1 ସମୀକ୍ଷା
ତାପ, ତାପଜ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା, ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ, ସାଧାରଣତ al ଆଲୁମିନିୟମର ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟଠାରୁ ଅଧିକ |
ଉତ୍ତାପ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ a ଏକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲାରେ କରାଯାଏ ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ତ୍ରୁଟି ମରାମତି ପାଇଁ ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାର ଏବଂ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଭଳି ପ୍ରମୁଖ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ଅକ୍ସିଡେସନ୍: ଏହା ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯେଉଁଥିରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ପାଇଁ ଅମ୍ଳଜାନ କିମ୍ବା ଜଳୀୟ ବାଷ୍ପ ପରି ଅମ୍ଳଜାନର ବାତାବରଣରେ ଏକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ରଖାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମ ସୃଷ୍ଟି କରିଥାଏ |
ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାର: ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ଅପରିଷ୍କାର ଉପାଦାନଗୁଡିକ ପରିଚିତ କରାଇବା ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥାରେ ତାପଜ ବିସ୍ତାର ନୀତିର ବ୍ୟବହାରକୁ ବୁ refers ାଏ, ଯାହା ଦ୍ it ାରା ଏହାର ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଏକାଗ୍ରତା ବଣ୍ଟନ ହୁଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ପଦାର୍ଥର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ବଦଳିଯାଏ |
ଆନିଲିଙ୍ଗ୍, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଲାଟାଇଟ୍ ତ୍ରୁଟିଗୁଡିକର ମରାମତି ପାଇଁ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଗରମ କରିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୁ .ାଏ |
ଅକ୍ସିଡେସନ୍ / ବିସ୍ତାର / ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପାଇଁ ତିନୋଟି ମ basic ଳିକ ପ୍ରକାରର ଉପକରଣ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ:
- ଭୂସମାନ୍ତର ଚୁଲା;
- ଭୂଲମ୍ବ ଚୁଲା;
- ଦ୍ରୁତ ଗରମ ଚୁଲା: ଦ୍ରୁତ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଉପକରଣ |
ପାରମ୍ପାରିକ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରକ୍ରିୟା ମୁଖ୍ୟତ long ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଚିକିତ୍ସା ବ୍ୟବହାର କରି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ୱାରା ହୋଇଥିବା କ୍ଷୟକୁ ଦୂର କରିଥାଏ, କିନ୍ତୁ ଏହାର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଅସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ତ୍ରୁଟି ଅପସାରଣ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋପିତ ଅପରିଷ୍କାରର କମ୍ ସକ୍ରିୟତା ଦକ୍ଷତା |
ଏଥିସହ, ଅଧିକ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ହେତୁ, ଅପରିଷ୍କାର ପୁନ istr ବଣ୍ଟନ ହେବାର ସମ୍ଭାବନା ଅଛି, ଯାହାଦ୍ୱାରା ବହୁ ପରିମାଣର ଅପରିଷ୍କାରତା ବିସ୍ତାର ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଅସ୍ଥାୟୀ ଜଙ୍କସନ୍ ଏବଂ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ଅପରିଷ୍କାର ବଣ୍ଟନ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବାରେ ବିଫଳ ହୁଏ |
ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ (ଆରଟିପି) ଯନ୍ତ୍ରପାତି ବ୍ୟବହାର କରି ଆୟନ-ପ୍ରତିରୋପିତ ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକର ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ହେଉଛି ଏକ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରଣାଳୀ ଯାହାକି ଖୁବ୍ କମ୍ ସମୟ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରାରେ (ସାଧାରଣତ 400 400-1300 ° C) ଗରମ କରେ |
ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଗରମ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତୁଳନାରେ ଏହାର କମ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ବଜେଟ୍, ଡୋପିଂ ଅଞ୍ଚଳରେ ଛୋଟ ଅପରିଷ୍କାର ଗତି, କମ୍ ପ୍ରଦୂଷଣ ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସମୟର ସୁବିଧା ଅଛି |
ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବିଭିନ୍ନ ଶକ୍ତି ଉତ୍ସ ବ୍ୟବହାର କରିପାରିବ, ଏବଂ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସମୟ ସୀମା ବହୁତ ପ୍ରଶସ୍ତ (100 ରୁ 10-9s, ଯେପରିକି ଲ୍ୟାମ୍ପ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍, ଲେଜର ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଇତ୍ୟାଦି) | ଅପରିଷ୍କାର ପୁନ istr ବଣ୍ଟନକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ଦମନ କରୁଥିବାବେଳେ ଏହା ଅପରିଷ୍କାରତାକୁ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ସକ୍ରିୟ କରିପାରିବ | ଏହା 200 ମିମିରୁ ଅଧିକ ୱେଫର୍ ବ୍ୟାସ ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଏଣ୍ଡ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଦ୍ୱିତୀୟ ଗରମ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
2.1 ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ଦୁଇଟି ପଦ୍ଧତି ଅଛି: ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଏବଂ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ |
ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଦ୍ sil ାରା ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ SiO2 ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସୂଚିତ କରେ | ଥର୍ମାଲ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଦ୍ formed ାରା ଗଠିତ SiO2 ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଏହାର ଉନ୍ନତ ବ electrical ଦୁତିକ ଇନସୁଲେସନ୍ ଗୁଣ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମ୍ଭାବ୍ୟତା ହେତୁ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଏହାର ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି:
- ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ସ୍କ୍ରାଚ୍ ଏବଂ ପ୍ରଦୂଷଣରୁ ରକ୍ଷା କରନ୍ତୁ;
- ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା ବାହକଗୁଡିକର କ୍ଷେତ୍ର ବିଚ୍ଛିନ୍ନତାକୁ ସୀମିତ କରିବା (ଭୂପୃଷ୍ଠ ପାସିଭେସନ୍);
- ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ କିମ୍ବା ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ସେଲ୍ ସଂରଚନାରେ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ;
- ଡୋପିଂରେ ପ୍ରତିରୋପଣ ମାସ୍କିଂ;
- ଧାତୁ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସ୍ତର ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ତର |
(1)ଉପକରଣ ସୁରକ୍ଷା ଏବଂ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା |
ଏକ ୱେଫର୍ (ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍) ପୃଷ୍ଠରେ ବ Si ିଥିବା SiO2 ସିଲିକନ୍ ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ପୃଥକ ଏବଂ ସୁରକ୍ଷା କରିବା ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସ୍ତର ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ |
କାରଣ SiO2 ଏକ କଠିନ ଏବଂ ଅଣ-ପୋରସ୍ (ଘନ) ପଦାର୍ଥ, ଏହାକୁ ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସକ୍ରିୟ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ପୃଥକ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ | ହାର୍ଡ SiO2 ସ୍ତର ସିଲିକନ୍ ୱେଫରକୁ ସ୍କ୍ରାଚ୍ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଘଟିଥିବା କ୍ଷତିରୁ ରକ୍ଷା କରିବ |
(୨)ଭୂପୃଷ୍ଠ ପାସିଭେସନ୍ |
ଭୂପୃଷ୍ଠ ପାସିଭେସନ୍ ଥର୍ମାଲି ବ grown ଼ିଥିବା SiO2 ର ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସୁବିଧା ହେଉଛି ଏହା ସିଲିକନ୍ ର ଭୂପୃଷ୍ଠ ସ୍ଥିତିର ଘନତାକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ, ଏହାର ପ୍ରଭାବକୁ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପାସିଭେସନ୍ କୁହାଯାଏ |
ଏହା ବ electrical ଦୁତିକ ଅବକ୍ଷୟକୁ ରୋକିଥାଏ ଏବଂ ଆର୍ଦ୍ରତା, ଆୟନ କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ବାହ୍ୟ ପ୍ରଦୂଷକ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହେଉଥିବା ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ ପାଇଁ ରାସ୍ତା ହ୍ରାସ କରିଥାଏ | ହାର୍ଡ SiO2 ସ୍ତର Si କୁ ସ୍କ୍ରାଚରୁ ରକ୍ଷା କରିଥାଏ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଘଟିପାରେ |
Si ପୃଷ୍ଠରେ ବ grown ଼ିଥିବା SiO2 ସ୍ତର ବ surface ଦୁତିକ ସକ୍ରିୟ ପ୍ରଦୂଷକ (ମୋବାଇଲ୍ ଆୟନ ପ୍ରଦୂଷଣ) କୁ Si ପୃଷ୍ଠରେ ବାନ୍ଧିପାରେ | ଜଙ୍କସନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଏବଂ ସ୍ଥିର ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ବ growing ାଇବା ପାଇଁ ପାସିଭେସନ୍ ମଧ୍ୟ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ପାସିଭେସନ୍ ସ୍ତର ଭାବରେ, ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଗୁଣାତ୍ମକ ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି ଯେପରିକି ସମାନ ଘନତା, କ pin ଣସି ପିନ୍ହୋଲ୍ ଏବଂ ଭଏଡ୍ |
ଏକ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରକୁ ସି ଭୂପୃଷ୍ଠ ପାସିଭେସନ୍ ସ୍ତର ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବାର ଅନ୍ୟ ଏକ କାରଣ ହେଉଛି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଘନତା | ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଚାର୍ଜ ଜମା ହେତୁ ଧାତୁ ସ୍ତରକୁ ଚାର୍ଜ ନହେବା ପାଇଁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଯଥେଷ୍ଟ ମୋଟା ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହା ସାଧାରଣ କ୍ୟାପେସିଟରର ଚାର୍ଜ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଏବଂ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ ସମାନ |
SiO2 ରେ ମଧ୍ୟ ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାରର ସମାନ ସମାନ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଅଛି | ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ବିସ୍ତାର ହୁଏ ଏବଂ ଥଣ୍ଡା ସମୟରେ ଚୁକ୍ତି ହୁଏ |
SiO2 Si ର ଅତି ନିକଟତର ହାରରେ ବିସ୍ତାର କରେ କିମ୍ବା ଚୁକ୍ତି କରେ, ଯାହା ତାପଜ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ୱର୍ପିଙ୍ଗକୁ କମ୍ କରିଥାଏ | ଏହା ମଧ୍ୟ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଚାପ ଯୋଗୁଁ ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠରୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମର ପୃଥକତାକୁ ଏଡାଇଥାଏ |
(3)ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ |
MOS ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ଏବଂ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନ ପାଇଁ, ଏକ ଅତ୍ୟଧିକ ପତଳା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ପଦାର୍ଥ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଯେହେତୁ ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଏବଂ ତଳେ ଥିବା ସି ଉଚ୍ଚ ଗୁଣ ଏବଂ ସ୍ଥିରତାର ଗୁଣ ଧାରଣ କରେ, ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ସାଧାରଣତ ther ତାପଜ ବୃଦ୍ଧି ଦ୍ୱାରା ପ୍ରାପ୍ତ ହୁଏ |
SiO2 ର ଉଚ୍ଚ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଶକ୍ତି (107V / m) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧକତା (ପ୍ରାୟ 1017Ω · ସେମି) ଅଛି |
MOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିଶ୍ୱସନୀୟତାର ଚାବି ହେଉଛି ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଅଖଣ୍ଡତା | MOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ ଗେଟ୍ ଗଠନ କରେଣ୍ଟ୍ର ପ୍ରବାହକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେ | କାରଣ ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉପରେ ଆଧାର କରି ମାଇକ୍ରୋଚିପ୍ସର କାର୍ଯ୍ୟ ପାଇଁ ଏହି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ହେଉଛି ଆଧାର,
ତେଣୁ, ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଘନତା ସମାନତା ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ଅନୁପସ୍ଥିତି ଏହାର ମ basic ଳିକ ଆବଶ୍ୟକତା | ଯେକ Any ଣସି ପ୍ରଦୂଷଣ ଯାହା ଗେଟ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସଂରଚନାର କାର୍ଯ୍ୟକୁ ଖରାପ କରିପାରେ ତାହା ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |
(4)ଡୋପିଂ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ |
ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠର ସିଲେକ୍ଟ ଡୋପିଂ ପାଇଁ SiO2 ଏକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ମାସ୍କିଂ ସ୍ତର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ | ଥରେ ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଗଠନ ହୋଇଗଲେ, ମାସ୍କର ସ୍ୱଚ୍ଛ ଅଂଶରେ ଥିବା SiO2 ଏକ ୱିଣ୍ଡୋ ଗଠନ ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହୁଏ ଯାହା ମାଧ୍ୟମରେ ଡୋପିଂ ସାମଗ୍ରୀ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ରେ ପ୍ରବେଶ କରିପାରିବ |
ଯେଉଁଠାରେ କ windows ଣସି ୱିଣ୍ଡୋ ନାହିଁ, ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ସୁରକ୍ଷା ଦେଇପାରେ ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାରତାକୁ ବିସ୍ତାରରୁ ରୋକିପାରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ମନୋନୀତ ଅପରିଷ୍କାର ପ୍ରତିରୋପଣ ସକ୍ଷମ ହୋଇଥାଏ |
Si ତୁଳନାରେ ଡୋପାଣ୍ଟଗୁଡିକ ଧୀରେ ଧୀରେ SiO2 ରେ ଗତି କରନ୍ତି, ତେଣୁ ଡୋପାଣ୍ଟଗୁଡିକୁ ଅବରୋଧ କରିବା ପାଇଁ କେବଳ ଏକ ପତଳା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ (ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ ଏହି ହାର ତାପମାତ୍ରା ଉପରେ ନିର୍ଭରଶୀଳ) |
ଏକ ପତଳା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର (ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, 150 Å ମୋଟା) ମଧ୍ୟ ସେହି ଅଞ୍ଚଳରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ ଯେଉଁଠାରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ, ଯାହା ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠର କ୍ଷତି କମ୍ କରିବାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ |
ଏହା ମଧ୍ୟ ଚ୍ୟାନେଲିଂ ପ୍ରଭାବକୁ ହ୍ରାସ କରି ଅପରିଷ୍କାର ପ୍ରତିରୋପଣ ସମୟରେ ଜଙ୍କସନ ଗଭୀରତାକୁ ଭଲ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ | ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ, ସିଲିକନ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ପୁନର୍ବାର ସମତଳ କରିବା ପାଇଁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ସହିତ ଚୟନକରି ବାହାର କରାଯାଇପାରିବ |
(5)ଧାତୁ ସ୍ତର ମଧ୍ୟରେ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ତର |
SiO2 ସାଧାରଣ ଅବସ୍ଥାରେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପରିଚାଳନା କରେ ନାହିଁ, ତେଣୁ ଏହା ମାଇକ୍ରୋଚିପ୍ସରେ ଧାତୁ ସ୍ତର ମଧ୍ୟରେ ଏକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଇନସୁଲେଟର | SiO2 ଉପର ଧାତୁ ସ୍ତର ଏବଂ ନିମ୍ନ ଧାତୁ ସ୍ତର ମଧ୍ୟରେ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍କୁ ରୋକିପାରେ, ଯେପରି ତାରରେ ଥିବା ଇନସୁଲେଟର ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍କୁ ରୋକିପାରେ |
ଅକ୍ସାଇଡ୍ ପାଇଁ ଗୁଣାତ୍ମକ ଆବଶ୍ୟକତା ହେଉଛି ଏହା ପିନ୍ହୋଲ୍ ଏବଂ ଭଏଡ୍ ମୁକ୍ତ | ଅଧିକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ତରଳତା ପାଇବା ପାଇଁ ଏହା ପ୍ରାୟତ d ଡୋପ୍ କରାଯାଏ, ଯାହା ପ୍ରଦୂଷଣ ବିସ୍ତାରକୁ ଭଲ ଭାବରେ କମ୍ କରିପାରେ | ଏହା ସାଧାରଣତ therm ତାପଜ ବୃଦ୍ଧି ପରିବର୍ତ୍ତେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରାପ୍ତ ହୁଏ |
ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ into ବିଭକ୍ତ ହୋଇଥାଏ:
- ଶୁଖିଲା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍: Si + O2 → SiO2;
- ଓଦା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍: 2H2O (ଜଳୀୟ ବାଷ୍ପ) + Si → SiO2 + 2H2;
- କ୍ଲୋରାଇନ୍-ଡୋପଡ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍: ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ କ୍ଲୋରାଇଡ୍ (HCl), ଡିକ୍ଲୋରୋଥାଇଲନ୍ DCE (C2H2Cl2) କିମ୍ବା ଏହାର ଉତ୍ପାଦକ ପରି କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଗ୍ୟାସ୍, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ହାର ଏବଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ ଅମ୍ଳଜାନରେ ମିଶାଯାଏ |
(1)ଶୁଖିଲା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |: ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସରେ ଥିବା ଅମ୍ଳଜାନ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ପୂର୍ବରୁ ଗଠିତ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ମାଧ୍ୟମରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ, SiO2 ଏବଂ Si ମଧ୍ୟରେ ଇଣ୍ଟରଫେସରେ ପହଞ୍ଚେ, Si ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ, ଏବଂ ତାପରେ ଏକ SiO2 ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରେ |
ଶୁଖିଲା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ SiO2 ର ଏକ ଘନ ଗଠନ, ସମାନ ଘନତା, ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ଏବଂ ବିସ୍ତାର ପାଇଁ ଦୃ strong ମାସ୍କିଂ କ୍ଷମତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପୁନରାବୃତ୍ତି | ଏହାର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର ଧୀର ଅଟେ |
ଏହି ପଦ୍ଧତି ସାଧାରଣତ high ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେପରିକି ଗେଟ୍ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ପତଳା ବଫର୍ ଲେୟାର ଅକ୍ସିଡେସନ୍, କିମ୍ବା ମୋଟା ବଫର୍ ସ୍ତର ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ସମୟରେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଆରମ୍ଭ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ବନ୍ଦ କରିବା ପାଇଁ |
(୨)ଓଦା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |: ଜଳ ବାଷ୍ପକୁ ଅମ୍ଳଜାନରେ ସିଧାସଳଖ ପରିବହନ କରାଯାଇପାରେ, କିମ୍ବା ହାଇଡ୍ରୋଜେନ ଏବଂ ଅମ୍ଳଜାନର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଏହା ମିଳିପାରିବ | ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ କିମ୍ବା ଜଳୀୟ ବାଷ୍ପର ଆଂଶିକ ଚାପ ଅନୁପାତକୁ ଅମ୍ଳଜାନ ସହିତ ସଜାଡି ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ହାର ପରିବର୍ତ୍ତନ କରାଯାଇପାରେ |
ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ ନିରାପତ୍ତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ, ହାଇଡ୍ରୋଜେନର ଅମ୍ଳଜାନ ସହିତ ଅନୁପାତ 1.88: 1 ରୁ ଅଧିକ ହେବା ଉଚିତ ନୁହେଁ | ଓଦା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସରେ ଉଭୟ ଅମ୍ଳଜାନ ଏବଂ ଜଳୀୟ ବାଷ୍ପର ଉପସ୍ଥିତି ହେତୁ ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ଜଳୀୟ ବାଷ୍ପ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (HO) ରେ କ୍ଷୟ ହୋଇଯାଏ |
ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡରେ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ର ବିସ୍ତାର ହାର ଅମ୍ଳଜାନ ତୁଳନାରେ ବହୁତ ଦ୍ରୁତ ଅଟେ, ତେଣୁ ଓଦା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ହାର ଶୁଖିଲା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ ହାରଠାରୁ ଅଧିକ |
(3)କ୍ଲୋରାଇନ୍-ଡୋପଡ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |: ପାରମ୍ପାରିକ ଶୁଖିଲା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଏବଂ ଓଦା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ବ୍ୟତୀତ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଗ୍ୟାସ୍, ଯେପରିକି ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ କ୍ଲୋରାଇଡ୍ (HCl), ଡିକ୍ଲୋରୋଥାଇଲନ୍ DCE (C2H2Cl2) କିମ୍ବା ଏହାର ଉତ୍ପାଦକ, ଅମ୍ଳଜାନରେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ହାର ଏବଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଗୁଣବତ୍ତା ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇପାରିବ | ।
ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ହାର ବୃଦ୍ଧି ହେବାର ମୁଖ୍ୟ କାରଣ ହେଉଛି ଯେତେବେଳେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପାଇଁ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଯୋଗ କରାଯାଏ, କେବଳ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଜଳୀୟ ବାଷ୍ପ ରହିଥାଏ ଯାହା ଅକ୍ସିଡେସନକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ, ବରଂ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ମଧ୍ୟ Si ଏବଂ SiO2 ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ନିକଟରେ ଜମା ହୋଇଯାଏ | ଅମ୍ଳଜାନର ଉପସ୍ଥିତିରେ, କ୍ଲୋରୋସିଲିକନ୍ ଯ ounds ଗିକଗୁଡିକ ସହଜରେ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡରେ ପରିଣତ ହୁଏ, ଯାହା ଅକ୍ସିଡେସନକୁ ଅନୁକରଣ କରିପାରିବ |
ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଗୁଣବତ୍ତାର ଉନ୍ନତିର ମୁଖ୍ୟ କାରଣ ହେଉଛି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରରେ ଥିବା କ୍ଲୋରାଇନ୍ ପରମାଣୁ ସୋଡିୟମ୍ ଆୟନର କାର୍ଯ୍ୟକଳାପକୁ ଶୁଦ୍ଧ କରିପାରେ, ଯାହା ଦ୍ equipment ାରା ଉପକରଣର ସୋଡିୟମ୍ ଆୟନ ପ୍ରଦୂଷଣ ଦ୍ introduced ାରା ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ତ୍ରୁଟି କମିଯାଏ ଏବଂ କଞ୍ଚାମାଲ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ହୁଏ | ତେଣୁ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଡୋପିଂ ଅଧିକାଂଶ ଶୁଖିଲା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଜଡିତ |
2.2 ବିଭାଜନ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ପାରମ୍ପାରିକ ବିସ୍ତାର ସୂଚାଇଥାଏ ଯେ ପଦାର୍ଥଗୁଡିକ ଅଧିକ ଏକାଗ୍ରତା ସ୍ଥାନରୁ ନିମ୍ନ ଏକାଗ୍ରତା ସ୍ଥାନକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ ହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସମାନ ଭାବରେ ବଣ୍ଟନ ନହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ | ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଫିକ୍ ନିୟମ ଅନୁସରଣ କରେ | ଦୁଇ କିମ୍ବା ଅଧିକ ପଦାର୍ଥ ମଧ୍ୟରେ ବିଭେଦ ହୋଇପାରେ, ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ କ୍ଷେତ୍ର ମଧ୍ୟରେ ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ପାର୍ଥକ୍ୟ ପଦାର୍ଥର ବଣ୍ଟନକୁ ଏକ ସମାନ୍ତରାଳ ଅବସ୍ଥାରେ ପହଞ୍ଚାଇଥାଏ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଗୁଣ ହେଉଛି ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର କିମ୍ବା ଡୋପାଣ୍ଟର ଏକାଗ୍ରତା ଯୋଗକରି ସେମାନଙ୍କର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଆଡଜଷ୍ଟ ହୋଇପାରିବ | ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ, ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ d ଡୋପିଂ କିମ୍ବା ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ହାସଲ ହୁଏ |
ଡିଜାଇନ୍ ଲକ୍ଷ୍ୟ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯେପରିକି ସିଲିକନ୍, ଜର୍ମାନିୟମ୍ କିମ୍ବା III-V ଯ ounds ଗିକ ଦୁଇଟି ଭିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗୁଣ, N- ପ୍ରକାର କିମ୍ବା P- ପ୍ରକାର, ଦାତା ଅଶୁଦ୍ଧତା କିମ୍ବା ଗ୍ରହଣକାରୀ ଅପରିଷ୍କାରତା ସହିତ ଡୋପିଂ କରିପାରିବେ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଡୋପିଂ ମୁଖ୍ୟତ two ଦୁଇଟି ପଦ୍ଧତି ମାଧ୍ୟମରେ କରାଯାଏ: ବିସ୍ତାର କିମ୍ବା ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ, ପ୍ରତ୍ୟେକର ନିଜସ୍ୱ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ:
ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଡୋପିଂ କମ୍ ବ୍ୟୟବହୁଳ, କିନ୍ତୁ ଡୋପିଂ ପଦାର୍ଥର ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଗଭୀରତାକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ;
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ମହଙ୍ଗା ହୋଇଥିବାବେଳେ ଏହା ଡୋପାଣ୍ଟ ଏକାଗ୍ରତା ପ୍ରୋଫାଇଲଗୁଡିକର ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
୧ ss ୦ ଦଶକ ପୂର୍ବରୁ, ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଗ୍ରାଫିକ୍ସର ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଆକାର 10μm କ୍ରମରେ ଥିଲା ଏବଂ ପାରମ୍ପାରିକ ଥର୍ମାଲ୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସାଧାରଣତ d ଡୋପିଂ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିଲା |
ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ମୁଖ୍ୟତ sem ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ବିଭିନ୍ନ ପଦାର୍ଥକୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀରେ ବିସ୍ତାର କରି ସେମାନଙ୍କର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଭ physical ତିକ ଗୁଣ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରାଯାଇପାରିବ |
ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ତ୍ରିକୋଣୀୟ ଉପାଦାନ ବୋରନକୁ ସିଲିକନରେ ବିସ୍ତାର କରି ଏକ ପି-ପ୍ରକାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ; ପେଣ୍ଟାଭାଲାଣ୍ଟ ଉପାଦାନଗୁଡିକ ଫସଫରସ୍ କିମ୍ବା ଆର୍ସେନିକ୍ ଦ୍ୱାରା ଡୋପିଂ କରି ଏକ N ପ୍ରକାରର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ଯେତେବେଳେ ଅଧିକ ଛିଦ୍ର ଥିବା P- ପ୍ରକାରର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସହିତ N- ପ୍ରକାରର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସହିତ ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସେ, ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ |
ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟର ଆକାର ହ୍ରାସ ହେବା ସହିତ, ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଡୋପାଣ୍ଟମାନଙ୍କ ପାଇଁ ield ାଲ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରର ଅନ୍ୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ବିସ୍ତାର ହେବା ସମ୍ଭବ କରିଥାଏ, ଯାହା ନିକଟବର୍ତ୍ତୀ ଅଞ୍ଚଳ ମଧ୍ୟରେ ସର୍ଟ ସୃଷ୍ଟି କରିଥାଏ |
କିଛି ବିଶେଷ ବ୍ୟବହାର ବ୍ୟତୀତ (ଯେପରିକି ସମାନ ଭାବରେ ବଣ୍ଟିତ ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ କ୍ଷେତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ବିସ୍ତାର), ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଧୀରେ ଧୀରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ୱାରା ସ୍ଥାନିତ ହୋଇଛି |
ଅବଶ୍ୟ, 10nm ତଳେ ଥିବା ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉତ୍ପାଦନରେ, ଯେହେତୁ ତିନି-ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ଫିନ୍ ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (ଫିନଫେଟ୍) ଡିଭାଇସରେ ଫିନର ଆକାର ବହୁତ ଛୋଟ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଏହାର କ୍ଷୁଦ୍ର ଗଠନକୁ ନଷ୍ଟ କରିବ | କଠିନ ଉତ୍ସ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟାର ବ୍ୟବହାର ଏହି ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରିପାରେ |
3.3 ଅବନତି ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ କୁ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସମୟ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ରଖିବା |
ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ସମୟ | ତାପମାତ୍ରା ଯେତେ ଅଧିକ ଏବଂ ସମୟ ଅଧିକ, ତାପଜ ବଜେଟ୍ ସେତେ ଅଧିକ |
ପ୍ରକୃତ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଥର୍ମାଲ୍ ବଜେଟ୍ କଠୋର ନିୟନ୍ତ୍ରିତ | ଯଦି ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରବାହରେ ଏକାଧିକ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅଛି, ତାପଜ ବଜେଟ୍ ଏକାଧିକ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସାର ସୁପରପୋଜିସନ୍ ଭାବରେ ପ୍ରକାଶ କରାଯାଇପାରେ |
ଅବଶ୍ୟ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ନୋଡଗୁଡିକର କ୍ଷୁଦ୍ରକରଣ ସହିତ, ସମଗ୍ର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅନୁମତି ପ୍ରାପ୍ତ ତାପଜ ବଜେଟ୍ ଛୋଟ ଏବଂ ଛୋଟ ହୋଇଯାଏ, ଅର୍ଥାତ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ତାପଜ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ତାପମାତ୍ରା କମ୍ ହୋଇଯାଏ ଏବଂ ସମୟ ଛୋଟ ହୋଇଯାଏ |
ସାଧାରଣତ ,, ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ, ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଜମା, ଧାତୁ ସିଲାଇସିଡ୍ ଗଠନ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ ମିଳିତ ହୋଇଥାଏ | ସବୁଠାରୁ ସାଧାରଣ ହେଉଛି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ |
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପରମାଣୁ ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇବ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ମୂଳ ଲାଟାଇସ୍ ଗଠନରୁ ଦୂରେଇ ଯିବ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଲାଟାଇସ୍ କୁ କ୍ଷତି ପହଞ୍ଚାଇବ | ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଲାଟାଇସ୍ କ୍ଷୟକୁ ମରାମତି କରିପାରିବ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋପିତ ଅପରିଷ୍କାର ପରମାଣୁକୁ ଲାଟାଇସ୍ ଫାଙ୍କରୁ ଲାଟାଇଟ୍ ସାଇଟକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତର କରିପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ them ାରା ସେଗୁଡିକ ସକ୍ରିୟ ହୋଇପାରିବ |
ଲାଟାଇସ୍ କ୍ଷତି ମରାମତି ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 500 ° C, ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ସକ୍ରିୟତା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 950 ° C | ସିଦ୍ଧାନ୍ତରେ, ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସମୟ ଯେତେ ଅଧିକ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ଅଧିକ, ଅପରିଷ୍କାରର ସକ୍ରିୟତା ହାର ଅଧିକ, କିନ୍ତୁ ଅତ୍ୟଧିକ ଥର୍ମାଲ୍ ବଜେଟ୍ ଅପରିଷ୍କାରର ଅତ୍ୟଧିକ ବିସ୍ତାର ଘଟାଇବ, ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଅନିୟନ୍ତ୍ରିତ କରିବ ଏବଂ ଶେଷରେ ଉପକରଣ ଏବଂ ସର୍କିଟ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ଅବକ୍ଷୟ ଘଟାଇବ |
ତେଣୁ, ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିକାଶ ସହିତ ପାରମ୍ପାରିକ ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ (RTA) ଦ୍ୱାରା ସ୍ଥାନିତ ହୋଇଛି |
ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, କିଛି ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର କିଛି ଶାରୀରିକ କିମ୍ବା ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ ଜମା ହେବା ପରେ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅତିକ୍ରମ କରିବାକୁ ପଡିବ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଏକ ଖାଲି ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଘନ ହୋଇଯାଏ, ଏହାର ଶୁଖିଲା କିମ୍ବା ଓଦା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ହାର ପରିବର୍ତ୍ତନ କରେ |
ଧାତୁ ସିଲାଇସିଡ୍ ଗଠନ ସମୟରେ ଅନ୍ୟ ଏକ ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହୃତ ଆନ୍ନାଲିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହୁଏ | ଧାତୁ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଯେପରିକି କୋବାଲ୍ଟ, ନିକେଲ୍, ଟାଇଟାନିୟମ୍ ଇତ୍ୟାଦି ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସ୍ପଟର୍ ହୋଇଯାଏ ଏବଂ ଅପେକ୍ଷାକୃତ କମ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପରେ ଧାତୁ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଏକ ମିଶ୍ରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ |
କେତେକ ଧାତୁ ବିଭିନ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥାରେ ବିଭିନ୍ନ ମିଶ୍ରିତ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଗଠନ କରନ୍ତି | ସାଧାରଣତ ,, ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ନିମ୍ନ ଯୋଗାଯୋଗ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଶରୀରର ପ୍ରତିରୋଧ ସହିତ ଏକ ମିଶ୍ରିତ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଗଠନ କରିବାକୁ ଆଶା କରାଯାଏ |
ବିଭିନ୍ନ ଥର୍ମାଲ୍ ବଜେଟ୍ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ, ଆନ୍ନାଲିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି |
- ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ |:
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା, ଦୀର୍ଘ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସମୟ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ବଜେଟ୍ ସହିତ ଏହା ଏକ ପାରମ୍ପାରିକ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପଦ୍ଧତି |
କିଛି ବିଶେଷ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଯେପରିକି SOI ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ ଗଭୀର କୂଅ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଅମ୍ଳଜାନ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା, ଏହା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହିପରି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ a ଏକ ଉପଯୁକ୍ତ ଲାଟାଇସ୍ କିମ୍ବା ସମାନ ଅପରିଷ୍କାର ବଣ୍ଟନ ପାଇବା ପାଇଁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ବଜେଟ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
- ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ |:
ଏହା ଅତ୍ୟଧିକ ଦ୍ରୁତ ଗରମ / ଥଣ୍ଡା ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟ ତାପମାତ୍ରାରେ ସ୍ୱଳ୍ପ ବାସସ୍ଥାନ ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଏହାକୁ ବେଳେବେଳେ ରାପିଡ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ (RTP) ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |
ଅଲ୍ଟ୍ରା-ଅସ୍ଥାୟୀ ଜଙ୍କସନ୍ ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଲାଟାଇଟ୍ ତ୍ରୁଟି ମରାମତି, ଅପରିଷ୍କାର ସକ୍ରିୟତା, ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାରର ସର୍ବନିମ୍ନତା ମଧ୍ୟରେ ଆପୋଷ ବୁ optim ାମଣା ହାସଲ କରେ ଏବଂ ଉନ୍ନତ ଜ୍ଞାନକ technology ଶଳ ନୋଡଗୁଡିକର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅପରିହାର୍ଯ୍ୟ |
ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି / ପତନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟ ତାପମାତ୍ରାରେ ସ୍ୱଳ୍ପ ରହିବା ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗର ତାପଜ ବଜେଟ୍ ଗଠନ କରେ |
ପାରମ୍ପାରିକ ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗର ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 1000 ° C ରହିଥାଏ ଏବଂ ସେକେଣ୍ଡ ଲାଗେ | ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବର୍ଷଗୁଡିକରେ, ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକତା ଅଧିକ କଠୋର ହେବାରେ ଲାଗିଛି, ଏବଂ ଫ୍ଲାସ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍, ସ୍ପାଇକ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍, ଏବଂ ଲେଜର ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ବିକଶିତ ହୋଇଛି, ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସମୟ ମିଲିସେକେଣ୍ଡରେ ପହ reaching ୍ଚିଛି, ଏବଂ ଏପରିକି ମାଇକ୍ରୋସେକେଣ୍ଡ୍ ଏବଂ ସବ୍-ମାଇକ୍ରୋ ସେକେଣ୍ଡ୍ ପ୍ରତି ବିକାଶ ହେବାକୁ ଯାଉଛି |
3 ତିନୋଟି ଗରମ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣ |
3.1 ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଉପକରଣ |
ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା (ସାଧାରଣତ 900 900-1200 ℃) ଅବସ୍ଥାରେ ତାପଜ ବିସ୍ତାରର ନୀତି ବ୍ୟବହାର କରେ ଯାହା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଏକାଗ୍ରତା ବଣ୍ଟନ ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଗଭୀରତାରେ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ଅପରିଷ୍କାର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ, ଏହାର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ | ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଗଠନ |
ସିଲିକନ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ, ପିଏନ୍ ଜଙ୍କସନ୍ କିମ୍ବା ଉପାଦାନ ଯେପରିକି ରେଜିଷ୍ଟର, କ୍ୟାପେସିଟର, ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ତାର, ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ତିଆରି ପାଇଁ ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତାର ବଣ୍ଟନକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାରେ ଅସମର୍ଥତା ହେତୁ, 200 ମିଲିମିଟର ଏବଂ ତଦୁର୍ଦ୍ଧ୍ୱର ୱେଫର୍ ବ୍ୟାସ ବିଶିଷ୍ଟ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଡୋପିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଧୀରେ ଧୀରେ ବଦଳାଗଲା, କିନ୍ତୁ ଅଳ୍ପ ପରିମାଣରେ ଭାରୀରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଡୋପିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ପାରମ୍ପାରିକ ବିସ୍ତାର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତ hor ଭୂସମାନ୍ତର ବିସ୍ତାର ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍, ଏବଂ ସେଠାରେ ଅଳ୍ପ ସଂଖ୍ୟକ ଭୂଲମ୍ବ ବିସ୍ତାର ଚୁଲା ମଧ୍ୟ ଅଛି |
ଭୂସମାନ୍ତର ବିସ୍ତାର ଚୁଲା |:
ଏହା ଏକ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଉପକରଣ ଯାହାକି ୱେଫର୍ ବ୍ୟାସ 200 ମିମିରୁ କମ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହାର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ହେଉଛି ଯେ ଗରମ ଚୁଲା ଶରୀର, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଟ୍ୟୁବ୍ ଏବଂ ୱାଫର୍ ବହନ କରୁଥିବା କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଡଙ୍ଗା ସବୁ ଭୂସମାନ୍ତର ଭାବରେ ରଖାଯାଇଛି, ତେଣୁ ଏଥିରେ ୱାଫର୍ ମଧ୍ୟରେ ଭଲ ସମାନତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି |
ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନରେ ଏହା କେବଳ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ୍ ଉପକରଣ ନୁହେଁ, ବରଂ ବିସ୍ତାର ଉପକରଣ, ପାୱାର୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ, ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଫାଇବର ଭଳି ଶିଳ୍ପରେ ବିସ୍ତାର, ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍, ଆଲୋଇଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ।
ଭୂଲମ୍ବ ବିସ୍ତାର ଚୁଲା |:
ସାଧାରଣତ 200 200 ମିମି ଏବଂ 300 ମିମି ବ୍ୟାସ ବିଶିଷ୍ଟ ୱାଫର୍ ପାଇଁ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ଏକ ବ୍ୟାଚ୍ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଉପକରଣକୁ ବୁ refers ାଏ, ଯାହା ସାଧାରଣତ a ଏକ ଭୂଲମ୍ବ ଚୁଲା ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା |
ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ଗଠନମୂଳକ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ହେଉଛି ଯେ ଗରମ ଚୁଲା ଶରୀର, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଟ୍ୟୁବ୍ ଏବଂ ୱେଫର୍ ବହନ କରୁଥିବା କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଡଙ୍ଗା ସବୁ ଭୂଲମ୍ବ ଭାବରେ ରଖାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ୱେଫର୍ ଭୂସମାନ୍ତର ଭାବରେ ରଖାଯାଇଥାଏ | ଏଥିରେ ୱେଫର୍, ଉଚ୍ଚ ଡିଗ୍ରୀ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଏବଂ ସ୍ଥିର ସିଷ୍ଟମ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ମଧ୍ୟରେ ଭଲ ସମାନତାର ଗୁଣ ରହିଛି, ଯାହା ବୃହତ-ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ |
ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନର ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉପକରଣ ଏବଂ ଏହା ସାଧାରଣତ power ପାୱାର୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ (IGBT) ଇତ୍ୟାଦି ସମ୍ବନ୍ଧୀୟ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଯଥା ଶୁଖିଲା ଅମ୍ଳଜାନ ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍-ଅମ୍ଳଜାନ ସିନ୍ଥେସିସ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସିନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍, ପଲିସିଲିକନ୍, ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (Si3N4) ଏବଂ ପରମାଣୁ ସ୍ତର ଜମା ଭଳି ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ |
ଏହା ସାଧାରଣତ high ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍, ତମ୍ବା ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ଆଲୋଇଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦୃଷ୍ଟିରୁ, ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ବେଳେବେଳେ ଭାରୀ ଡୋପିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
3.2 ଦ୍ରୁତ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଉପକରଣ |
ରାପିଡ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ (ଆରଟିପି) ଯନ୍ତ୍ରପାତି ହେଉଛି ଏକକ-ୱେଫର୍ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଉପକରଣ ଯାହା ୱେଫର୍ ର ତାପମାତ୍ରାକୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା (200-1300 ° C) ଆବଶ୍ୟକ ତାପମାତ୍ରାରେ ଶୀଘ୍ର ବ raise ାଇପାରେ ଏବଂ ଏହାକୁ ଶୀଘ୍ର ଥଣ୍ଡା କରିପାରେ | ଗରମ / ଥଣ୍ଡା ହାର ସାଧାରଣତ 20 20-250 ° C / s ଅଟେ |
ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଶକ୍ତି ଉତ୍ସ ଏବଂ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସମୟ ସହିତ, ଆରଟିପି ଉପକରଣରେ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପ୍ରକ୍ରିୟା କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଅଛି, ଯେପରିକି ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ବଜେଟ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ଉନ୍ନତ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସମାନତା (ବିଶେଷତ large ବଡ଼ ଆକାରର ୱାଫର୍ ପାଇଁ), ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ୱେଫର୍ କ୍ଷୟକ୍ଷତିର ମରାମତି, ଏବଂ ଏକାଧିକ ଚାମ୍ବର ଏକାସାଙ୍ଗରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପଦକ୍ଷେପ ଚଲାଇପାରେ |
ଏହା ସହିତ, ଆରଟିପି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ନମନୀୟ ଏବଂ ଶୀଘ୍ର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସକୁ ରୂପାନ୍ତର ଏବଂ ଆଡଜଷ୍ଟ କରିପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ heat ାରା ସମାନ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏକାଧିକ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମାପ୍ତ ହୋଇପାରିବ |
ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ (RTA) ରେ RTP ଉପକରଣ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ caused ାରା ହୋଇଥିବା କ୍ଷତିର ମରାମତି, ଡୋପେଡ୍ ପ୍ରୋଟନ୍ ସକ୍ରିୟ କରିବା ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାରକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବା ପାଇଁ ଆରଟିପି ଉପକରଣ ଆବଶ୍ୟକ |
ସାଧାରଣତ speaking କହିବାକୁ ଗଲେ, ଲାଟାଇଟ୍ ତ୍ରୁଟିର ମରାମତି ପାଇଁ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 500 ° C ଥିବାବେଳେ ଡୋପଡ୍ ପରମାଣୁ ସକ୍ରିୟ କରିବା ପାଇଁ 950 ° C ଆବଶ୍ୟକ | ଅପରିଷ୍କାର ସକ୍ରିୟତା ସମୟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଜଡିତ | ଅଧିକ ସମୟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ଯେତେ ଅଧିକ, ଅପରିଷ୍କାରତା ଅଧିକ ସକ୍ରିୟ ହୋଇଯାଏ, କିନ୍ତୁ ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାରକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବାରେ ଏହା ଅନୁକୂଳ ନୁହେଁ |
କାରଣ ଆରଟିପି ଉପକରଣରେ ଦ୍ରୁତ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି / ପତନ ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ଅବଧିର ଗୁଣ ରହିଛି, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ ଆନ୍ନାଲିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଲାଟାଇଟ୍ ତ୍ରୁଟି ମରାମତି, ଅପରିଷ୍କାର ସକ୍ରିୟତା ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାର ନିରୋଧ ମଧ୍ୟରେ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ପାରାମିଟର ଚୟନ ହାସଲ କରିପାରିବ |
RTA ମୁଖ୍ୟତ the ନିମ୍ନଲିଖିତ ଚାରୋଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ |:
(1)ସ୍ପାଇକ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ |
ଏହାର ବ istic ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଏହା ଦ୍ରୁତ ଗରମ / ଥଣ୍ଡା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଇଥାଏ, କିନ୍ତୁ ମୂଳତ no କ heat ଣସି ଉତ୍ତାପ ସଂରକ୍ଷଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ନାହିଁ | ସ୍ପାଇକ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ବିନ୍ଦୁରେ ଖୁବ୍ କମ୍ ସମୟ ରହିଥାଏ, ଏବଂ ଏହାର ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟ ହେଉଛି ଡୋପିଂ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ସକ୍ରିୟ କରିବା |
ପ୍ରକୃତ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ, ୱେଫର୍ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଥିର ଷ୍ଟାଣ୍ଡବାଇ ତାପମାତ୍ରା ବିନ୍ଦୁରୁ ଶୀଘ୍ର ଗରମ ହେବାକୁ ଲାଗେ ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା ପଏଣ୍ଟରେ ପହଞ୍ଚିବା ପରେ ତୁରନ୍ତ ଥଣ୍ଡା ହୋଇଯାଏ |
ଯେହେତୁ ଧାର୍ଯ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା ବିନ୍ଦୁରେ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ସମୟ (ଅର୍ଥାତ୍ ଶିଖର ତାପମାତ୍ରା ବିନ୍ଦୁ) ବହୁତ କମ୍, ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅପରିଷ୍କାର ସକ୍ରିୟତାର ଡିଗ୍ରୀକୁ ବ imize ାଇପାରେ ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାରର ଡିଗ୍ରୀକୁ କମ୍ କରିପାରେ, ଯେତେବେଳେ ଭଲ ତ୍ରୁଟି ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ମରାମତି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ରହିଥାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅଧିକ | ବନ୍ଧନ ଗୁଣ ଏବଂ ନିମ୍ନ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍ |
65nm ପରେ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ଅସ୍ଥାୟୀ ଜଙ୍କସନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସ୍ପାଇକ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସ୍ପାଇକ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ pe ଶିଖର ତାପମାତ୍ରା, ଶିଖିବା ସମୟ, ତାପମାତ୍ରା ଭିନ୍ନତା ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ ୱେଫର୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |
ଶିଖର ବାସସ୍ଥାନ ଯେତେ କମ୍, ସେତେ ଭଲ | ଏହା ମୁଖ୍ୟତ the ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଣାଳୀର ଉତ୍ତାପ / କୁଲିଂ ହାର ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ, କିନ୍ତୁ ମନୋନୀତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ବାତାବରଣ ମଧ୍ୟ ଏହା ଉପରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ |
ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ହିଲିୟମ୍ରେ ଏକ ଛୋଟ ପରମାଣୁ ପରିମାଣ ଏବଂ ଏକ ଦ୍ରୁତ ବିସ୍ତାର ହାର ଅଛି, ଯାହା ଦ୍ରୁତ ଏବଂ ସମାନ ଉତ୍ତାପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପାଇଁ ସହାୟକ ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ଶିଖର ମୋଟେଇ କିମ୍ବା ଶିଖିବା ସମୟକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ | ତେଣୁ, ଗରମ ଏବଂ ଥଣ୍ଡାକୁ ସାହାଯ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ ବେଳେବେଳେ ହିଲିୟମ୍ ଚୟନ କରାଯାଏ |
(୨)ଲ୍ୟାମ୍ପ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ |
ଲ୍ୟାମ୍ପ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ହାଲୋଜେନ୍ ଲ୍ୟାମ୍ପ ସାଧାରଣତ rapid ଦ୍ରୁତ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ସ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଉତ୍ତାପ / କୁଲିଂ ହାର ଏବଂ ସଠିକ୍ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ 65nm ରୁ ଅଧିକ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ |
ତଥାପି, ଏହା 45nm ପ୍ରକ୍ରିୟାର କଠୋର ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ପୂର୍ଣ୍ଣ ରୂପେ ପୂରଣ କରିପାରିବ ନାହିଁ (45nm ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ, ଯେତେବେଳେ ଲଜିକ୍ LSI ର ନିକେଲ୍-ସିଲିକନ୍ ଯୋଗାଯୋଗ ହୁଏ, ୱେଫର୍ ଶୀଘ୍ର 200 ° C ରୁ 1000 ° C ରୁ ଅଧିକ ଗରମ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ତେଣୁ ସାଧାରଣତ la ଲେଜର ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଆବଶ୍ୟକ) |
(3)ଲେଜର ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ |
ଲେଜର ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ହେଉଛି ସିଧାସଳଖ ଲେଜର ବ୍ୟବହାର କରିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟା, ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠର ତାପମାତ୍ରାକୁ ଶୀଘ୍ର ବ increase ାଇବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏହା ସିଲିକନ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ତରଳିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଯଥେଷ୍ଟ ନହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏହାକୁ ଅଧିକ ସକ୍ରିୟ କରିଥାଏ |
ଲେଜର ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଅତ୍ୟଧିକ ଦ୍ରୁତ ଗରମ ଏବଂ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ | ଏହା ଫିଲାମାଣ୍ଟ ଗରମ ଆବଶ୍ୟକ କରେ ନାହିଁ ଏବଂ ମୂଳତ temperature ତାପମାତ୍ରା ହ୍ରାସ ଏବଂ ଚିଲାଣ୍ଟ ଜୀବନ ସହିତ କ problems ଣସି ଅସୁବିଧା ନାହିଁ |
ତଥାପି, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଦୃଷ୍ଟିକୋଣରୁ, ଲେଜର ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗରେ ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ ଏବଂ ଅବଶିଷ୍ଟ ତ୍ରୁଟି ସମସ୍ୟା ରହିଛି, ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ ମଧ୍ୟ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରଭାବ ପକାଇବ |
(4)ଫ୍ଲାସ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ |
ଫ୍ଲାସ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ହେଉଛି ଏକ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଯାହା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରିହେଟ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ ୱାଫର୍ ଉପରେ ସ୍ପାଇକ୍ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ କରିବା ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ତୀବ୍ର ବିକିରଣ ବ୍ୟବହାର କରେ |
ୱେଫର୍ କୁ 600-800 ° C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଗରମ କରାଯାଏ, ଏବଂ ତାପରେ ସ୍ୱଳ୍ପ ସମୟର ପଲ୍ସ ବିକିରଣ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ତୀବ୍ର ବିକିରଣ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଯେତେବେଳେ ୱେଫରର ଶିଖର ତାପମାତ୍ରା ଆବଶ୍ୟକୀୟ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ ପହଞ୍ଚେ, ତୁରନ୍ତ ବିକିରଣ ବନ୍ଦ ହୋଇଯାଏ |
ଉନ୍ନତ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ RTP ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଆରଟିଆ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେବା ସହିତ, ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ନାଇଟ୍ରାଇଡେସନ୍, ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ବିସ୍ତାର, ଦ୍ରୁତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା, ଧାତୁ ସିଲାଇସିଡ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ମଧ୍ୟ ଆରଟିପି ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଆରମ୍ଭ କରିଛି |
————————————————————————————————————————————————— ——
ସେମିସେରା ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |,ନରମ / କଠିନ ଅନୁଭବ |,ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |,CVD ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶ |, ଏବଂSiC / TaC ଆବୃତ ଅଂଶଗୁଡିକ |30 ଦିନରେ ପୂର୍ଣ୍ଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ |
ଯଦି ଆପଣ ଉପରୋକ୍ତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଗ୍ରହୀ,ଦୟାକରି ପ୍ରଥମ ଥର ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ କୁଣ୍ଠାବୋଧ କରନ୍ତୁ ନାହିଁ |
ଟେଲ: + 86-13373889683
ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -27-2024 |