କ୍ଷତି ଘଟାଏ, ଯାହା ମରାମତି ପାଇଁ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |

ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ରାସାୟନିକ ଅଂଶ ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ ଦ୍ surface ାରା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଆୟନଗୁଡିକ ପଦାର୍ଥକୁ ଶାରୀରିକ ଭାବରେ ଆଘାତ କରେ ଯାହା ଦ୍ ion ାରା ଏହା ୱେଫର୍ କିମ୍ବା ଚାମ୍ବର କାନ୍ଥରେ ପୁନ ep ସ୍ଥାନିତ ନହୁଏ, ଆୟନ ବିମ୍ ଇଚିଂ ପରି ପୁନ ep ସ୍ଥିତିକୁ ଏଡାଇ ଦିଏ | ଇଚିଂ ଚାମ୍ବରରେ ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପ ବ increasing ଼ିବାବେଳେ, ଆୟନଗୁଡିକର ହାରାହାରି ମୁକ୍ତ ପଥ କମିଯାଏ, ଯାହା ଆୟନ ଏବଂ ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଧକ୍କା ସଂଖ୍ୟା ବ increases ାଇଥାଏ ଏବଂ ଆୟନଗୁଡିକ ବିଭିନ୍ନ ଦିଗରେ ବିଛା ଯାଇଥାଏ | ଏହା କମ୍ ଦିଗନ୍ତ ଇଚିଂରେ ପରିଣତ ହୁଏ, ଯାହାକି ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଅଧିକ ରାସାୟନିକ କରିଥାଏ |

ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଇଚ୍ ପ୍ରୋଫାଇଲଗୁଡିକ ସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ ସମୟରେ ସାଇଡ୍ ୱାଲ୍କୁ ପାସ୍ କରି ହାସଲ କରାଯାଇଥାଏ | ଅମ୍ଳଜାନକୁ ଇଚିଂ ଚାମ୍ବରରେ ପ୍ରବେଶ କରାଗଲା, ଯେଉଁଠାରେ ଏହା ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଇଟେଡ୍ ସିଲିକନ୍ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିଥାଏ, ଯାହା ଭୂଲମ୍ବ ସାଇଡୱାଲରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ହେତୁ, ଭୂସମାନ୍ତର ଅଞ୍ଚଳରେ ଥିବା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଅପସାରିତ ହୁଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ପାର୍ଟାଲ୍ ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଜାରି ରହିଥାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଇଚ୍ ପ୍ରୋଫାଇଲର ଆକୃତି ଏବଂ ସାଇଡୱାଲର ଖାଲକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ |

ଚାପ, HF ଜେନେରେଟର ଶକ୍ତି, ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ, ପ୍ରକୃତ ଗ୍ୟାସ ପ୍ରବାହ ହାର ଏବଂ ୱେଫର ତାପମାତ୍ରା ଭଳି କାରକ ଦ୍ୱାରା ଇଚ୍ ହାର ପ୍ରଭାବିତ ହୁଏ ଏବଂ ଏହାର ପରିବର୍ତ୍ତନ ପରିସର 15% ତଳେ ରଖାଯାଇଥାଏ | ଆନିସୋଟ୍ରପି HF ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି, ଚାପ ହ୍ରାସ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ହ୍ରାସ ସହିତ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ | ଗ୍ୟାସ୍, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ବ୍ୟବଧାନ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଦ୍ୱାରା ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ସମାନତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ | ଯଦି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଦୂରତା ବହୁତ ଛୋଟ, ପ୍ଲାଜମା ସମାନ ଭାବରେ ବିସର୍ଜନ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ସମାନତା ନଥାଏ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଦୂରତା ବ ching ଼ିବା ଦ୍ୱାରା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ହାର କମିଯାଏ କାରଣ ପ୍ଲାଜମା ଏକ ବଡ଼ ଆକାରରେ ବିତରଣ ହୋଇଥାଏ | କାର୍ବନ୍ ହେଉଛି ପସନ୍ଦିତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସାମଗ୍ରୀ କାରଣ ଏହା ଏକ ସମାନ ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ପାଦନ କରେ ଯାହା ଦ୍ wa ାରା ୱେଫର୍ ର ଧାର ୱେଫରର ମଧ୍ୟଭାଗରେ ପ୍ରଭାବିତ ହୁଏ |

ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ ଚୟନ ଏବଂ ଇଚିଂ ହାରରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଯ ounds ଗିକ ପାଇଁ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଏବଂ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ମୁଖ୍ୟତ et ଇଚିଂ ହାସଲ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଉପଯୁକ୍ତ ଗ୍ୟାସ୍ ବାଛିବା, ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରବାହ ଏବଂ ଚାପକୁ ସଜାଡିବା, ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଶକ୍ତି ପରି ଅନ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଇଚ୍ଛିତ ଇଚ୍ ହାର, ଚୟନକର୍ତ୍ତା ଏବଂ ସମାନତା ହାସଲ କରିପାରିବ | ଏହି ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ସାଧାରଣତ different ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ସଜାଡିଥାଏ |

ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା କେବଳ ଗୋଟିଏ ଗ୍ୟାସ୍, ଗ୍ୟାସ୍ ମିଶ୍ରଣ, କିମ୍ବା ସ୍ଥିର ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରରେ ସୀମିତ ନୁହେଁ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ପଲିସିଲିକନ୍ ଉପରେ ଥିବା ଦେଶୀ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ପ୍ରଥମେ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଇଚ୍ ହାର ଏବଂ ନିମ୍ନ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ସହିତ ଅପସାରଣ କରାଯାଇପାରିବ, ଯେତେବେଳେ ପଲିସିଲିକନ୍ ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ସ୍ତରଗୁଡିକ ସହିତ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ସହିତ ପରେ ଇଚ୍ ହୋଇପାରିବ |

————————————————————————————————————————————————— ————————————

ସେମିସେରା ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, ନରମ / କଠିନ ଅନୁଭବ |, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |,CVD ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶ |, ଏବଂSiC / TaC ଆବୃତ ଅଂଶଗୁଡିକ | 30 ଦିନ ସହିତ

ଯଦି ଆପଣ ଉପରୋକ୍ତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଗ୍ରହୀ,ଦୟାକରି ପ୍ରଥମ ଥର ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ କୁଣ୍ଠାବୋଧ କରନ୍ତୁ ନାହିଁ |.

ଟେଲ: + 86-13373889683

ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍: + 86-15957878134

Email: sales01@semi-cera.com