ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିସ୍କଗୁଡିକ ଅନୁସନ୍ଧାନ: କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁବିଧା ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ ଆଶା |

ଆଜିର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି କ୍ଷେତ୍ରରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ,ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC)ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ, ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ, ଉଚ୍ଚ ସାଚୁଚରେସନ୍ ସ୍ପିଡ୍, ହାଇ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଇତ୍ୟାଦି ଧୀରେ ଧୀରେ ଗବେଷକ ଏବଂ ଇଞ୍ଜିନିୟରମାନଙ୍କ କେନ୍ଦ୍ରବିନ୍ଦୁ ପାଲଟିଛି | Theସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିସ୍କ |, ଏହାର ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଂଶ ଭାବରେ, ଉତ୍ତମ ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ଦେଖାଇଛି |

一、 epitaxial ଡିସ୍କ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା: ପୂର୍ଣ୍ଣ ସୁବିଧା |
ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ: ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ତୁଳନା, ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଫିଲ୍ଡ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |10 ଗୁଣରୁ ଅଧିକ ଅଟେ | ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ସମାନ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅବସ୍ଥାରେ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିସ୍କ |ଉଚ୍ଚ ସ୍ରୋତକୁ ସହ୍ୟ କରିପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ high ାରା ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍, ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ହାଇ ପାୱାର୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ସୃଷ୍ଟି ହେବ |
2। ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ସାଚୁଚରେସନ୍ ସ୍ପିଡ୍: ସାଚୁଚରେସନ୍ ସ୍ପିଡ୍ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ 2 ଗୁଣ ଅଧିକ | ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବେଗରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ,।ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିସ୍କ |ଉନ୍ନତ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରିଥାଏ, ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ |
3। ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି: ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ 3 ଗୁଣ ଅଧିକ | ଏହି ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ କ୍ରମାଗତ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି କାର୍ଯ୍ୟ ସମୟରେ ଉତ୍ତାପକୁ ଭଲ ଭାବରେ ବିସ୍ତାର କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଅତ୍ୟଧିକ ଉତ୍ତାପକୁ ରୋକାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ଉପକରଣ ନିରାପତ୍ତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ |
4। ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା: ଅତ୍ୟଧିକ ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ ଚାପ ଏବଂ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ବିକିରଣ ପରି ଚରମ ପରିବେଶରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପୂର୍ବ ପରି ସ୍ଥିର ରହିଛି | ଏହି ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଜଟିଳ ପରିବେଶ ସାମ୍ନାରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବଜାୟ ରଖିବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିସ୍କକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ |
二、 ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା: ଯତ୍ନର ସହିତ ଖୋଦିତ |
SIC epitaxial ଡିସ୍କ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(PVD), ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(CVD) ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରତ୍ୟେକର ନିଜସ୍ୱ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି ଏବଂ ସର୍ବୋତ୍ତମ ଫଳାଫଳ ହାସଲ କରିବାକୁ ବିଭିନ୍ନ ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
। ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଉତ୍ତମ ସ୍ଫଟିକତା ଅଛି, କିନ୍ତୁ ଉତ୍ପାଦନ ବେଗ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ମନ୍ଥର ଅଟେ |
2। CVD ପ୍ରକ୍ରିୟା: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ ଫାଟିବା ଦ୍ୱାରା ଏହା ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଘନତା ଏବଂ ସମାନତା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ, କିନ୍ତୁ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକତା ଖରାପ |
Ep। ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ଭଲ ମେଳ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଅଛି, କିନ୍ତୁ ମୂଲ୍ୟ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ |
三、 ଆବେଦନ ଆଶା: ଭବିଷ୍ୟତକୁ ଆଲୋକିତ କରନ୍ତୁ |
ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର କ୍ରମାଗତ ବିକାଶ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଚାହିଦା ସହିତ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିସ୍କର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ଏକ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ଆଶା ଅଛି | ଏହା ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ହାଇ-ପାୱାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେପରିକି ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସୁଇଚ୍, ଇନଭର୍ଟର, ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ ଇତ୍ୟାଦି ଏହା ସହିତ ଏହା ସ ar ର କୋଷ, ଏଲଇଡି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ମଧ୍ୟ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଏହାର ଅନନ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାର କ୍ରମାଗତ ଉନ୍ନତି ସହିତ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିସ୍କ ଧୀରେ ଧୀରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ମହାନ ସମ୍ଭାବନା ଦେଖାଉଛି | ଆମର ବିଶ୍ୱାସ କରିବାର କାରଣ ଅଛି ଯେ ଭବିଷ୍ୟତରେ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏହା ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିବ |