【ସାରାଂଶ ବର୍ଣ୍ଣନା modern ଆଧୁନିକ C, N, B ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଅଣ-ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ ଚିତ୍ତାକର୍ଷକ କଞ୍ଚାମାଲରେ, ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ ସିଣ୍ଟର୍ ହୋଇଛି |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ବିସ୍ତୃତ ଏବଂ ଅର୍ଥନ is ତିକ, ଏବଂ ଏହା ଏମେରୀ ବା ଚିତ୍ତାକର୍ଷକ ବାଲି ବୋଲି କୁହାଯାଇପାରେ | ଶୁଦ୍ଧସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ରଙ୍ଗହୀନ ସ୍ୱଚ୍ଛ ସ୍ଫଟିକ ଅଟେ | ତେବେ ବସ୍ତୁ ଗଠନ ଏବଂ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ କ’ଣ?ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |?
ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପର ବସ୍ତୁ ଗଠନସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |:
ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ଶିଳ୍ପରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି ଅପରିଷ୍କାରର ପ୍ରକାର ଏବଂ ବିଷୟବସ୍ତୁ ଅନୁଯାୟୀ ହାଲୁକା ହଳଦିଆ, ସବୁଜ, ନୀଳ ଏବଂ କଳା, ଏବଂ ଶୁଦ୍ଧତା ଭିନ୍ନ ଏବଂ ସ୍ୱଚ୍ଛତା ଭିନ୍ନ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନାକୁ ଛଅ ଶବ୍ଦ କିମ୍ବା ହୀରା ଆକୃତିର ପ୍ଲୁଟୋନିୟମ୍ ଏବଂ ଘନ ପ୍ଲୁଟୋନିୟମ୍-ସିକ୍ ରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି | ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନାରେ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ପରମାଣୁର ବିଭିନ୍ନ ଷ୍ଟାକିଂ କ୍ରମ କାରଣରୁ ପ୍ଲୁଟୋନିୟମ୍-ସିକ୍ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ବିକୃତି ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ 70 ରୁ ଅଧିକ ପ୍ରକାରର ବିକୃତି ମିଳିଲା | ବିଟା- SIC 2100 ରୁ ଅଧିକ ଆଲଫା- SIC ରେ ରୂପାନ୍ତରିତ ହୁଏ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଶିଳ୍ପ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏକ ପ୍ରତିରୋଧ ଚୁଲିରେ ଉଚ୍ଚମାନର କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ବାଲି ଏବଂ ପେଟ୍ରୋଲିୟମ କୋକ୍ ସହିତ ବିଶୋଧିତ ହୁଏ | ବିଶୋଧିତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବ୍ଲକ୍ ଗୁଡିକ ଚୂର୍ଣ୍ଣ, ଏସିଡ୍-ବେସ୍ ସଫେଇ, ଚୁମ୍ବକୀୟ ପୃଥକତା, ସ୍କ୍ରିନିଂ କିମ୍ବା ଜଳ ଚୟନ ବିଭିନ୍ନ କଣିକା ଆକାରର ଉତ୍ପାଦ ଉତ୍ପାଦନ କରେ |
ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପର ବସ୍ତୁ ଗୁଣ |ସିଣ୍ଟ୍ରନ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |:
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡରେ ଭଲ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା, ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି, ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ, ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ, ତେଣୁ ଘୃଣ୍ୟ ବ୍ୟବହାର ବ୍ୟତୀତ ଅନେକ ବ୍ୟବହାର ଅଛି: ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର ଟର୍ବାଇନ ଇମ୍ପେଲର କିମ୍ବା ସିଲିଣ୍ଡର ବ୍ଲକର ଭିତର କାନ୍ଥରେ ଆବୃତ ହୋଇଛି | ଏକ ସ୍ process ତନ୍ତ୍ର ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଯାହା ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ ଏବଂ ଜୀବନ 1 ରୁ 2 ଗୁଣ ବ extend ାଇପାରେ | ଉତ୍ତାପ-ପ୍ରତିରୋଧକ, ଛୋଟ ଆକାର, ହାଲୁକା ଓଜନ, ଉଚ୍ଚ-ଗ୍ରେଡ୍ ଚିତ୍ତାକର୍ଷକ ସାମଗ୍ରୀର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ବହୁତ ଭଲ | ଇସ୍ପାତ ଉତ୍ପାଦନର ଗତି ବ increasing ାଇବା ଏବଂ ଇସ୍ପାତ ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ ରାସାୟନିକ ରଚନାକୁ ସହଜରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ଲୋ-ଗ୍ରେଡ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ପ୍ରାୟ 85% SiC ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି) ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଡିଅକ୍ସାଇଡାଇଜର ଅଟେ | ଏଥିସହ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବନ ରଡ୍ର ବ electrical ଦୁତିକ ଅଂଶ ଉତ୍ପାଦନରେ ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ ସିଣ୍ଟେଡ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ମଧ୍ୟ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବହୁତ କଠିନ | ମୋର୍ସର କଠିନତା 9.5, ବିଶ୍ hard ର ହାର୍ଡ ହୀରା (10) ରେ ଦ୍ୱିତୀୟରେ ଅଛି, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ଚାଳନା ସହିତ ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଅକ୍ସିଡେସନକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିପାରିବ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡରେ ଅତି କମରେ 70 ଟି ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରକାର ଅଛି | ପ୍ଲୁଟୋନିୟମ୍-ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ହେଉଛି ଏକ ସାଧାରଣ ଆଇସୋମର୍ ଯାହା 2000 ରୁ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ ଏବଂ ଏହାର ଏକ ଷୋଡଶାଳିଆ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗଠନ (ୱର୍ଟଜାଇଟ୍ ପରି) | ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପରେ ସିଣ୍ଟ୍ରନ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |
ର ପ୍ରୟୋଗସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପ ଶୃଙ୍ଖଳରେ ମୁଖ୍ୟତ sil ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ପାଉଡର, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଟ୍, ପାୱାର୍ ଉପାଦାନ, ମଡ୍ୟୁଲ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଏବଂ ଟର୍ମିନାଲ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସହାୟକ ସାମଗ୍ରୀ, କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ | ବର୍ତ୍ତମାନ, SiC ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଣାଳୀରେ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପଦ୍ଧତି (PVT ପଦ୍ଧତି), ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତି (LPE ପଦ୍ଧତି) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ସଂରକ୍ଷଣ ପଦ୍ଧତି (HTCVD ପଦ୍ଧତି) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପରେ ସିଣ୍ଟ୍ରନ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |
୨। ବ୍ୟବହାରିକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ, ୱାଇଡ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫାଙ୍କା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରାୟ ସମସ୍ତ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରରେ ନିର୍ମିତ ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଚିପ୍ ନିଜେ କେବଳ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |
ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର PVT ପଦ୍ଧତି ଦ୍ sil ାରା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ କଞ୍ଚାମାଲ ଅଟେ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦର ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକର ବୃଦ୍ଧି ଗୁଣ ଏବଂ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣକୁ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ |
ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ନିର୍ମିତ ଏକ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଶକ୍ତି, ଯାହାର ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତାର ଗୁଣ ରହିଛି | ଡିଭାଇସର ଅପରେଟିଂ ଫର୍ମ ଅନୁଯାୟୀ, SiC ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଉପକରଣରେ ମୁଖ୍ୟତ a ଏକ ପାୱାର୍ ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ଏକ ପାୱାର୍ ସୁଇଚ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ଟର୍ମିନାଲ୍ ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗ୍ୟାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସହିତ ସହାୟକ ହେବାର ସୁବିଧା ଅଛି | ଉଚ୍ଚ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା, କମ୍ ଗରମ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ, ହାଲୁକା ଓ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସୁବିଧା ହେତୁ, ଡାଉନ୍ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିର ଚାହିଦା ବ continues ିବାରେ ଲାଗିଛି, ଏବଂ SiO2 ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ ଏକ ଧାରା ଅଛି |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅକ୍ଟୋବର -16-2023 |