1 ପରିଚୟ
ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ହେଉଛି ଏକ ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା | ଏହା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଶକ୍ତିରେ ଏକ ଆୟନ ବିମ୍ କୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସୂଚିତ କରେ (ସାଧାରଣତ ke କେଭି ରୁ ମେଭି ପରିସର ମଧ୍ୟରେ) ଏବଂ ତାପରେ ପଦାର୍ଥର ଭ physical ତିକ ଗୁଣ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ ଏହାକୁ ଏକ କଠିନ ପଦାର୍ଥ ପୃଷ୍ଠରେ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦେବା | ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, କଠିନ ପଦାର୍ଥ ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍ ଅଟେ, ଏବଂ ପ୍ରତିରୋପିତ ଅପରିଷ୍କାର ଆୟନଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ bor ବୋରନ୍ ଆୟନ, ଫସଫରସ୍ ଆୟନ, ଆର୍ସେନିକ୍ ଆୟନ, ଇଣ୍ଡିୟମ୍ ଆୟନ, ଜର୍ମାନି ଆୟନ ଇତ୍ୟାଦି | ପ୍ରତିରୋପିତ ଆୟନଗୁଡିକ କଠିନ ପୃଷ୍ଠର କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିପାରନ୍ତି | ସାମଗ୍ରୀ କିମ୍ବା ଏକ PN ଜଙ୍କସନ ଗଠନ | ଯେତେବେଳେ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଆକାର ସବ୍-ମାଇକ୍ରୋନ୍ ଯୁଗକୁ ହ୍ରାସ ହେଲା, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଲା |
ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ସାଧାରଣତ deep ଗଭୀର ପୋତା ଯାଇଥିବା ସ୍ତର, ଓଲଟା ଡୋପେଡ୍ କୂଅ, ଥ୍ରେଶୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ ଆଡଜଷ୍ଟମେଣ୍ଟ୍, ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଏକ୍ସଟେନ୍ସନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ, ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ, ପଲିସିଲିକନ୍ ଗେଟ୍ ଡୋପିଂ, PN ଜଙ୍କସନ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧକ / କ୍ୟାପେସିଟର ଇତ୍ୟାଦି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଇନସୁଲେଟର ଉପରେ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ପୋତାଯାଇଥିବା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ-ଏକାଗ୍ରତା ଅମ୍ଳଜାନ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ ହୁଏ, କିମ୍ବା ଉଚ୍ଚ-ଏକାଗ୍ରତା ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ୱାରା ବୁଦ୍ଧିମାନ କଟିଯାଏ |
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ I ାରା ଆୟୋନ ପ୍ରତିରୋପଣ କରାଯାଏ, ଏବଂ ଏହାର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ହେଉଛି ଡୋଜ ଏବଂ ଶକ୍ତି: ଏହାର ମାତ୍ରା ଅନ୍ତିମ ଏକାଗ୍ରତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ, ଏବଂ ଶକ୍ତି ଆୟନର ପରିସର (ଅର୍ଥାତ୍ ଗଭୀରତା) ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ | ବିଭିନ୍ନ ଡିଭାଇସ୍ ଡିଜାଇନ୍ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ, ପ୍ରତିରୋପଣ ଅବସ୍ଥା ଉଚ୍ଚ-ଡୋଜ୍ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି, ମଧ୍ୟମ-ଡୋଜ୍ ମଧ୍ୟମ-ଶକ୍ତି, ମଧ୍ୟମ-ଡୋଜ୍ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି କିମ୍ବା ଉଚ୍ଚ-ଡୋଜ୍ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତିରେ ବିଭକ୍ତ | ଆଦର୍ଶ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରଭାବ ପାଇବାକୁ, ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆବଶ୍ୟକତା ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରତିରୋପଣକାରୀ ସଜାଯିବା ଉଚିତ |
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ, ସାଧାରଣତ a ଏକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅତିକ୍ରମ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଲାଟାଇସ୍ କ୍ଷୟକ୍ଷତିର ମରାମତି ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ଆୟନକୁ ସକ୍ରିୟ କରିବା | ପାରମ୍ପାରିକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଯଦିଓ ଡୋପିଂ ଉପରେ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା ବହୁତ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ତାପମାତ୍ରା ନିଜେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ନୁହେଁ | 14nm ତଳେ ଥିବା ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ନୋଡଗୁଡିକରେ, କିଛି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିମ୍ନ କିମ୍ବା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ଲାଟାଇସ୍ କ୍ଷତିର ପ୍ରଭାବ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା ପାଇଁ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ |
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
2.1 ମ Basic ଳିକ ନୀତିଗୁଡିକ |
ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ହେଉଛି 1960 ଦଶକରେ ବିକଶିତ ହୋଇଥିବା ଏକ ଡୋପିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ଅଧିକାଂଶ କ୍ଷେତ୍ରରେ ପାରମ୍ପାରିକ ବିସ୍ତାର କ ques ଶଳଠାରୁ ଉନ୍ନତ ଅଟେ |
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଡୋପିଂ ଏବଂ ପାରମ୍ପାରିକ ବିସ୍ତାର ଡୋପିଂ ମଧ୍ୟରେ ମୁଖ୍ୟ ପାର୍ଥକ୍ୟ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଅଟେ:
(1) ଡୋପେଡ୍ ଅଞ୍ଚଳରେ ଅପରିଷ୍କାର ଏକାଗ୍ରତାର ବଣ୍ଟନ ଭିନ୍ନ | ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ଶିଖର ଅପରିଷ୍କାର ଏକାଗ୍ରତା ସ୍ଫଟିକ୍ ଭିତରେ ଅବସ୍ଥିତ ଥିବାବେଳେ ବିସ୍ତାରର ଶିଖ ଅପରିଷ୍କାର ଏକାଗ୍ରତା ସ୍ଫଟିକ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଅବସ୍ଥିତ |
(୨) ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ କିମ୍ବା ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରାରେ କରାଯାଇଥାଏ, ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ସମୟ ସ୍ୱଳ୍ପ ଅଟେ | ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଡୋପିଂ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚିକିତ୍ସା ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
()) ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ଅଧିକ ନମନୀୟ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋପିତ ଉପାଦାନଗୁଡିକର ସଠିକ୍ ଚୟନ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
()) ଯେହେତୁ ଅପରିଷ୍କାର ତାପଜ ବିସ୍ତାର ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବିତ ହୁଏ, ସ୍ଫଟିକରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ତରଙ୍ଗ ଆକାର ସ୍ଫଟିକରେ ବିସ୍ତାର ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ତରଙ୍ଗ ଆକାରଠାରୁ ଭଲ |
(5) ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ସାଧାରଣତ only କେବଳ ମାସ୍କ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଫଟୋଗ୍ରାଫିଷ୍ଟ ବ୍ୟବହାର କରେ, କିନ୍ତୁ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ଡୋପିଂ ଏକ ମାସ୍କ ଭାବରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଘନତାର ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ବୃଦ୍ଧି କିମ୍ବା ଜମା ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
(6) ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ମ ically ଳିକ ଭାବରେ ବିସ୍ତାରକୁ ବଦଳାଇ ଦେଇଛି ଏବଂ ଆଜି ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ମୁଖ୍ୟ ଡୋପିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପରିଣତ ହୋଇଛି |
ଯେତେବେଳେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଶକ୍ତି ବୋମା ସହିତ ଏକ ଘଟଣା ଆୟନ ବିମ୍ ଏକ ଦୃ solid ଲକ୍ଷ୍ୟ (ସାଧାରଣତ a ଏକ ୱେଫର୍), ଲକ୍ଷ୍ୟ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଆୟନ ଏବଂ ପରମାଣୁଗୁଡ଼ିକ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପାରସ୍ପରିକ କ୍ରିୟା ଅତିକ୍ରମ କରିବେ ଏବଂ ଉତ୍ତେଜିତ କିମ୍ବା ଆୟନାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଉପାୟରେ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପରମାଣୁକୁ ଶକ୍ତି ସ୍ଥାନାନ୍ତର କରିବେ | ସେଗୁଡିକ ଆୟନଗୁଡିକ ମଧ୍ୟ ଗତିଶୀଳ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ମାଧ୍ୟମରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ଶକ୍ତି ହରାଇପାରେ ଏବଂ ଶେଷରେ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପରମାଣୁ ଦ୍ୱାରା ବିଛା ଯାଇଥାଏ କିମ୍ବା ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀରେ ଅଟକିଯାଏ | ଯଦି ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦିଆଯାଇଥିବା ଆୟନ ଅଧିକ ଭାରୀ ହୁଏ, ତେବେ ଅଧିକାଂଶ ଆୟନ କଠିନ ଲକ୍ଷ୍ୟରେ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦିଆଯିବ | ଅପରପକ୍ଷେ, ଯଦି ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦିଆଯାଇଥିବା ଆୟନଗୁଡ଼ିକ ହାଲୁକା ହୁଏ, ତେବେ ଅନେକ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ଆୟନ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳରୁ ବାଉନ୍ସ ହୋଇଯିବେ | ମୂଳତ ,, ଟାର୍ଗେଟରେ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦିଆଯାଇଥିବା ଏହି ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନଗୁଡିକ ବିଭିନ୍ନ ସ୍ତରରେ କଠିନ ଲକ୍ଷ୍ୟରେ ଥିବା ଲାଟାଇସ୍ ପରମାଣୁ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସହିତ ଧକ୍କା ହେବ | ସେଥିମଧ୍ୟରୁ ଆୟନ ଏବଂ କଠିନ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପରମାଣୁ ମଧ୍ୟରେ ଧକ୍କା ଏକ ଇଲାଷ୍ଟିକ୍ ଧକ୍କା ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଇପାରେ କାରଣ ସେଗୁଡ଼ିକ ବହୁଳ ଭାବରେ |
2.2 ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ହେଉଛି ଏକ ନମନୀୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ କଠୋର ଚିପ୍ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବ | ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି: ମାତ୍ରା, ପରିସର |
ଡୋଜ୍ (D) ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠର ୟୁନିଟ୍ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରତି ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦିଆଯାଇଥିବା ଆୟନ ସଂଖ୍ୟାକୁ ବୁ square ାଏ, ବର୍ଗ ସେଣ୍ଟିମିଟର ପ୍ରତି ପରମାଣୁରେ (କିମ୍ବା ବର୍ଗ ସେଣ୍ଟିମିଟର ପ୍ରତି ଆୟନ) | ନିମ୍ନଲିଖିତ ସୂତ୍ର ଦ୍ୱାରା D ଗଣନା କରାଯାଇପାରେ:
ଯେଉଁଠାରେ D ହେଉଛି ପ୍ରତିରୋପଣର ମାତ୍ରା (ଆୟନ ସଂଖ୍ୟା / ଏକକ କ୍ଷେତ୍ର); t ହେଉଛି ପ୍ରତିରୋପଣ ସମୟ; ମୁଁ ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ୍; q ହେଉଛି ଆୟନ ଦ୍ୱାରା ବହନ କରାଯାଉଥିବା ଚାର୍ଜ (ଗୋଟିଏ ଚାର୍ଜ ହେଉଛି 1.6 × 1019C [1]); ଏବଂ S ହେଉଛି ପ୍ରତିରୋପଣ କ୍ଷେତ୍ର |
ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ ପରିଣତ ହେବାର ଏକ ମୁଖ୍ୟ କାରଣ ହେଉଛି ଏହା ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ରେ ସମାନ ପରିମାଣର ଅପରିଷ୍କାର ପଦାର୍ଥକୁ ବାରମ୍ବାର ଲଗାଇପାରେ | ଆୟନର ସକରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ସାହାଯ୍ୟରେ ପ୍ରତିରୋପଣକାରୀ ଏହି ଲକ୍ଷ୍ୟ ହାସଲ କରନ୍ତି | ଯେତେବେଳେ ସକରାତ୍ମକ ଅପରିଷ୍କାର ଆୟନ ଏକ ଆୟନ ବିମ୍ ଗଠନ କରେ, ଏହାର ପ୍ରବାହ ହାରକୁ ଆୟନ ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ କୁହାଯାଏ, ଯାହା mA ରେ ମାପ କରାଯାଏ | ମଧ୍ୟମ ଏବଂ ନିମ୍ନ ସ୍ରୋତଗୁଡିକର ପରିସର ହେଉଛି 0.1 ରୁ 10 mA, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସ୍ରୋତର ପରିସର ହେଉଛି 10 ରୁ 25 mA |
ଆୟନ ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ୍ର ପରିମାଣ ଏହାର ମାତ୍ରା ବ୍ୟାଖ୍ୟା କରିବାରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ | ଯଦି ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବୃଦ୍ଧି ହୁଏ, ପ୍ରତି ୟୁନିଟ୍ ସମୟ ପ୍ରତିରୋପିତ ଅପରିଷ୍କାର ପରମାଣୁର ସଂଖ୍ୟା ମଧ୍ୟ ବ increases େ | ଉଚ୍ଚ ସ୍ରୋତ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଅମଳ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ସହାୟକ ହୋଇଥାଏ (ୟୁନିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ସମୟ ପ୍ରତି ଅଧିକ ଆୟନ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍), କିନ୍ତୁ ଏହା ମଧ୍ୟ ସମାନତା ସମସ୍ୟା ସୃଷ୍ଟି କରେ |
3। ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଉପକରଣ |
3.1 ମ Basic ଳିକ ଗଠନ
ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ଉପକରଣରେ 7 ଟି ମ basic ଳିକ ମଡ୍ୟୁଲ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |:
Ion ଉତ୍ସ ଏବଂ ଶୋଷକ;
② ମାସ ଆନାଲିଜର (ଅର୍ଥାତ୍ ଆନାଲିଟିକାଲ୍ ଚୁମ୍ବକ);
③ ତ୍ୱରଣକାରୀ ଟ୍ୟୁବ୍;
④ ସ୍କାନିଂ ଡିସ୍କ;
⑤ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ନିରପେକ୍ଷତା ବ୍ୟବସ୍ଥା;
⑥ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବର;
⑦ ଡୋଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ |
All ମଡ୍ୟୁଲଗୁଡ଼ିକ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ଦ୍ୱାରା ସ୍ଥାପିତ ଏକ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ ଅଛି | ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ମ basic ଳିକ ଗଠନମୂଳକ ଚିତ୍ର ନିମ୍ନ ଚିତ୍ରରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
(1)ଆଇନ୍ ଉତ୍ସ |:
ସାଧାରଣତ the ସମାନ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ ସକସନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ | ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦେବାକୁ ଅପେକ୍ଷା କରୁଥିବା ଅପରିଷ୍କାରଗୁଡିକ ଏକ ଆୟନ ଅବସ୍ଥାରେ ରହିବା ଆବଶ୍ୟକ ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କ୍ଷେତ୍ର ଦ୍ୱାରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଏବଂ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହେବ | ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ B +, P +, As +, ଇତ୍ୟାଦି ଆୟନାଇଜିଂ ପରମାଣୁ କିମ୍ବା ଅଣୁ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରାପ୍ତ ହୁଏ |
ବ୍ୟବହୃତ ଅପରିଷ୍କାର ଉତ୍ସଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି BF3, PH3 ଏବଂ AsH3, ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ସଂରଚନା ନିମ୍ନ ଚିତ୍ରରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି | ଚିଲାଣ୍ଟ ଦ୍ released ାରା ମୁକ୍ତ ହୋଇଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗ୍ୟାସ ପରମାଣୁ ସହିତ ଧକ୍କା ହୋଇ ଆୟନ ଉତ୍ପାଦନ କରେ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ a ଏକ ଗରମ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଫିଲାମାଣ୍ଟ ଉତ୍ସ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପନ୍ନ ହୁଏ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ବର୍ନର୍ସ ଆୟନ ଉତ୍ସ, କ୍ୟାଥୋଡ୍ ଫିଲାମାଣ୍ଟ ଏକ ଗ୍ୟାସ୍ ଇନଲେଟ୍ ସହିତ ଏକ ଆର୍କ ଚାମ୍ବରରେ ସ୍ଥାପିତ | ଆର୍କ ଚାମ୍ବରର ଭିତର କାନ୍ଥ ହେଉଛି ଆନାଡ |
ଯେତେବେଳେ ଗ୍ୟାସ ଉତ୍ସ ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ହୁଏ, ଏକ ବଡ଼ କରେଣ୍ଟ ଚିଲାମେଣ୍ଟ ଦେଇ ଯାଇଥାଏ, ଏବଂ 100 V ର ଏକ ଭୋଲଟେଜ୍ ସକରାତ୍ମକ ଏବଂ ନକାରାତ୍ମକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ, ଯାହା ଚିଲାଣ୍ଟ ଚାରିପାଖରେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ସହିତ ଧକ୍କା ହେବା ପରେ ସକରାତ୍ମକ ଆୟନ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ |
ଆୟନାଇଜେସନ୍ ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ପ୍ଲାଜମାକୁ ସ୍ଥିର କରିବା ପାଇଁ ବାହ୍ୟ ଚୁମ୍ବକ ଚିଲାଣ୍ଟ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ଏକ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରୟୋଗ କରେ | ଆର୍କ ଚାମ୍ବରରେ, ଚିଲାମେଣ୍ଟ ସହିତ ଅନ୍ୟ ପଟେ, ଏକ ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜଯୁକ୍ତ ପ୍ରତିଫଳକ ଅଛି ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ କରିଥାଏ |
(୨)ଅବଶୋଷଣ |:
ଏହା ଆୟନ ଉତ୍ସର ଆର୍କ ଚାମ୍ବରରେ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ସକରାତ୍ମକ ଆୟନ ସଂଗ୍ରହ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ସେମାନଙ୍କୁ ଏକ ଆୟନ ବିମ୍ରେ ପରିଣତ କରେ | ଯେହେତୁ ଆର୍କ ଚାମ୍ବର ହେଉଛି ଆନାଡ ଏବଂ କ୍ୟାଥୋଡ୍ ନକାରାତ୍ମକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଉପରେ ଚାପଗ୍ରସ୍ତ ହୋଇଥିବାରୁ ଉତ୍ପାଦିତ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସକରାତ୍ମକ ଆୟନକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ସେମାନେ ସକସନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଆଡକୁ ଯାଇ ଆୟନ ସ୍ଲିଟରୁ ଟାଣି ହୋଇଯାଆନ୍ତି, ଯେପରି ନିମ୍ନ ଚିତ୍ରରେ ଦେଖାଯାଇଛି | । ବ electric ଦୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର ଶକ୍ତି ଯେତେ ଅଧିକ, ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହେବା ପରେ ଆୟନଗୁଡିକ ଗତି କରୁଥିବା ଶକ୍ତି ଅଧିକ | ପ୍ଲାଜାରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକରୁ ବାଧା ନହେବା ପାଇଁ ସକସନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଉପରେ ଏକ ଦମନ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅଛି | ସେହି ସମୟରେ, ଦମନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଏକ ଆୟନ ବିମ୍ରେ ଆୟନ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ ଏବଂ ସେମାନଙ୍କୁ ସମାନ୍ତରାଳ ଆୟନ ବିମ୍ ଷ୍ଟ୍ରିମ୍ରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଇପାରେ ଯାହା ଦ୍ impl ାରା ଏହା ପ୍ରତିରୋପଣ ଦେଇ ଯାଇଥାଏ |
(3)ମାସ ବିଶ୍ଳେଷଣକାରୀ |:
ଆୟନ ଉତ୍ସରୁ ଅନେକ ପ୍ରକାରର ଆୟନ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇପାରେ | ଆନାଡ ଭୋଲଟେଜର ତ୍ୱରାନ୍ୱିତରେ, ଆୟନଗୁଡିକ ଏକ ଉଚ୍ଚ ବେଗରେ ଗତି କରନ୍ତି | ବିଭିନ୍ନ ଆୟନରେ ବିଭିନ୍ନ ପରମାଣୁ ମାସ ୟୁନିଟ୍ ଏବଂ ଭିନ୍ନ ଭିନ୍ନ ମାସ-ଚାର୍ଜ ଅନୁପାତ ଥାଏ |
(4)ତ୍ୱରକ ଟ୍ୟୁବ୍ |:
ଉଚ୍ଚ ଗତି ହାସଲ କରିବାକୁ, ଅଧିକ ଶକ୍ତି ଆବଶ୍ୟକ | ଆନାଡ ଏବଂ ମାସ ଆନାଲିଜର ଦ୍ provided ାରା ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଥିବା ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ, ତ୍ୱରଣ ପାଇଁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତକାରୀ ଟ୍ୟୁବରେ ପ୍ରଦତ୍ତ ଏକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ର ମଧ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ | ତ୍ୱରାନ୍ୱିତକାରୀ ଟ୍ୟୁବ୍ ଏକ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଦ୍ୱାରା ପୃଥକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଗୁଡ଼ିକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଉପରେ ନକାରାତ୍ମକ ଭୋଲଟେଜ୍ କ୍ରମିକ ସଂଯୋଗ ମାଧ୍ୟମରେ କ୍ରମରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ | ସମୁଦାୟ ଭୋଲଟେଜ୍ ଯେତେ ଅଧିକ, ଆୟନ ଦ୍ obtained ାରା ପ୍ରାପ୍ତ ଗତି ଅଧିକ, ଅର୍ଥାତ୍ ବହନ କରୁଥିବା ଶକ୍ତି ସେତେ ଅଧିକ | ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଅପରିଷ୍କାର ଆୟନକୁ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ରେ ଗଭୀର ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦେବା ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦେଇପାରେ, ଯେତେବେଳେ ଏକ ନିମ୍ନ ଜଙ୍କସନ୍ ତିଆରି କରିବାକୁ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରେ |
(5)ଡିସ୍କ ସ୍କାନ କରୁଛି |
ଫୋକସ୍ ହୋଇଥିବା ଆୟନ ବିମ୍ ସାଧାରଣତ diameter ବ୍ୟାସ ବହୁତ ଛୋଟ | ଏକ ମଧ୍ୟମ ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ପ୍ରତିରୋପଣର ବିମ୍ ସ୍ପଟ୍ ବ୍ୟାସ ପ୍ରାୟ cm ସେମି ଏବଂ ଏକ ବଡ଼ ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ ପ୍ରତିରୋପଣର cm ୦ ସେମି | ସମଗ୍ର ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ସ୍କାନିଂ ଦ୍ୱାରା ଆଚ୍ଛାଦିତ ହେବା ଜରୁରୀ | ଡୋଜ ପ୍ରତିରୋପଣର ପୁନରାବୃତ୍ତି ସ୍କାନିଂ ଦ୍ୱାରା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ | ସାଧାରଣତ ,, ଚାରୋଟି ପ୍ରକାରର ପ୍ରତିରୋପଣ ସ୍କାନିଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ଅଛି:
① ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ସ୍କାନିଂ;
② ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍କାନିଂ;
③ ହାଇବ୍ରିଡ୍ ସ୍କାନିଂ;
④ ସମାନ୍ତରାଳ ସ୍କାନିଂ |
(6)ଷ୍ଟାଟିକ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ନିରପେକ୍ଷତା ବ୍ୟବସ୍ଥା |:
ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଆୟନ ବିମ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଉପରେ ଆଘାତ କରେ ଏବଂ ମାସ୍କ ପୃଷ୍ଠରେ ଚାର୍ଜ ଜମା ହୋଇଯାଏ | ଫଳସ୍ୱରୂପ ଚାର୍ଜ ସଂଗ୍ରହ ଆୟନ ବିମରେ ଚାର୍ଜ ସନ୍ତୁଳନକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିଥାଏ, ଯାହା ବିମ୍ ସ୍ପଟ୍ କୁ ବଡ଼ କରିଥାଏ ଏବଂ ଡୋଜ ବଣ୍ଟନକୁ ଅସମାନ କରିଥାଏ | ଏହା ଭୂପୃଷ୍ଠ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର ମଧ୍ୟ ଭାଙ୍ଗି ଡିଭାଇସ୍ ବିଫଳତା ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ | ବର୍ତ୍ତମାନ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଏବଂ ଆୟନ ବିମ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ସ୍ଥିର ଉଚ୍ଚ-ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ଲାଜମା ପରିବେଶରେ ପ୍ଲାଜମା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାୱାର ସିଷ୍ଟମ୍ କୁହାଯାଏ, ଯାହା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଚାର୍ଜିଂକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଆୟନ ବିମ୍ ପଥରେ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ନିକଟରେ ଥିବା ଏକ ଆର୍କ ଚାମ୍ବରରେ ପ୍ଲାଜମା (ସାଧାରଣତ arg ଆର୍ଗନ୍ କିମ୍ବା ଜେନନ୍) ରୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ବାହାର କରିଥାଏ | ପ୍ଲାଜ୍ମା ଫିଲ୍ଟର୍ ହୋଇଛି ଏବଂ ସକରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜକୁ ନିରପେକ୍ଷ କରିବା ପାଇଁ କେବଳ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ପହଞ୍ଚିପାରିବ |
(7)ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗୁହାଳ |:
ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ରେ ଆୟନ ବିମ୍ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବରରେ ହୁଏ | ପ୍ରୋସେସ୍ ଚାମ୍ବର ହେଉଛି ଏକ ସ୍କାନିଂ ସିଷ୍ଟମ୍, ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଲୋଡିଂ ଏବଂ ଅନଲୋଡ୍ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଲକ୍ ସହିତ ଟର୍ମିନାଲ୍ ଷ୍ଟେସନ୍, ଏକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଟ୍ରାନ୍ସଫର ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ଏକ କମ୍ପ୍ୟୁଟର କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ସହିତ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଂଶ | ଏହା ସହିତ, ଡୋଜ ଉପରେ ନଜର ରଖିବା ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲ ପ୍ରଭାବକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ କିଛି ଉପକରଣ ଅଛି | ଯଦି ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍କାନିଂ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଟର୍ମିନାଲ୍ ଷ୍ଟେସନ୍ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ବଡ଼ ହେବ | ପ୍ରକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବରର ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ମଲ୍ଟି ଷ୍ଟେଜ୍ ମେକାନିକାଲ୍ ପମ୍ପ, ଟର୍ବୋମୋଲ୍ୟୁକୁଲାର ପମ୍ପ ଏବଂ ଏକ କଣ୍ଡେନ୍ସେସନ୍ ପମ୍ପ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଆବଶ୍ୟକ ହେଉଥିବା ନିମ୍ନ ଚାପକୁ ପମ୍ପ କରାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ସାଧାରଣତ about ପ୍ରାୟ 1 × 10-6 ଟୋର କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ କମ୍ ଅଟେ |
(8)ଡୋଜ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ବ୍ୟବସ୍ଥା |:
ଏକ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣରେ ରିଅଲ୍ ଟାଇମ୍ ଡୋଜ୍ ମନିଟରିଂ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ରେ ପହଞ୍ଚୁଥିବା ଆୟନ ବିମ୍ ମାପ କରି ସମ୍ପନ୍ନ ହୁଏ | ଫାରାଡେ କପ୍ ନାମକ ଏକ ସେନ୍ସର ବ୍ୟବହାର କରି ଆୟନ ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ ମାପ କରାଯାଏ | ଏକ ସରଳ ଫାରାଡେ ସିଷ୍ଟମରେ, ଆୟନ ବିମ୍ ପଥରେ ଏକ କରେଣ୍ଟ୍ ସେନ୍ସର ଅଛି ଯାହା କରେଣ୍ଟକୁ ମାପ କରେ | ଅବଶ୍ୟ, ଏହା ଏକ ସମସ୍ୟା ଉପସ୍ଥାପନ କରେ, ଯେହେତୁ ଆୟନ ବିମ୍ ସେନ୍ସର ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ ଏବଂ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରେ ଯାହା ତ୍ରୁଟିପୂର୍ଣ୍ଣ କରେଣ୍ଟ ରିଡିଂରେ ପରିଣତ ହେବ | ଏକ ପ୍ରକୃତ ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ପ reading ଼ିବା ପାଇଁ ଏକ ଫାରାଡେ ସିଷ୍ଟମ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କିମ୍ବା ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ବ୍ୟବହାର କରି ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଦମନ କରିପାରିବ | ଫାରାଡେ ସିଷ୍ଟମ ଦ୍ୱାରା ମାପ କରାଯାଉଥିବା କରେଣ୍ଟକୁ ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡୋଜ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲରରେ ଖାଇବାକୁ ଦିଆଯାଏ, ଯାହାକି ଏକ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଜମାକାରୀ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିଥାଏ (ଯାହା କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ମାପ ହୋଇଥିବା ବିମ୍ କରେଣ୍ଟ ଜମା କରିଥାଏ) | ସମୁଦାୟ କରେଣ୍ଟକୁ ସଂପୃକ୍ତ ପ୍ରତିରୋପଣ ସମୟ ସହିତ ଜଡିତ କରିବା ଏବଂ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ମାତ୍ରା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ସମୟ ଗଣନା କରିବା ପାଇଁ ନିୟନ୍ତ୍ରକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
2.2 କ୍ଷତି ମରାମତି |
ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରମାଣୁକୁ ଲାଟାଇସ୍ ଗଠନରୁ ବାହାର କରିଦେବ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଲାଟାଇସ୍ କୁ କ୍ଷତି ପହଞ୍ଚାଇବ | ଯଦି ପ୍ରତିରୋପିତ ମାତ୍ରା ବଡ଼, ପ୍ରତିରୋପିତ ସ୍ତର ଆମୋରଫସ୍ ହୋଇଯିବ | ଏହା ସହିତ, ପ୍ରତିରୋପିତ ଆୟନଗୁଡିକ ମ ically ଳିକ ଭାବରେ ସିଲିକନ୍ ର ଲାଟାଇଟ୍ ପଏଣ୍ଟ ଦଖଲ କରନ୍ତି ନାହିଁ, କିନ୍ତୁ ଲାଟାଇସ୍ ଫାଙ୍କା ଅବସ୍ଥାରେ ରୁହନ୍ତୁ | ଏହି ଆନ୍ତ stit ରାଜ୍ୟ ଅପରିଷ୍କାରତା କେବଳ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ ସକ୍ରିୟ ହୋଇପାରିବ |
ଆନିଲିଙ୍ଗ୍ ଲଗାଯାଇଥିବା ତ୍ରୁଟିର ମରାମତି ପାଇଁ ପ୍ରତିରୋପିତ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଗରମ କରିପାରେ | ଏହା ଅପରିଷ୍କାର ପରମାଣୁକୁ ଲାଟାଇଟ୍ ପଏଣ୍ଟକୁ ଘୁଞ୍ଚାଇପାରେ ଏବଂ ସକ୍ରିୟ କରିପାରେ | ଲାଟାଇସ୍ ତ୍ରୁଟିଗୁଡିକର ମରାମତି ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 500 ° C, ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ପରମାଣୁକୁ ସକ୍ରିୟ କରିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରାୟ 950 ° C | ଅପରିଷ୍କାର ସକ୍ରିୟତା ସମୟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଜଡିତ: ଅଧିକ ସମୟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ଯେତେ ଅଧିକ, ଅପରିଷ୍କାରତା ଅଧିକ ସକ୍ରିୟ ହୋଇଯାଏ | ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପାଇଁ ଦୁଇଟି ମ basic ଳିକ ପଦ୍ଧତି ଅଛି:
① ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲା ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍;
② ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ (RTA) |
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲା ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ହେଉଛି ଏକ ପାରମ୍ପାରିକ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପଦ୍ଧତି, ଯାହା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ କୁ 800-1000 to ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଗରମ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲା ବ୍ୟବହାର କରେ ଏବଂ ଏହାକୁ 30 ମିନିଟ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ରଖେ | ଏହି ତାପମାତ୍ରାରେ, ସିଲିକନ୍ ପରମାଣୁଗୁଡ଼ିକ ଲାଟାଇସ୍ ସ୍ଥିତିକୁ ଫେରିଯାଆନ୍ତି ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ପରମାଣୁ ମଧ୍ୟ ସିଲିକନ୍ ପରମାଣୁକୁ ବଦଳାଇ ଲାଟାଇସରେ ପ୍ରବେଶ କରିପାରନ୍ତି | ଅବଶ୍ୟ, ଏହିପରି ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ସମୟରେ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାର କରିବ, ଯାହା ଆଧୁନିକ ଆଇସି ଉତ୍ପାଦନ ଶିଳ୍ପ ଦେଖିବାକୁ ଚାହେଁ ନାହିଁ |
ଦ୍ରୁତ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍: ରାପିଡ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ (RTA) ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଅତି ଦ୍ରୁତ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟ ତାପମାତ୍ରାରେ ସ୍ୱଳ୍ପ ଅବଧି (ସାଧାରଣତ 1000 1000 ° C) ସହିତ ଚିକିତ୍ସା କରେ | ପ୍ରତିରୋପିତ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକର ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସାଧାରଣତ Ar Ar କିମ୍ବା N2 ସହିତ ଏକ ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ପ୍ରୋସେସର୍ରେ କରାଯାଏ | ଦ୍ରୁତ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ଅବଧି ଲାଟାଇସ୍ ତ୍ରୁଟିର ମରାମତି, ଅପରିଷ୍କାର ସକ୍ରିୟତା ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାରର ପ୍ରତିବନ୍ଧକକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିପାରିବ | ଆରଟିଆ ମଧ୍ୟ କ୍ଷଣସ୍ଥାୟୀ ବର୍ଦ୍ଧିତ ବିସ୍ତାରକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ ଏବଂ ଅସ୍ଥାୟୀ ଜଙ୍କସନ ପ୍ରତିରୋପଣରେ ଜଙ୍କସନ ଗଭୀରତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବାର ସର୍ବୋତ୍ତମ ଉପାୟ |
————————————————————————————————————————————————— ————————————-
ସେମିସେରା ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, ନରମ / କଠିନ ଅନୁଭବ |, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, CVD ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶ |, ଏବଂSiC / TaC ଆବୃତ ଅଂଶଗୁଡିକ |30 ଦିନ ସହିତ
ଯଦି ଆପଣ ଉପରୋକ୍ତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଗ୍ରହୀ,ଦୟାକରି ପ୍ରଥମ ଥର ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ କୁଣ୍ଠାବୋଧ କରନ୍ତୁ ନାହିଁ |
ଟେଲ: + 86-13373889683
ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -201-2024 |