ଗୋଟିଏ ପରିଚୟ
ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଇଚ୍ କରିବା:
ଓଦା ଇଞ୍ଚିଂ;
ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ |
ପ୍ରାରମ୍ଭ ଦିନରେ, ଓଦା ଇଚିଂ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିଲା, କିନ୍ତୁ ରେଖା ଓସାର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ଏଚିଂ ଦିଗରେ ଏହାର ସୀମିତତା ହେତୁ, 3μm ପରେ ଅଧିକାଂଶ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଶୁଖିଲା ଇଚିଂ ବ୍ୟବହାର କରେ | ଓଦା ଇଞ୍ଚିଂ କେବଳ କିଛି ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପଦାର୍ଥ ସ୍ତର ଏବଂ ପରିଷ୍କାର ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶ ଅପସାରଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ଗ୍ୟାସୀୟ ରାସାୟନିକ ଇଚାଣ୍ଟ ବ୍ୟବହାର କରିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହାକି ୱେଫରରେ ଥିବା ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହେବା ପାଇଁ ପଦାର୍ଥର ଅଂଶକୁ ଦୂରେଇ ରଖିବା ଏବଂ ଅସ୍ଥିର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦ ଗଠନ କରିବା, ଯାହା ପରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରୁ ବାହାର କରାଯାଇଥାଏ | ଇଚାଣ୍ଟ ସାଧାରଣତ directly ସିଧାସଳଖ କିମ୍ବା ପରୋକ୍ଷ ଭାବରେ ଇଚିଂ ଗ୍ୟାସର ପ୍ଲାଜାମାରୁ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୁଏ, ତେଣୁ ଶୁଖିଲା ଏଚିଂକୁ ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |
1.1 ପ୍ଲାଜ୍ମା |
ପ୍ଲାଜମା ହେଉଛି ଏକ ଦୁର୍ବଳ ଆୟନାଇଜଡ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ଏକ ଗ୍ୟାସ୍ ଯାହା ଏକ ବାହ୍ୟ ବିଦ୍ୟୁତ୍-ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ରର କାର୍ଯ୍ୟ (ଯେପରିକି ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଦ୍ ated ାରା ଉତ୍ପନ୍ନ) ଇଚ୍ ଗ୍ୟାସର ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ | ଏଥିରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍, ଆୟନ ଏବଂ ନିରପେକ୍ଷ ସକ୍ରିୟ କଣିକା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ, ସକ୍ରିୟ କଣିକାଗୁଡ଼ିକ ଇଞ୍ଚିଂ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ସିଧାସଳଖ ପଦାର୍ଥ ସହିତ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିପାରନ୍ତି, କିନ୍ତୁ ଏହି ଶୁଦ୍ଧ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ only କେବଳ ଅଳ୍ପ ସଂଖ୍ୟକ ସାମଗ୍ରୀରେ ଘଟିଥାଏ ଏବଂ ଦିଗଦର୍ଶନ ନୁହେଁ | ଯେତେବେଳେ ଆୟନଗୁଡିକର ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଶକ୍ତି ଥାଏ, ସେଗୁଡିକ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ଶାରୀରିକ ସ୍ପଟର୍ ଦ୍ୱାରା ନିର୍ଗତ ହୋଇପାରେ, କିନ୍ତୁ ଏହି ଶୁଦ୍ଧ ଶାରୀରିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାର ଏଚିଂ ହାର ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ ଏବଂ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ବହୁତ ଖରାପ |
ଅଧିକାଂଶ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ଏକ ସମୟରେ ସକ୍ରିୟ କଣିକା ଏବଂ ଆୟନର ଅଂଶଗ୍ରହଣ ସହିତ ସମାପ୍ତ ହୁଏ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆୟନ ବିସ୍ଫୋରଣରେ ଦୁଇଟି କାର୍ଯ୍ୟ ଅଛି | ଗୋଟିଏ ହେଉଛି ପରମାଣୁ ବନ୍ଧକୁ ନଷ୍ଟ ହୋଇଥିବା ପଦାର୍ଥର ପୃଷ୍ଠରେ ନଷ୍ଟ କରିବା, ଯାହା ଦ୍ neutral ାରା ନିରପେକ୍ଷ କଣିକା ଏହାର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ହାର ବ increasing ାଇଥାଏ; ଅନ୍ୟଟି ହେଉଛି, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଇଣ୍ଟରଫେସରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକୁ ବନ୍ଦ କରିବା, ଇଚାଣ୍ଟକୁ ଇଚ୍ ହୋଇଥିବା ପଦାର୍ଥର ପୃଷ୍ଠ ସହିତ ସମ୍ପୁର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ ସୁବିଧା କରିବା ପାଇଁ, ଯାହାଫଳରେ ଏଚିଂ ଜାରି ରହିବ |
ନିର୍ମିତ ସଂରଚନାର ସାଇଡୱାଲରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ଦିଗଦର୍ଶନ ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ଅପସାରଣ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସାଇଡୱାଲର ଏଚିଂକୁ ଅବରୋଧ କରି ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଇଚିଂ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ |
ଦ୍ୱିତୀୟ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
2.1 ଓଦା ଏଚିଂ ଏବଂ ସଫା କରିବା |
ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ସର୍ବପ୍ରଥମ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମଧ୍ୟରୁ ଓଦା ଇଚିଂ | ଯଦିଓ ଅଧିକାଂଶ ଓଦା ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏହାର ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଏଚିଂ ହେତୁ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚ ଦ୍ୱାରା ସ୍ଥାନିତ ହୋଇଛି, ତଥାପି ଏହା ବଡ଼ ଆକାରର ଅଣ-ଜଟିଳ ସ୍ତରଗୁଡିକ ସଫା କରିବାରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ବିଶେଷକରି ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଅପସାରଣ ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶ ଏବଂ ଏପିଡର୍ମାଲ୍ ଷ୍ଟ୍ରିପିଂରେ ଏହା ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚ ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଏବଂ ଅର୍ଥନ is ତିକ |
ଓଦା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗର ବସ୍ତୁଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତ sil ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍, ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ର ଓଦା ଏଚିଂ ସାଧାରଣତ hyd ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ (HF) କୁ ମୁଖ୍ୟ ରାସାୟନିକ ବାହକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରେ | ଚୟନରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ, ଆମୋନିୟମ୍ ଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଦ୍ୱାରା ବଫର୍ ହୋଇଥିବା ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | PH ମୂଲ୍ୟର ସ୍ଥିରତା ବଜାୟ ରଖିବା ପାଇଁ ଅଳ୍ପ ପରିମାଣର ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଏସିଡ୍ କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉପାଦାନ ଯୋଗ କରାଯାଇପାରେ | ଖାଣ୍ଟି ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଅପେକ୍ଷା ଡୋପେଡ୍ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଅଧିକ ସହଜରେ କ୍ଷୟ ହୋଇଥାଏ | ଓଦା ରାସାୟନିକ ଷ୍ଟ୍ରିପିଂ ମୁଖ୍ୟତ phot ଫୋଟୋରେସିଷ୍ଟ ଏବଂ ହାର୍ଡ ମାସ୍କ (ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍) ଅପସାରଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଗରମ ଫସଫୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ (H3PO4) ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ରାସାୟନିକ ତରଳ ଯାହାକି ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଅପସାରଣ ପାଇଁ ଓଦା ରାସାୟନିକ ଷ୍ଟ୍ରିପିଂ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ପାଇଁ ଏକ ଭଲ ଚୟନକର୍ତ୍ତା |
ଓଦା ସଫା କରିବା ଓଦା ଇଞ୍ଚିଂ ସହିତ ସମାନ, ଏବଂ ମୁଖ୍ୟତ chemical କଣିକା, ଜ organic ବ ପଦାର୍ଥ, ଧାତୁ ଏବଂ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସମେତ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ପ୍ରଦୂଷକକୁ ବାହାର କରିଥାଏ | ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଓଦା ସଫା କରିବା ହେଉଛି ଓଦା ରାସାୟନିକ ପଦ୍ଧତି | ଯଦିଓ ଶୁଖିଲା ସଫା କରିବା ଅନେକ ଓଦା ସଫେଇ ପଦ୍ଧତିକୁ ବଦଳାଇପାରେ, ସେଠାରେ କ method ଣସି ପଦ୍ଧତି ନାହିଁ ଯାହା ଓଦା ସଫେଇକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ରୂପେ ବଦଳାଇପାରେ |
ଓଦା ସଫା କରିବା ପାଇଁ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ରାସାୟନିକ ପଦାର୍ଥରେ ସଲଫୁରିକ୍ ଏସିଡ୍, ହାଇଡ୍ରୋକ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍, ହାଇଡ୍ରୋଫ୍ଲୋରିକ୍ ଏସିଡ୍, ଫସଫୋରିକ୍ ଏସିଡ୍, ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ପେରକ୍ସାଇଡ୍, ଆମୋନିୟମ୍ ହାଇଡ୍ରକ୍ସାଇଡ୍, ଆମୋନିୟମ୍ ଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ଏକ ସଫେଇ ସମାଧାନ ଗଠନ କର, ଯେପରିକି SC1, SC2, DHF, BHF, ଇତ୍ୟାଦି |
ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମ ଜମା ହେବା ପୂର୍ବରୁ ସଫା କରିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପ୍ରାୟତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, କାରଣ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମର ପ୍ରସ୍ତୁତି ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଏକ ସଫା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | ସାଧାରଣ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ସଫା କରିବା ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅଟେ:
2.2 ଶୁଖିଲା ଏଚିଂ and ସଫା କରିବା
2.୦ ..1.୦
ଶିଳ୍ପରେ ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ ମୁଖ୍ୟତ pl ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂକୁ ବୁ refers ାଏ, ଯାହାକି ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପଦାର୍ଥଗୁଡିକ ବାହାର କରିବା ପାଇଁ ବର୍ଦ୍ଧିତ କାର୍ଯ୍ୟକଳାପ ସହିତ ପ୍ଲାଜମା ବ୍ୟବହାର କରେ | ବୃହତ ଆକାରର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପ୍ରଣାଳୀ ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ଅଣ-ସନ୍ତୁଳିତ ପ୍ଲାଜମା ବ୍ୟବହାର କରେ |
ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ମୁଖ୍ୟତ two ଦୁଇଟି ଡିସଚାର୍ଜ ମୋଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ: କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ କପ୍ଲେଡ୍ ଡିସଚାର୍ଜ ଏବଂ ଇନ୍ଦୁକ୍ଟିଭ୍ କପ୍ଲେଡ୍ ଡିସଚାର୍ଜ |
କ୍ୟାପିସିଟିଭ୍ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ଡିସଚାର୍ଜ ମୋଡ୍ ରେ: ବାହ୍ୟ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି (ଆରଏଫ୍) ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଦ୍ୱାରା ଦୁଇଟି ସମାନ୍ତରାଳ ପ୍ଲେଟ୍ କ୍ୟାପେସିଟରରେ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି ଏବଂ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ କରାଯାଏ | ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପ ସାଧାରଣତ several ଅନେକ ମିଲିଟରରୁ ଦଶ ମିଲିମିଟର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ହୋଇଥାଏ, ଏବଂ ଆୟନାଇଜେସନ୍ ହାର 10-5 ରୁ କମ୍ ଅଟେ | ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ଡିସଚାର୍ଜ ମୋଡ୍ ରେ: ସାଧାରଣତ a ଏକ ନିମ୍ନ ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପରେ (ଦଶ ମିଲିମିଟର), ପ୍ଲାଜା ଉତ୍ପନ୍ନ ହୁଏ ଏବଂ ଇନଡକ୍ଟିଭ୍ ଯୋଡି ଇନପୁଟ୍ ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ପରିଚାଳିତ ହୁଏ | ଆୟନାଇଜେସନ୍ ହାର ସାଧାରଣତ 10 10-5 ରୁ ଅଧିକ, ତେଣୁ ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ଲାଜମା ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଇକ୍ଲୋଟ୍ରନ୍ ରିଜୋନାନ୍ସ ଏବଂ ସାଇକ୍ଲୋଟ୍ରନ୍ ତରଙ୍ଗ ନିଷ୍କାସନ ମାଧ୍ୟମରେ ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟ ମିଳିପାରିବ | ଉଚ୍ଚ-ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଇଚିଂ ହାର ଏବଂ ଚୟନକର୍ତ୍ତାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିପାରିବ ଯେତେବେଳେ ବାହ୍ୟ ଆରଏଫ୍ କିମ୍ବା ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ଆରଏଫ୍ ଦ୍ as ାରା ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ମାଧ୍ୟମରେ ଆୟନ ପ୍ରବାହ ଏବଂ ଆୟନ ବିସ୍ଫୋରଣ ଶକ୍ତିକୁ ସ୍ ently ାଧୀନ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ଇଚିଂ କ୍ଷତି ହ୍ରାସ କରିବ |
ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅଟେ: ଇଚିଂ ଗ୍ୟାସ୍ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦିଆଯାଏ, ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଚାପ ସ୍ଥିର ହେବା ପରେ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଗ୍ଲୋ ଡିସଚାର୍ଜ ଦ୍ୱାରା ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ପନ୍ନ ହୁଏ | ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବିତ ହେବା ପରେ, ଏହା ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିବାକୁ କ୍ଷୟ ହୁଏ, ଯାହା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ ଏବଂ ଆଡର୍ସଡ୍ ହୋଇଯାଏ | ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣର କାର୍ଯ୍ୟ ଅଧୀନରେ, ଆଡ୍ସର୍ବେଡ୍ ଫ୍ରି ରେଡିକାଲ୍ସ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ପରମାଣୁ କିମ୍ବା ଅଣୁ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ଗ୍ୟାସ୍ ଉପ-ଉତ୍ପାଦନ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରୁ ନିର୍ଗତ ହୁଏ | ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିମ୍ନ ଚିତ୍ରରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି:
ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ନିମ୍ନ ଚାରୋଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ:
(1)ଶାରୀରିକ ସ୍ପଟରିଂ ଏଚିଂ |: ଏହା ମୁଖ୍ୟତ the ପ୍ଲାଜାମାରେ ଥିବା ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଆୟନ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ ଯାହାକି ଖଣ୍ଡିତ ପଦାର୍ଥର ପୃଷ୍ଠକୁ ବୋମା ପକାଇଥାଏ | ସ୍ପଟ ହୋଇଥିବା ପରମାଣୁର ସଂଖ୍ୟା ଘଟଣା କଣିକାର ଶକ୍ତି ଏବଂ କୋଣ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ | ଯେତେବେଳେ ଶକ୍ତି ଏବଂ କୋଣ ଅପରିବର୍ତ୍ତିତ ରହେ, ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀର ସ୍ପୁଟର୍ ହାର ସାଧାରଣତ only ମାତ୍ର 2 ରୁ 3 ଗୁଣ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ, ତେଣୁ କ select ଣସି ଚୟନକର୍ତ୍ତା ନାହିଁ | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକ୍ରିୟା ମୁଖ୍ୟତ an ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ |
(୨)ରାସାୟନିକ ଇଚିଂ |: ପ୍ଲାଜ୍ମା ଗ୍ୟାସ୍-ଫେଜ୍ ଏଚିଂ ପରମାଣୁ ଏବଂ ଅଣୁଗୁଡିକ ଯୋଗାଇଥାଏ, ଯାହା ଅସ୍ଥିର ଗ୍ୟାସ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ପଦାର୍ଥର ପୃଷ୍ଠ ସହିତ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିଥାଏ | ଏହି ଶୁଦ୍ଧ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଭଲ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ଅଛି ଏବଂ ଲାଟାଇସ୍ ଗଠନକୁ ବିଚାର ନକରି ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ |
ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ: Si (କଠିନ) + 4F → SiF4 (ଗ୍ୟାସୀୟ), ଫଟୋଗ୍ରାଫିଷ୍ଟ + O (ଗ୍ୟାସୀୟ) → CO2 (ଗ୍ୟାସୀୟ) + H2O (ଗ୍ୟାସୀୟ)
(3)ଆୟନ୍ ଶକ୍ତି ଚାଳିତ ଇଚିଂ |: ଆଇନ୍ ଉଭୟ କଣିକା ଯାହା ଏଚିଂ ଏବଂ ଶକ୍ତି ବହନ କରୁଥିବା କଣିକା ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଏହିପରି ଶକ୍ତି ବହନ କରୁଥିବା କଣିକାର ଇଚିଂ ଦକ୍ଷତା ସରଳ ଶାରୀରିକ କିମ୍ବା ରାସାୟନିକ ଇଚିଂ ଅପେକ୍ଷା ଏକରୁ ଅଧିକ ପରିମାଣର କ୍ରମାଙ୍କ ଅଟେ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ, ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଭ physical ତିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ହେଉଛି ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାର ମୂଳ |
(4)ଆଇନ୍-ବ୍ୟାରେଜ୍ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ଏଚିଂ |: ଏହା ମୁଖ୍ୟତ the ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଯ os ଗିକ କଣିକା ଦ୍ୱାରା ଏକ ପଲିମର ବ୍ୟାରେଜ୍ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତରର ଉତ୍ପାଦନକୁ ସୂଚିତ କରେ | ପ୍ଲାଜମା ଏଚଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ସାଇଡୱାଲର ଇଚିଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଏପରି ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ଉଦାହରଣ ସ୍ .ରୁପ, C ଏବଂ Cl2 ଇଚିଂରେ C ଯୋଗ କରିବା ଦ୍ the ାରା ସାଇଡ୍ ୱାଲ୍କୁ ରକ୍ଷା ନକରିବା ପାଇଁ ଇଚିଂ ସମୟରେ ଏକ କ୍ଲୋରୋକାର୍ବନ୍ ଯ ound ଗିକ ସ୍ତର ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇପାରେ |
2.2.1 ଶୁଖିଲା ସଫା କରିବା |
ଶୁଖିଲା ସଫା କରିବା ମୁଖ୍ୟତ pl ପ୍ଲାଜମା ସଫେଇକୁ ବୁ .ାଏ | ପରିଷ୍କାର ହେବାକୁ ଥିବା ପୃଷ୍ଠକୁ ବୋମା ଦେବା ପାଇଁ ପ୍ଲାଜାମାରେ ଥିବା ଆୟନଗୁଡିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ସକ୍ରିୟ ଅବସ୍ଥାରେ ଥିବା ପରମାଣୁ ଏବଂ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ସଫା ହେବା ପାଇଁ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସହିତ କାର୍ଯ୍ୟ କରନ୍ତି, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଫଟୋଗ୍ରାଫର ଅପସାରଣ ଏବଂ ପାଉଁଶ ହୋଇଯାଏ | ଶୁଖିଲା ଇଚିଂ ପରି, ଶୁଖିଲା ସଫେଇର ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ direction ଦିଗନ୍ତ ଚୟନକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରେ ନାହିଁ, ତେଣୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଡିଜାଇନ୍ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସରଳ | ବୃହତ ଆକାରର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଆଧାରିତ ଗ୍ୟାସ୍, ଅମ୍ଳଜାନ କିମ୍ବା ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ମୁଖ୍ୟତ the ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ଲାଜାର ମୁଖ୍ୟ ଶରୀର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହା ସହିତ, ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ଆର୍ଗନ୍ ପ୍ଲାଜମା ଯୋଗ କରିବା ଦ୍ ion ାରା ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ପ୍ରଭାବ ବ enhance ିଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସଫେଇ କାର୍ଯ୍ୟରେ ଉନ୍ନତି ହୋଇଥାଏ |
ପ୍ଲାଜ୍ମା ଶୁଷ୍କ ପରିଷ୍କାର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ରିମୋଟ୍ ପ୍ଲାଜ୍ମା ପଦ୍ଧତି ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି, ସଫେଇ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆୟନ ବିସ୍ଫୋରଣ ହେତୁ ହୋଇଥିବା କ୍ଷତିକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ପ୍ଲାଜାରେ ଆୟନର ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ପ୍ରଭାବକୁ ହ୍ରାସ କରିବାକୁ ଆଶା କରାଯାଏ; ଏବଂ ରାସାୟନିକ ମୁକ୍ତ ରେଡିକାଲଗୁଡିକର ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସଫେଇ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ | ରିମୋଟ୍ ପ୍ଲାଜମା ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବର ବାହାରେ ଏକ ସ୍ଥିର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ, ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବ ଯାହା ସଫା କରିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ହାସଲ କରିବାକୁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ପ୍ରବେଶ କରେ | ଶିଳ୍ପରେ ଅଧିକାଂଶ ଶୁଖିଲା ସଫେଇ ଗ୍ୟାସ୍ ଉତ୍ସଗୁଡିକ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ ଗ୍ୟାସ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି ଯେପରିକି NF3, ଏବଂ 99% ରୁ ଅଧିକ NF3 ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ପ୍ଲାଜାରେ କ୍ଷୟ ହୋଇଯାଏ | ଶୁଖିଲା ସଫେଇ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପ୍ରାୟ କ ion ଣସି ଆୟନ ବିସ୍ଫୋରଣ ପ୍ରଭାବ ନାହିଁ, ତେଣୁ ସିଲିକନ୍ ୱେଫରକୁ କ୍ଷତିରୁ ରକ୍ଷା କରିବା ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠର ଜୀବନ ବ extend ାଇବା ଲାଭଦାୟକ ଅଟେ |
ତିନୋଟି ଓଦା ଇଞ୍ଚିଂ ଏବଂ ସଫା କରିବା ଉପକରଣ |
3.1 ଟ୍ୟାଙ୍କ୍ ପ୍ରକାର ୱେଫର୍ ସଫେଇ ମେସିନ୍ |
ଟ୍ରଫ୍ ଟାଇପ୍ ୱେଫର୍ ସଫେଇ ମେସିନ୍ ମୁଖ୍ୟତ a ଏକ ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଓପନିଂ ୱେଫର୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର ବକ୍ସ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ୱେଫର୍ ଲୋଡିଂ / ଅନଲୋଡିଂ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଏକ ନିଷ୍କାସିତ ବାୟୁ ଗ୍ରହଣ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଏକ ରାସାୟନିକ ତରଳ ଟ୍ୟାଙ୍କ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଏକ ଡିଓନାଇଜଡ୍ ୱାଟର ଟ୍ୟାଙ୍କ ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଏକ ଶୁଖାଇବା ଟ୍ୟାଙ୍କକୁ ନେଇ ଗଠିତ | ମଡ୍ୟୁଲ୍ ଏବଂ ଏକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ମଡ୍ୟୁଲ୍ | ଏହା ଏକ ସମୟରେ ଏକାଧିକ ବାକ୍ସ ୱାଫର୍ ସଫା କରିପାରିବ ଏବଂ ୱାଫର୍ ଶୁଖିଲା ଏବଂ ଶୁଖିଲା ହାସଲ କରିପାରିବ |
୨.୨ ଟ୍ରେଞ୍ଚ ୱାଫର୍ ଏଚର୍ |
3.3 ଏକକ ୱାଫର୍ ଓଦା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଉପକରଣ |
ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ, ଏକକ ୱେଫର୍ ଓଦା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ତିନୋଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ପ୍ରଥମ ବର୍ଗ ହେଉଛି ଏକକ ୱେଫର୍ ସଫେଇ ଉପକରଣ, ଯାହାର ସଫେଇ ଲକ୍ଷ୍ୟରେ କଣିକା, ଜ organic ବ ପଦାର୍ଥ, ପ୍ରାକୃତିକ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର, ଧାତୁ ଅପରିଷ୍କାର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରଦୂଷକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ; ଦ୍ୱିତୀୟ ଶ୍ରେଣୀ ହେଉଛି ଏକକ ୱେଫର୍ ସ୍କ୍ରବିଂ ଉପକରଣ, ଯାହାର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ କଣିକା ବାହାର କରିବା; ତୃତୀୟ ଶ୍ରେଣୀ ହେଉଛି ଏକକ ୱେଫର୍ ଇଚିଂ ଉପକରଣ, ଯାହା ମୁଖ୍ୟତ thin ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅପସାରଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ, ଏକକ ୱେଫର୍ ଇଚିଂ ଉପକରଣକୁ ଦୁଇ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ପ୍ରଥମ ପ୍ରକାର ହେଉଛି ମୃଦୁ ଇଚିଂ ଉପକରଣ, ଯାହା ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ surface ାରା ଭୂପୃଷ୍ଠ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର କ୍ଷତି ସ୍ତରଗୁଡିକ ଅପସାରଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ; ଦ୍ୱିତୀୟ ପ୍ରକାର ହେଉଛି ବଳି ସ୍ତର ଅପସାରଣ ଉପକରଣ, ଯାହା ମୁଖ୍ୟତ wa ୱେଫର୍ ପତଳା କିମ୍ବା ରାସାୟନିକ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପଲିସିଂ ପରେ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସ୍ତରକୁ ହଟାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ସାମଗ୍ରିକ ମେସିନ୍ ସ୍ଥାପତ୍ୟର ଦୃଷ୍ଟିକୋଣରୁ, ସମସ୍ତ ପ୍ରକାରର ଏକକ-ୱେଫର୍ ଓଦା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣର ମ basic ଳିକ ସ୍ଥାପତ୍ୟ ସମାନ, ସାଧାରଣତ six six ଟି ଅଂଶକୁ ନେଇ ଗଠିତ: ମୁଖ୍ୟ ଫ୍ରେମ୍, ୱେଫର୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର ସିଷ୍ଟମ୍, ଚାମ୍ବର ମଡ୍ୟୁଲ୍, ରାସାୟନିକ ତରଳ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ମଡ୍ୟୁଲ୍, ସଫ୍ଟୱେର୍ ସିଷ୍ଟମ୍ | ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ମଡ୍ୟୁଲ୍ |
4.4 ଏକକ ୱାଫର୍ ସଫା କରିବା ଉପକରଣ |
ପାରମ୍ପାରିକ RCA ସଫେଇ ପ୍ରଣାଳୀ ଉପରେ ଆଧାର କରି ଏକକ ୱେଫର୍ ସଫେଇ ଉପକରଣ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି ଏବଂ ଏହାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି କଣିକା, ଜ organic ବ ପଦାର୍ଥ, ପ୍ରାକୃତିକ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର, ଧାତୁ ଅପରିଷ୍କାର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରଦୂଷକ ସଫା କରିବା | ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରୟୋଗ ଅନୁଯାୟୀ, ଏକକ ୱେଫର୍ ସଫେଇ ଉପକରଣ ବର୍ତ୍ତମାନ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନର ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ଏବଂ ବ୍ୟାକ୍-ଏଣ୍ଡ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି, ଯେପରିକି ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପୂର୍ବରୁ ଏବଂ ପରେ ସଫା କରିବା, ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ପରେ ସଫା କରିବା, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ ସଫା କରିବା, ରାସାୟନିକ ପରେ ସଫା କରିବା | ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପଲିସିଂ, ଏବଂ ଧାତୁ ଜମା ପରେ ସଫା କରିବା | ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଫସଫୋରିକ୍ ଏସିଡ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟତୀତ, ଏକକ ୱେଫର୍ ସଫେଇ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସମସ୍ତ ସଫେଇ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ |
3.5 ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱାଫର୍ ଏଚିଂ ଉପକରଣ |
ସିଙ୍ଗଲ୍ ୱେଫର୍ ଇଚିଂ ଉପକରଣର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ମୁଖ୍ୟତ thin ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଇଚିଂ | ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ, ଏହାକୁ ଦୁଇଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ, ଯଥା, ହାଲୁକା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ଯନ୍ତ୍ରପାତି (ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର କ୍ଷତି ସ୍ତରକୁ ହଟାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ) ଏବଂ ବଳି ସ୍ତର ଅପସାରଣ ଉପକରଣ (ୱେଫର୍ ପରେ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସ୍ତରକୁ ହଟାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ) | ପତଳା କିମ୍ବା ରାସାୟନିକ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପଲିସିଂ) | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅପସାରଣ କରାଯିବାକୁ ଥିବା ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍, ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍, ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏବଂ ଧାତୁ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସ୍ତର ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |
ଚାରୋଟି ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଂ ଏବଂ ସଫା କରିବା ଉପକରଣ |
4.1 ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ଉପକରଣର ଶ୍ରେଣୀକରଣ |
ଆୟନ ସ୍ପୁଟରିଂ ଇଚିଂ ଉପକରଣ ସହିତ ଯାହା ଶୁଦ୍ଧ ଶାରୀରିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏବଂ ଡିଗମ୍ମିଂ ଉପକରଣ ଯାହା ଶୁଦ୍ଧ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାର ନିକଟବର୍ତ୍ତୀ, ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂକୁ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଅନୁଯାୟୀ ପ୍ରାୟ ଦୁଇଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ:
-କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ ଯୋଡି ପ୍ଲାଜମା (CCP) ଇଚିଂ;
-ଇଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା (ଆଇସିପି) ଇଚିଂ |
4.1.1 CCP
କ୍ଷମତାଶାଳୀ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ହେଉଛି ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣକୁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବରରେ ଥିବା ଉପର ଏବଂ ତଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ସଂଯୋଗ କରିବା ଏବଂ ଦୁଇଟି ପ୍ଲେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ପ୍ଲାଜମା ସରଳୀକୃତ ସମାନ ସର୍କିଟରେ ଏକ କ୍ୟାପେସିଟର ସୃଷ୍ଟି କରେ |
ଏହିପରି ଦୁଇଟି ପ୍ରାଥମିକ ଜ୍ଞାନକ technologies ଶଳ ଅଛି |:
ଗୋଟିଏ ହେଉଛି ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ, ଯାହା ଆରଏଫ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣକୁ ଉପର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଏବଂ ନିମ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ସଂଯୋଗ କରେ ଯେଉଁଠାରେ ୱେଫର୍ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ୍ ଅଟେ | କାରଣ ଏହି ଉପାୟରେ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜ୍ମା ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଯଥେଷ୍ଟ ମୋଟା ଆୟନ ଖଣ୍ଡ ସୃଷ୍ଟି କରିବ ନାହିଁ, ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣର ଶକ୍ତି କମ୍ ଅଟେ, ଏବଂ ଏହା ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ ଭଳି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯାହା ସକ୍ରିୟ କଣିକାକୁ ମୁଖ୍ୟ ଇଚାଣ୍ଟ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ |
ଅନ୍ୟଟି ହେଉଛି ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE), ଯାହା RF ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣକୁ ନିମ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ଯେଉଁଠାରେ ୱେଫର୍ ଅବସ୍ଥିତ, ଏବଂ ଉପର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍କୁ ଏକ ବୃହତ କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ୍ କରେ | ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏକ ମୋଟା ଆୟନ ଖଣ୍ଡ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ, ଯାହା ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଯାହା ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଅଂଶଗ୍ରହଣ କରିବାକୁ ଅଧିକ ଆୟନ ଶକ୍ତି ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ ଆଧାରରେ, ଆରଏସଏସ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ପର୍ପେଣ୍ଡିକୁଲାର ଥିବା ଏକ ଡିସି ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ExB ଡ୍ରାଇଫ୍ ଗଠନ ପାଇଁ ଯୋଗ କରାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ଗ୍ୟାସ୍ କଣିକାର ଧକ୍କା ହେବାର ସମ୍ଭାବନା ବ increase ାଇପାରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଇଚିଂ ହାରରେ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ଉନ୍ନତି ହୋଇପାରେ | ଏହି ଇଚିଂକୁ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ (MERIE) କୁହାଯାଏ |
ଉପରୋକ୍ତ ତିନୋଟି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଏକ ସାଧାରଣ ଅସୁବିଧା ଅଛି, ଅର୍ଥାତ୍ ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଏହାର ଶକ୍ତି ପୃଥକ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଇଚିଂ ହାର ବୃଦ୍ଧି କରିବାକୁ, ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ବ to ାଇବା ପାଇଁ ଆରଏଫ୍ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି କରିବାର ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରେ, କିନ୍ତୁ ବର୍ଦ୍ଧିତ ଆରଏଫ୍ ଶକ୍ତି ଅବଶ୍ୟ ଆୟନ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି କରିବ, ଯାହା ଡିଭାଇସରେ କ୍ଷତି ଘଟାଇବ | ୱେଫର୍ ବିଗତ ଏକ ଦଶନ୍ଧିରେ, କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ କପଲିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏକାଧିକ ଆରଏଫ୍ ଉତ୍ସର ଏକ ଡିଜାଇନ୍ ଗ୍ରହଣ କରିଛି, ଯାହା ଯଥାକ୍ରମେ ଉପର ଏବଂ ତଳ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ କିମ୍ବା ଉଭୟ ନିମ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ |
ବିଭିନ୍ନ ଆରଏଫ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିଗୁଡିକ ଚୟନ ଏବଂ ମେଳ କରି, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ କ୍ଷେତ୍ର, ବ୍ୟବଧାନ, ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରମୁଖ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ପରସ୍ପର ସହିତ ସମନ୍ୱିତ ହୋଇଥାନ୍ତି, ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଆୟନ ଶକ୍ତି ଯଥାସମ୍ଭବ ଦୁଇଗୁଣ ହୋଇପାରେ |
4.1.2 ICP
ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଚାମ୍ବର ଉପରେ କିମ୍ବା ଏହାର ଆଖପାଖରେ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଏକ କିମ୍ବା ଅଧିକ ସେଟ୍ କୋଇଲ୍ ରଖିବା ପାଇଁ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡିହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ | କୋଇଲିରେ ଥିବା ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କରେଣ୍ଟ ଦ୍ ated ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ବିକଳ୍ପ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡ଼ିକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିବା ପାଇଁ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ୱିଣ୍ଡୋ ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ପ୍ରବେଶ କରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ଏକ ସରଳୀକୃତ ସମାନ ସର୍କିଟ୍ (ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର) ରେ, କୋଇଲ୍ ହେଉଛି ପ୍ରାଥମିକ ଘୁଞ୍ଚିବା ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ, ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ହେଉଛି ଦ୍ wind ିତୀୟ ୱିଣ୍ଡ୍ ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ |
ଏହି କପଲିଂ ପଦ୍ଧତି ଏକ ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ହାସଲ କରିପାରିବ ଯାହା ନିମ୍ନ ଚାପରେ କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ କପଲିଙ୍ଗ୍ ଠାରୁ ଅଧିକ ପରିମାଣର କ୍ରମାଙ୍କ ଅଟେ | ଏଥିସହ, ଦ୍ୱିତୀୟ ଆରଏଫ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ୱେନର ଅବସ୍ଥାନ ସହିତ ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ଏକ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ତେଣୁ, ଆୟନର ଏକାଗ୍ରତା କୋଇଲର ଉତ୍ସ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ ଏବଂ ଆୟନ ଶକ୍ତି ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଶକ୍ତିର ପୁଙ୍ଖାନୁପୁଙ୍ଖ ବିଭାଜନ ହାସଲ ହୁଏ |
4.2 ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ଉପକରଣ |
ଶୁଖିଲା ଇଚିଂରେ ପ୍ରାୟ ସମସ୍ତ ଇଚାଣ୍ଟଗୁଡିକ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ବା ପରୋକ୍ଷ ଭାବରେ ପ୍ଲାଜାମାରୁ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୁଏ, ତେଣୁ ଶୁଖିଲା ଇଚିଂକୁ ପ୍ରାୟତ pl ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ କୁହାଯାଏ | ଏକ ବ୍ୟାପକ ଅର୍ଥରେ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକାର ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ | ଦୁଇଟି ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ଫ୍ଲାଟ-ପ୍ଲେଟ୍ ରିଆକ୍ଟର ଡିଜାଇନ୍ରେ, ଗୋଟିଏ ହେଉଛି ପ୍ଲେଟକୁ ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ୍ କରିବା ଯେଉଁଠାରେ ୱେଫର୍ ଅବସ୍ଥିତ ଏବଂ ଅନ୍ୟ ପ୍ଲେଟ୍ ଆରଏଫ୍ ଉତ୍ସ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ; ଅନ୍ୟଟି ବିପରୀତ ଅଟେ | ପୂର୍ବ ଡିଜାଇନ୍ରେ, ଗ୍ରାଉଣ୍ଡ୍ ପ୍ଲେଟର କ୍ଷେତ୍ର ସାଧାରଣତ the ଆରଏଫ୍ ଉତ୍ସ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ପ୍ଲେଟର କ୍ଷେତ୍ରଠାରୁ ବଡ଼ ଏବଂ ରିଆକ୍ଟରରେ ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପ ଅଧିକ | ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଆୟନ ଖଣ୍ଡ ଅତ୍ୟନ୍ତ ପତଳା, ଏବଂ ୱେଫର୍ ପ୍ଲାଜାରେ “ବୁଡି” ଥିବା ପରି ମନେହୁଏ | ମୁଖ୍ୟତ the ପ୍ଲାଜାରେ ଥିବା ସକ୍ରିୟ କଣିକା ଏବଂ ଖଣ୍ଡିତ ପଦାର୍ଥର ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଏଚିଂ ସମାପ୍ତ ହୁଏ | ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣର ଶକ୍ତି ବହୁତ କମ୍, ଏବଂ ଇଚିଂରେ ଏହାର ଅଂଶଗ୍ରହଣ ବହୁତ କମ୍ ଅଟେ | ଏହି ଡିଜାଇନ୍କୁ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ମୋଡ୍ କୁହାଯାଏ | ଅନ୍ୟ ଏକ ଡିଜାଇନ୍ରେ, କାରଣ ଆୟନ ବିସ୍ଫୋରଣରେ ଅଂଶଗ୍ରହଣର ଡିଗ୍ରୀ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ବଡ଼, ଏହାକୁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ ମୋଡ୍ କୁହାଯାଏ |
4.3 ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆଇନ୍ ଏଚିଂ ଉପକରଣ |
ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE) ଏକ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯେଉଁଥିରେ ସକ୍ରିୟ କଣିକା ଏବଂ ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା ଆୟନ ଏକ ସମୟରେ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅଂଶଗ୍ରହଣ କରନ୍ତି | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ, ସକ୍ରିୟ କଣିକାଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତ neutral ନିରପେକ୍ଷ କଣିକା (ଫ୍ରି ରେଡିକାଲ୍ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା), ଅଧିକ ଏକାଗ୍ରତା ସହିତ (ଗ୍ୟାସର ଏକାଗ୍ରତାର ପ୍ରାୟ 1% ରୁ 10%), ଯାହା ଇଚାଣ୍ଟର ମୁଖ୍ୟ ଉପାଦାନ | ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏବଂ ଉତ୍ପାଦିତ ପଦାର୍ଥ ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ଦ୍ରବ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ଅସ୍ଥିର ହୋଇ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରୁ ବାହାର କରାଯାଇଥାଏ, କିମ୍ବା ଖଣ୍ଡିଆ ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ଯେତେବେଳେ ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା ଆୟନଗୁଡିକ କମ୍ ଏକାଗ୍ରତାରେ ଥାଏ (ଗ୍ୟାସର ଏକାଗ୍ରତାର 10-4 ରୁ 10-3), ଏବଂ ସେଗୁଡିକ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଆୟନ ଖଣ୍ଡର ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ଦ୍ୱାରା ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହୁଏ | ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା କଣିକାର ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟ ଅଛି | ଗୋଟିଏ ହେଉଛି ଖୋଦିତ ପଦାର୍ଥର ପରମାଣୁ ଗଠନକୁ ନଷ୍ଟ କରିବା, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ସକ୍ରିୟ କଣିକା ଏହା ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରୁଥିବା ହାରକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରେ; ଅନ୍ୟଟି ହେଉଛି ଜମା ହୋଇଥିବା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକୁ ବୋମା ପକାଇବା ଏବଂ ଅପସାରଣ କରିବା ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଆବିଷ୍କୃତ ପଦାର୍ଥ ସକ୍ରିୟ କଣିକା ସହିତ ପୂର୍ଣ୍ଣ ସମ୍ପର୍କରେ ରହିଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଏଚିଂ ଜାରି ରହିଥାଏ |
କାରଣ ଆୟନଗୁଡିକ ସିଧାସଳଖ ଭାବରେ ଇଚିଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ଅଂଶଗ୍ରହଣ କରନ୍ତି ନାହିଁ (କିମ୍ବା ଅତି ଅଳ୍ପ ଅନୁପାତ ପାଇଁ ହିସାବ କରନ୍ତି, ଯେପରିକି ଶାରୀରିକ ବିସ୍ଫୋରଣ ଅପସାରଣ ଏବଂ ସକ୍ରିୟ ଆୟନର ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ରାସାୟନିକ ଇଚିଂ), କଠୋର ଭାବରେ କହିବାକୁ ଗଲେ, ଉପରୋକ୍ତ ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଆୟନ-ସହାୟକ ଇଚିଂ କୁହାଯିବା ଉଚିତ | ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ ନାମ ସଠିକ୍ ନୁହେଁ, କିନ୍ତୁ ଏହା ଆଜି ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି | 1980 ଦଶକରେ ସର୍ବପ୍ରଥମ RIE ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇଥିଲା | ଗୋଟିଏ ଆରଏଫ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ଏକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସରଳ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବର ଡିଜାଇନ୍ ବ୍ୟବହାର ହେତୁ ଏହାର ଇଚିଂ ହାର, ସମାନତା ଏବଂ ଚୟନତା ଦୃଷ୍ଟିରୁ ଏହାର ସୀମା ଅଛି |
4.4 ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଉନ୍ନତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆଇନ୍ ଏଚିଂ ଉପକରଣ |
MERIE (ଚୁମ୍ବକୀୟ ଭାବରେ ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆଇନ୍ ଏଚିଂ) ଉପକରଣ ହେଉଛି ଏକ ଇଚିଂ ଉପକରଣ ଯାହା ଏକ ଫ୍ଲାଟ-ପ୍ୟାନେଲ୍ RIE ଉପକରଣରେ ଏକ ଡିସି ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଯୋଗ କରି ନିର୍ମିତ ଏବଂ ଇଚିଂ ହାର ବ to ାଇବା ପାଇଁ ଉଦ୍ଦିଷ୍ଟ |
1990 ଦଶକରେ MERIE ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏକ ବୃହତ ପରିମାଣରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିଲା, ଯେତେବେଳେ ଏକକ-ୱେଫର୍ ଇଚିଂ ଉପକରଣ ଶିଳ୍ପରେ ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଉପକରଣ ହୋଇଗଲା | MERIE ଯନ୍ତ୍ରର ସବୁଠାରୁ ବଡ ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତାର ସ୍ପେସାଲ୍ ବଣ୍ଟନ ଅମାନୁଷିକତା ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉପକରଣରେ ସାମ୍ପ୍ରତିକ କିମ୍ବା ଭୋଲଟେଜ୍ ପାର୍ଥକ୍ୟ ସୃଷ୍ଟି କରିବ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଉପକରଣ ନଷ୍ଟ ହେବ | ଯେହେତୁ ଏହି କ୍ଷତି ତତକ୍ଷଣାତ୍ ଅମାନୁଷିକତା ହେତୁ ହୋଇଥାଏ, ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ରର ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ଏହାକୁ ଦୂର କରିପାରିବ ନାହିଁ | ଯେହେତୁ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଆକାର ହ୍ରାସ ପାଇବାରେ ଲାଗିଛି, ସେମାନଙ୍କର ଡିଭାଇସ୍ କ୍ଷତି ପ୍ଲାଜମା ଅମାନୁଷିକତା ପ୍ରତି ଅଧିକ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଅଟେ, ଏବଂ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ବ by ାଇ ଇଚିଂ ହାର ବ increasing ାଇବାର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଧୀରେ ଧୀରେ ମଲ୍ଟି-ଆରଏଫ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ପ୍ଲାନାର୍ ରିଆକ୍ଟିଭ୍ ଆୟନ ଏଚିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଦ୍ୱାରା ବଦଳାଗଲା | ହେଉଛି, କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି |
4.5 କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ଉପକରଣ |
କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପ୍ଲାଜମା (CCP) ଇଚିଂ ଉପକରଣ ହେଉଛି ଏକ ଉପକରଣ ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ପ୍ଲେଟରେ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି (କିମ୍ବା ଡିସି) ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ପ୍ରୟୋଗ କରି କ୍ୟାପିସିଟିଭ୍ କପଲିଂ ମାଧ୍ୟମରେ ଏକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ ଇଚିଂ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହାର ଇଚିଂ ନୀତି ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଇଚିଂ ଉପକରଣ ସହିତ ସମାନ |
CCP ଇଚିଂ ଉପକରଣର ସରଳୀକୃତ ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର ନିମ୍ନରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି | ଏହା ସାଧାରଣତ different ବିଭିନ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିର ଦୁଇ କିମ୍ବା ତିନୋଟି ଆରଏଫ୍ ଉତ୍ସ ବ୍ୟବହାର କରେ ଏବଂ କେତେକ ଡିସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି | RF ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ଆବୃତ୍ତି ହେଉଛି 800kHz ~ 162MHz, ଏବଂ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି 2MHz, 4MHz, 13MHz, 27MHz, 40MHz ଏବଂ 60MHz | 2MHz କିମ୍ବା 4MHz ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସହିତ RF ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣକୁ ସାଧାରଣତ low ଲୋ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି RF ଉତ୍ସ କୁହାଯାଏ | ସେଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ the ନିମ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଯେଉଁଠାରେ ୱେଫର୍ ଅବସ୍ଥିତ | ସେମାନେ ଆୟନ ଶକ୍ତି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାରେ ଅଧିକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ, ତେଣୁ ସେମାନଙ୍କୁ ପକ୍ଷପାତ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ; 27MHz ରୁ ଅଧିକ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସହିତ RF ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣକୁ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି RF ଉତ୍ସ କୁହାଯାଏ | ସେଗୁଡିକ ଉପର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ କିମ୍ବା ନିମ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ହୋଇପାରିବ | ପ୍ଲାଜ୍ମା ଏକାଗ୍ରତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାରେ ସେମାନେ ଅଧିକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ, ତେଣୁ ସେମାନଙ୍କୁ ଉତ୍ସ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | 13MHz RF ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ମ middle ିରେ ଅଛି ଏବଂ ସାଧାରଣତ the ଉପରୋକ୍ତ ଦୁଇଟି କାର୍ଯ୍ୟ ବୋଲି ବିବେଚନା କରାଯାଏ କିନ୍ତୁ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଦୁର୍ବଳ | ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ ଯେ ଯଦିଓ ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ବିଭିନ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିର ଆରଏଫ୍ ଉତ୍ସ (ତଥାକଥିତ ଡିକୋପିଲିଂ ଇଫେକ୍ଟ) ର ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ, କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ କପଲିଙ୍ଗର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେତୁ, ସେଗୁଡିକ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ସ୍ ently ାଧୀନ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ |
ଆୟନଗୁଡିକର ଶକ୍ତି ବଣ୍ଟନ ଇଚିଂ ଏବଂ ଡିଭାଇସ୍ କ୍ଷୟକ୍ଷତିର ବିସ୍ତୃତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ ଏକ ମହତ୍ impact ପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ, ତେଣୁ ଆୟନ ଶକ୍ତି ବଣ୍ଟନକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବିକାଶ ଉନ୍ନତ ଇଚିଂ ଉପକରଣର ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସ୍ଥାନ ହୋଇପାରିଛି | ସମ୍ପ୍ରତି, ଉତ୍ପାଦନରେ ସଫଳତାର ସହିତ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିବା ଟେକ୍ନୋଲୋଜିଗୁଡ଼ିକରେ ମଲ୍ଟି-ଆରଏଫ୍ ହାଇବ୍ରିଡ୍ ଡ୍ରାଇଭ୍, ଡିସି ସୁପରପୋଜିସନ୍, ଡିସି ପଲ୍ସ ଦ୍ as ାରା ମିଶ୍ରିତ ଆରଏଫ୍ ଏବଂ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ଉତ୍ସ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ସିଙ୍କ୍ରୋନସ୍ ପଲ୍ସଡ୍ ଆରଏଫ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ଦୁଇଟି ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ଉପକରଣ ମଧ୍ୟରୁ CCP ଇଚିଂ ଉପକରଣ | ଏହା ମୁଖ୍ୟତ die ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେପରିକି ଗେଟ୍ ସାଇଡୱାଲ୍ ଏବଂ ଲଜିକ୍ ଚିପ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ପ୍ରଥମ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ହାର୍ଡ ମାସ୍କ ଇଚିଂ, ମଧ୍ୟଭାଗରେ କଣ୍ଟାକ୍ଟ ହୋଲ୍ ଇଚିଂ, ପଛ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ମୋଜାଇକ୍ ଏବଂ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ପ୍ୟାଡ୍ ଇଚିଂ | 3D ଫ୍ଲାସ୍ ମେମୋରୀ ଚିପ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଗଭୀର ଖାଲ, ଗଭୀର ଛିଦ୍ର ଏବଂ ତାରଯୁକ୍ତ କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ (ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ / ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଗଠନକୁ ଏକ ଉଦାହରଣ ଭାବରେ ଗ୍ରହଣ କରିବା) |
ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ଆହ୍ and ାନ ଏବଂ CCP ଇଚିଂ ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୋଇଥିବା ଉନ୍ନତି ଦିଗଗୁଡିକ | ପ୍ରଥମେ, ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ଆୟନ ଶକ୍ତିର ପ୍ରୟୋଗରେ, ଉଚ୍ଚ ଦିଗ ଅନୁପାତ ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକର ଇଚିଂ କ୍ଷମତା (ଯେପରିକି 3D ଫ୍ଲାସ୍ ମେମୋରୀର ଛିଦ୍ର ଏବଂ ଗ୍ରୀଭ୍ ଇଚିଂ 50: 1 ରୁ ଅଧିକ ଅନୁପାତ ଆବଶ୍ୟକ କରେ) | ଆୟନ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି କରିବାର ବର୍ତ୍ତମାନର ପଦ୍ଧତି 10,000 ୱାଟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଆରଏଫ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ବ୍ୟବହାର କରିଛି | ବହୁ ପରିମାଣର ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପନ୍ନକୁ ଦୃଷ୍ଟିରେ ରଖି ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠର ଥଣ୍ଡା ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିକୁ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଦ୍ୱିତୀୟତ et, ଇଚିଂ କ୍ଷମତାର ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ପାଇଁ ନୂତନ ଇଚିଂ ଗ୍ୟାସର ବିକାଶରେ ଏକ ସଫଳତା ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |
4.6 ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ ଉପକରଣ |
ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା (ଆଇସିପି) ଇଚିଂ ଉପକରଣ ହେଉଛି ଏକ ଉପକରଣ ଯାହାକି ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଶକ୍ତି ଉତ୍ସର ଶକ୍ତିକୁ ଏକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଏକ ଇନଡକ୍ଟର କୋଇଲ ମାଧ୍ୟମରେ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଆକାରରେ ଯୋଡିଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ et ାରା ଇଞ୍ଚ ପାଇଁ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ଏହାର ଇଚିଂ ନୀତି ମଧ୍ୟ ସାଧାରଣ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ ସହିତ ଜଡିତ |
ଆଇସିପି ଇଚିଂ ଉପକରଣ ପାଇଁ ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକାରର ପ୍ଲାଜ୍ମା ଉତ୍ସ ଡିଜାଇନ୍ ଅଛି | ଗୋଟିଏ ହେଉଛି ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର କପ୍ଲେଡ୍ ପ୍ଲାଜମା (TCP) ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଲାମ ରିସର୍ଚ୍ଚ ଦ୍ୱାରା ବିକଶିତ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦିତ | ଏହାର ଇନଡକ୍ଟର କୋଇଲ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବର ଉପରେ ଥିବା ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ୱିଣ୍ଡୋ ପ୍ଲେନରେ ରଖାଯାଇଛି | 13.56MHz RF ସଙ୍କେତ କୋଇଲରେ ଏକ ବିକଳ୍ପ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରେ ଯାହା ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ୱିଣ୍ଡୋ ସହିତ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱରେ ରହିଥାଏ ଏବଂ କୋଇଲ୍ ଅକ୍ଷ ସହିତ କେନ୍ଦ୍ର ଭାବରେ ଅଲଗା ହୋଇଯାଏ |
ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ୱିଣ୍ଡୋ ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ପ୍ରବେଶ କରେ ଏବଂ ବିକଳ୍ପ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଥିବା ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ୱିଣ୍ଡୋ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ଏକ ବିକଳ୍ପ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଇଚ୍ ଗ୍ୟାସର ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ହାସଲ ହୁଏ ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ଯେହେତୁ ଏହି ସିଦ୍ଧାନ୍ତକୁ ଏକ ଇନଡକ୍ଟର କୋଇଲ ସହିତ ଟ୍ରାନ୍ସଫର୍ମର ଭାବରେ ପ୍ରାଥମିକ ପବନ ଭାବରେ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ପ୍ଲାଜମା ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଘୁଞ୍ଚିବା ପରି ବୁ understood ିହେବ, ଆଇସିପି ଏଚିଂ ଏହାର ନାମକରଣ କରାଯାଇଛି |
ଟିସିପି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା ହେଉଛି ଗଠନକୁ ମାପିବା ସହଜ ଅଟେ | ଉଦାହରଣ ସ୍ .ରୁପ, 200 ମିମି ୱେଫର୍ ଠାରୁ 300 ମିମି ୱେଫର୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, TCP କେବଳ କୋଇଲର ଆକାର ବ by ାଇ ସମାନ ଇଚିଂ ପ୍ରଭାବ ବଜାୟ ରଖିପାରେ |
ଅନ୍ୟ ଏକ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଉତ୍ସ ଡିଜାଇନ୍ ହେଉଛି ଯୁକ୍ତରାଷ୍ଟ୍ରର ଆପ୍ଲାଏଡ୍ ମ୍ୟାଟେରିଆଲ୍, ଇନ୍। ଏହାର ଇନଡକ୍ଟର କୋଇଲ୍ ଏକ ଗୋଲାର୍ଦ୍ଧ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ୱିଣ୍ଡୋରେ ତିନି-ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ କ୍ଷତ | ପ୍ଲାଜ୍ମା ସୃଷ୍ଟି କରିବାର ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ଉପରୋକ୍ତ TCP ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସହିତ ସମାନ, କିନ୍ତୁ ଗ୍ୟାସ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଦକ୍ଷତା ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ, ଯାହାକି ଅଧିକ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଏକାଗ୍ରତା ପାଇବା ପାଇଁ ସହାୟକ ହୋଇଥାଏ |
ଯେହେତୁ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ କପଲିଙ୍ଗର ଦକ୍ଷତା କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ କପଲିଂ ତୁଳନାରେ ଅଧିକ, ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ମୁଖ୍ୟତ the ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ୱିଣ୍ଡୋ ନିକଟରେ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଏହାର ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ମୂଳତ the ଇନଡକ୍ଟର ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଉତ୍ସ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ | କୋଇଲ୍, ଏବଂ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଆୟନ ଖଣ୍ଡରେ ଥିବା ଆୟନ ଶକ୍ତି ମୂଳତ the ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ଶକ୍ତି ଦ୍ determined ାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ, ତେଣୁ ଆୟନର ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ସ୍ ently ାଧୀନ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ dec ାରା ଡିକୋପିଲିଂ ହାସଲ ହେବ |
ଆଇସିପି ଇଚିଂ ଉପକରଣ ଦୁଇଟି ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ଉପକରଣ ମଧ୍ୟରୁ ଗୋଟିଏ | ଏହା ମୁଖ୍ୟତ sil ସିଲିକନ୍ ଅସ୍ଥାୟୀ ଖାଲ, ଜର୍ମାନିୟମ୍ (ଜି), ପଲିସିଲିକନ୍ ଗେଟ୍ ସଂରଚନା, ଧାତୁ ଗେଟ୍ ସଂରଚନା, ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ସିଲିକନ୍ (ଷ୍ଟ୍ରେନ୍-ସି), ଧାତୁ ତାର, ଧାତୁ ପ୍ୟାଡ୍ (ପ୍ୟାଡ୍), ମୋଜାଇକ୍ ଇଚିଂ ଧାତୁ ହାର୍ଡ ମାସ୍କ ଏବଂ ଏକାଧିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏକାଧିକ ଇମେଜିଙ୍ଗ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି |
ଏଥିସହ, ତିନି-ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍, CMOS ଇମେଜ୍ ସେନ୍ସର ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ-ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ମେକାନିକାଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ (MEMS) ର ବୃଦ୍ଧି ସହିତ ସିଲିକନ୍ ଭିଆସ୍ (TSV), ବଡ଼ ଆକାରର ଓଲିକ୍ ଗର୍ତ୍ତ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗର ଦ୍ରୁତ ବୃଦ୍ଧି ସହିତ | ବିଭିନ୍ନ ମର୍ଫୋଲୋଜି ସହିତ ଗଭୀର ସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ, ଅନେକ ନିର୍ମାତା ଏହି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ବିଶେଷ ଭାବରେ ବିକଶିତ ଇଚିଂ ଉପକରଣ ଆରମ୍ଭ କରିଛନ୍ତି | ଏହାର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ବୃହତ ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ଗଭୀରତା (ଦଶ କିମ୍ବା ଏପରିକି ଶହ ଶହ ମାଇକ୍ରନ୍), ତେଣୁ ଏହା ପ୍ରାୟତ high ଉଚ୍ଚ ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରବାହ, ଉଚ୍ଚ ଚାପ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଅବସ୍ଥାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ |
————————————————————————————————————————————————— ————————————-
ସେମିସେରା ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, ନରମ / କଠିନ ଅନୁଭବ |, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, CVD ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶ |, ଏବଂSiC / TaC ଆବୃତ ଅଂଶଗୁଡିକ |30 ଦିନ ସହିତ
ଯଦି ଆପଣ ଉପରୋକ୍ତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଗ୍ରହୀ,ଦୟାକରି ପ୍ରଥମ ଥର ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ କୁଣ୍ଠାବୋଧ କରନ୍ତୁ ନାହିଁ |
ଟେଲ: + 86-13373889683
ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -201-2024 |