SiC ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି 3 ରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରକ୍ରିୟା |

ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଯାଞ୍ଚ
Theସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC)ବିହନ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ବର୍ଣ୍ଣିତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା ଏବଂ SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ମାଧ୍ୟମରେ ବ valid ଧ ହୋଇଥିଲା | ବ୍ୟବହୃତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ଲାଟଫର୍ମ ହେଉଛି ଏକ ଆତ୍ମ-ବିକଶିତ SiC ଇନଡକ୍ସନ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚୁଲା ଯାହାକି 2200 of ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା, 200 ପା ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚାପ ଏବଂ 100 ଘଣ୍ଟାର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସମୟ |

ପ୍ରସ୍ତୁତି ଜଡିତ a6-ଇଞ୍ଚ୍ ସିସି ୱେଫର୍ |ଉଭୟ କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଚେହେରା ସହିତ ପଲିସ୍ ହୋଇଛି, aୱେଫର୍≤10 µm ର ଘନତା ସମାନତା, ଏବଂ ଏକ ସିଲିକନ୍ ମୁଖର ରୁଗ୍ ≤0.3 nm | ଏକ 200 ମିଲିମିଟର ବ୍ୟାସ, 500 µm ମୋଟା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କାଗଜ, ଗ୍ଲୁ, ମଦ୍ୟପାନ ଏବଂ ଲିନଟମୁକ୍ତ କପଡା ମଧ୍ୟ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଥିଲା |

TheSiC ୱାଫର୍ |1500 r / ମିନିଟରେ 15 ସେକେଣ୍ଡ ପାଇଁ ବନ୍ଧନ ପୃଷ୍ଠରେ ଆଡେସିଭ୍ ସହିତ ସ୍ପିନ୍-ଆବୃତ ହୋଇଥିଲା |

ର ବନ୍ଧନ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଆଡେସିଭ୍ |SiC ୱାଫର୍ |ଏକ ଗରମ ଥାଳିରେ ଶୁଖାଯାଇଥିଲା |

ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କାଗଜ ଏବଂSiC ୱାଫର୍ |(ତଳ ଆଡକୁ ମୁହାଁଇଥିବା ବନ୍ଧନ ପୃଷ୍ଠ) ତଳରୁ ଉପର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଷ୍ଟାକ୍ ହୋଇ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଗରମ ପ୍ରେସ୍ ଚୁଲାରେ ରଖାଗଲା | ପୂର୍ବ ନିର୍ଦ୍ଧାରିତ ହଟ ପ୍ରେସ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନୁଯାୟୀ ହଟ ପ୍ରେସ୍ କରାଯାଇଥିଲା | ଚିତ୍ର 6 ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଦର୍ଶାଏ | ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ ପୃଷ୍ଠଟି କ de ଣସି ବିଘ୍ନର ଲକ୍ଷଣ ବିନା ଚିକ୍କଣ ଅଟେ, ସୂଚାଇଥାଏ ଯେ ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ ପ୍ରସ୍ତୁତ SiC ବିହନ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ଭଲ ଗୁଣ ଏବଂ ଏକ ଘନ ବନ୍ଧନ ସ୍ତର ଅଛି |

ସିଦ୍ଧାନ୍ତ
ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫିକ୍ସିଂ ପାଇଁ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବନ୍ଧନ ଏବଂ ing ୁଲୁଥିବା ପଦ୍ଧତିକୁ ବିଚାରକୁ ନେଇ ଏକ ମିଳିତ ବନ୍ଧନ ଏବଂ ing ୁଲିବା ପଦ୍ଧତି ପ୍ରସ୍ତାବ ଦିଆଗଲା | ଏହି ଅଧ୍ୟୟନ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ପ୍ରସ୍ତୁତି ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଇଥିଲା ଏବଂ |ୱେଫର୍/ ଏହି ପଦ୍ଧତି ପାଇଁ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କାଗଜ ବନ୍ଧନ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ନିମ୍ନଲିଖିତ ସିଦ୍ଧାନ୍ତକୁ ନେଇଥାଏ:

ୱେଫରରେ କାର୍ବନ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଆଡେସିଭ୍ ର ସାନ୍ଦ୍ରତା 100 mPa · s ହେବା ଉଚିତ, କାର୍ବନାଇଜେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା ≥600 with ସହିତ | ସର୍ବୋତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ବନାଇଜେସନ୍ ପରିବେଶ ହେଉଛି ଏକ ଆର୍ଗନ୍-ସୁରକ୍ଷିତ ପରିବେଶ | ଯଦି ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଅବସ୍ଥାରେ କରାଯାଏ, ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିଗ୍ରୀ ≤1 ପା ହେବା ଉଚିତ |

ଉଭୟ କାର୍ବନାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ବଣ୍ଡିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ କାର୍ବନାଇଜେସନ୍ ସମୟରେ ଗ୍ୟାସ୍ ବାହାର କରିବା ପାଇଁ କାର୍ବନାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ବନ୍ଧନ ଆଡେସିଭ୍ଗୁଡ଼ିକର ନିମ୍ନ-ତାପମାତ୍ରା ଆରୋଗ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ, କାର୍ବନାଇଜେସନ୍ ସମୟରେ ବନ୍ଧନ ସ୍ତରରେ ପିଲିଂ ଏବଂ ଶୂନ୍ୟ ତ୍ରୁଟିକୁ ରୋକାଯାଇଥାଏ |

ୱେଫର୍ / ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କାଗଜ ପାଇଁ ବଣ୍ଡିଂ ଆଡେସିଭ୍ 25 mPa · s ର ସାନ୍ଦ୍ରତା ରହିବା ଉଚିତ, ଏକ ବନ୍ଧନ ଚାପ ≥15 kN ସହିତ | ବନ୍ଧନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 1.5 ଘଣ୍ଟା ମଧ୍ୟରେ ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର (<120 ℃) ​​ରେ ଧୀରେ ଧୀରେ ବୃଦ୍ଧି କରାଯିବା ଉଚିତ | SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଯାଞ୍ଚ ନିଶ୍ଚିତ କରିଛି ଯେ ପ୍ରସ୍ତୁତ SiC ବିହନ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚମାନର SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ, ସୁଗମ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ପୃଷ୍ଠଗୁଡିକ ଏବଂ କ prec ଣସି ବର୍ଷା ହୋଇନଥାଏ |