SIC ଆବରଣର ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ବର୍ତ୍ତମାନ, ପ୍ରସ୍ତୁତି ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକ |SiC ଆବରଣ |ମୁଖ୍ୟତ gel ଜେଲ୍-ସୋଲ୍ ପଦ୍ଧତି, ଏମ୍ବେଡିଂ ପଦ୍ଧତି, ବ୍ରଶ୍ ଆବରଣ ପ୍ରଣାଳୀ, ପ୍ଲାଜମା ସ୍ପ୍ରେ ପ୍ରଣାଳୀ, ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପଦ୍ଧତି (CVR) ଏବଂ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​ପଦ୍ଧତି (CVD) ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |

ଏମ୍ବେଡିଂ ପଦ୍ଧତି |
ଏହି ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକାର ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା କଠିନ-ଫେଜ୍ ସିନ୍ଟରିଂ, ଯାହା ମୁଖ୍ୟତ Si ସି ପାଉଡର ଏବଂ ସି ପାଉଡରକୁ ଏମ୍ବେଡିଂ ପାଉଡର ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ,ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ |ଏମ୍ବେଡିଂ ପାଉଡରରେ, ଏବଂ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଗ୍ୟାସରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ସିନଟର, ଏବଂ ଶେଷରେ ପ୍ରାପ୍ତ ହୁଏ |SiC ଆବରଣ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସର ପୃଷ୍ଠରେ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସରଳ, ଏବଂ ଆବରଣ ଏବଂ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ଭଲ ଭାବରେ ବନ୍ଧା ହୋଇଛି, କିନ୍ତୁ ଘନତା ଦିଗରେ ଆବରଣର ସମାନତା ଖରାପ, ଏବଂ ଅଧିକ ଛିଦ୍ର ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ସହଜ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଖରାପ |

ବ୍ରଶ୍ ଆବରଣ ପଦ୍ଧତି |
ବ୍ରଶ୍ ଆବରଣ ପଦ୍ଧତି ମୁଖ୍ୟତ the ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସର ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ତରଳ କଞ୍ଚାମାଲକୁ ବ୍ରସ୍ କରେ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଆବରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ କଞ୍ଚାମାଲକୁ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରାରେ ଦୃ solid କରେ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସରଳ ଏବଂ ମୂଲ୍ୟରେ କମ୍, କିନ୍ତୁ ବ୍ରଶ୍ ଆବରଣ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ ଆବରଣର ମାଟ୍ରିକ୍ସ ସହିତ ଦୁର୍ବଳ ବନ୍ଧନ, ଖରାପ ଆବରଣର ସମାନତା, ପତଳା ଆବରଣ ଏବଂ କମ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଏବଂ ସାହାଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଅନ୍ୟ ପଦ୍ଧତି ଆବଶ୍ୟକ କରେ |

ପ୍ଲାଜ୍ମା ସ୍ପ୍ରେ ପ୍ରଣାଳୀ |
ପ୍ଲାଜ୍ମା ସ୍ପ୍ରେ କରିବା ପଦ୍ଧତି ମୁଖ୍ୟତ the ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ତରଳ କିମ୍ବା ଅର୍ଦ୍ଧ-ତରଳ କଞ୍ଚାମାଲ ସ୍ପ୍ରେ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ପ୍ଲାଜମା ବନ୍ଧୁକ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ, ଏବଂ ତାପରେ ଏକ ଆବରଣ ଗଠନ ପାଇଁ ଦୃ solid ଏବଂ ବନ୍ଧନ କରିଥାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ସରଳ ଏବଂ ଏକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଘନ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିପାରିବ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ |, କିନ୍ତୁସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ |ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ ପ୍ରାୟତ strong ଦୃ strong ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ପାଇଁ ଅତ୍ୟଧିକ ଦୁର୍ବଳ, ତେଣୁ ଆବରଣର ଗୁଣବତ୍ତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଏହା ସାଧାରଣତ Si SiC କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଆବରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାକୁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

ଜେଲ୍-ସୋଲ୍ ପଦ୍ଧତି |
ଜେଲ୍-ସୋଲ୍ ପଦ୍ଧତି ମୁଖ୍ୟତ the ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଆଚ୍ଛାଦନ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ସମାନ ଏବଂ ସ୍ୱଚ୍ଛ ସୋଲ୍ ସଲ୍ୟୁସନ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରେ, ଏହାକୁ ଏକ ଜେଲରେ ଶୁଖାଇଥାଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଏକ ଆବରଣ ପାଇବା ପାଇଁ ଏହାକୁ ସିନ୍ଟର୍ କରେ | ଏହି ପଦ୍ଧତି କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ ସରଳ ଏବଂ ଏହାର କମ୍ ମୂଲ୍ୟ ଅଛି, କିନ୍ତୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ ଆବରଣର ଅସୁବିଧା ଅଛି ଯେପରିକି କମ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ସହଜ କ୍ରାକିଂ, ଏବଂ ଏହାକୁ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ |

ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପଦ୍ଧତି (CVR)
CVR ମୁଖ୍ୟତ Si ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ Si ଏବଂ SiO2 ପାଉଡର ବ୍ୟବହାର କରି SiO ବାଷ୍ପ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଏବଂ Si ପଦାର୍ଥ ଆବରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ C ପଦାର୍ଥ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଅନେକ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଘଟିଥାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ SiC ଆବରଣ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ଦୃ ly ଭାବରେ ବନ୍ଧା ହୋଇଛି, କିନ୍ତୁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ତାପମାତ୍ରା ଅଧିକ ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ମଧ୍ୟ ଅଧିକ |