1 ପରିଚୟ
ଶାରୀରିକ କିମ୍ବା ରାସାୟନିକ ପ୍ରଣାଳୀ ଦ୍ subst ାରା ପଦାର୍ଥ (କଞ୍ଚାମାଲ) ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ସଂଲଗ୍ନ କରିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ବୃଦ୍ଧି କୁହାଯାଏ |
ବିଭିନ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ଅନୁଯାୟୀ, ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଜମାକୁ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ:
-ଫିଜିକାଲ୍ ବାଷ୍ପ ଜମା (PVD);
-କେମିକାଲ୍ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD);
- ସମ୍ପ୍ରସାରଣ
ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା |
2.1 ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଏବଂ ସ୍ପଟର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (PVD) ପ୍ରକ୍ରିୟା ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ବାଷ୍ପୀକରଣ, ସ୍ପୁଟର୍, ପ୍ଲାଜମା ଆବରଣ ଏବଂ ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ପରି ଶାରୀରିକ ପଦ୍ଧତିର ବ୍ୟବହାରକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଏକ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରେ |
VLSI ଶିଳ୍ପରେ, ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ PVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସ୍ପୁଟର୍ କରୁଛି, ଯାହା ମୁଖ୍ୟତ elect ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଏବଂ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଧାତୁ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସ୍ପୁଟରିଂ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯେଉଁଥିରେ ବିରଳ ଗ୍ୟାସ୍ [ଯେପରିକି ଆର୍ଗନ୍ (ଆର୍)] ଆୟନରେ ଆୟନାଇଜ୍ ହୋଇଥାଏ (ଯେପରିକି Ar +) ଉଚ୍ଚ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ ଏକ ବାହ୍ୟ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର କାର୍ଯ୍ୟ ଅଧୀନରେ, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ପରିବେଶରେ ପଦାର୍ଥ ଲକ୍ଷ୍ୟ ଉତ୍ସକୁ ବିସ୍ଫୋରଣ କରେ, ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳର ପରମାଣୁ କିମ୍ବା ଅଣୁଗୁଡିକୁ ବାଡେଇବା, ଏବଂ ପରେ ଧକ୍କା ମୁକ୍ତ ଉଡ଼ାଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ପହଞ୍ଚିବା | ଆରରେ ସ୍ଥିର ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ଅଛି, ଏବଂ ଏହାର ଆୟନଗୁଡିକ ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସହିତ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବ ନାହିଁ | ଯେହେତୁ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଚିପ୍ସ 0.13μm ତମ୍ବା ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ଯୁଗରେ ପ୍ରବେଶ କରେ, ତମ୍ବା ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ପଦାର୍ଥ ସ୍ତର ଟାଇଟାନିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (TiN) କିମ୍ବା ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (TaN) ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ବ୍ୟବହାର କରେ | ଶିଳ୍ପ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ଚାହିଦା ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସ୍ପୁଟର୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ବିକାଶକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିଛି, ଅର୍ଥାତ୍ ସ୍ପୁଟର୍ ଚାମ୍ବରରେ, ଆର୍ ବ୍ୟତୀତ ଏକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ (N2) ମଧ୍ୟ ଅଛି, ଯାହା ଦ୍ Ti ାରା ଟି କିମ୍ବା ଟା ବୋମା ପକାଇବ | ଟାର୍ଗେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ Ti କିମ୍ବା Ta ଆବଶ୍ୟକ TiN କିମ୍ବା TaN ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ N2 ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ |
ଏଠାରେ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ତିନୋଟି ସ୍ପୁଟର୍ ପ୍ରଣାଳୀ ଅଛି, ଯଥା ଡିସି ସ୍ପୁଟର୍, ଆରଏଫ୍ ସ୍ପୁଟର୍ ଏବଂ ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ସ୍ପୁଟର୍ | ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ଏକୀକରଣ ବ continues ିବାରେ ଲାଗିଛି, ମଲ୍ଟି ଲେୟାର୍ ଧାତୁ ତାରର ସ୍ତର ସଂଖ୍ୟା ବ increasing ିବାରେ ଲାଗିଛି ଏବଂ PVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପ୍ରୟୋଗ ଦିନକୁ ଦିନ ବ୍ୟାପକ ହେବାରେ ଲାଗିଛି | PVD ସାମଗ୍ରୀରେ ଅଲ-ସି, ଅଲ-କ୍ୟୁ, ଅଲ-ସି-କ୍ୟୁ, ଟି, ଟା, କୋ, ଟିଏନ୍, ଟଏନ୍, ନି, WSi2 ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
PVD ଏବଂ sputtering ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ a ଏକ ଉଚ୍ଚ ସିଲ୍ ହୋଇଥିବା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ 1 × 10-7 ରୁ 9 × 10-9 ଟୋରର ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ଡିଗ୍ରୀ ସହିତ ସମାପ୍ତ ହୋଇଥାଏ, ଯାହା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଗ୍ୟାସର ଶୁଦ୍ଧତା ନିଶ୍ଚିତ କରିପାରିବ; ସେହି ସମୟରେ, ବିରଳ ଗ୍ୟାସକୁ ଆୟୋନାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ବାହ୍ୟ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ଆବଶ୍ୟକ, ଯାହା ଟାର୍ଗେଟକୁ ବୋମା ଦେବା ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ | PVD ଏବଂ sputtering ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକର ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ଧୂଳିର ପରିମାଣ, ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ, ସମାନତା, ପ୍ରତିଫଳିତ ଘନତା ଏବଂ ଗଠିତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଚାପକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |
୨.୨ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଏବଂ ସ୍ପୁଟର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯେଉଁଥିରେ ବିଭିନ୍ନ ଆଂଶିକ ଚାପ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ଗ୍ୟାସୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଚାପରେ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିଥାଏ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦିତ କଠିନ ପଦାର୍ଥଗୁଡିକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପଦାର୍ଥ ପୃଷ୍ଠରେ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ପତଳା ପାଇବା ପାଇଁ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପାରମ୍ପାରିକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ପ୍ରାପ୍ତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣତ comp ଯ ounds ଗିକ ଯେପରିକି ଅକ୍ସାଇଡ୍, ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍, କାର୍ବାଇଡ୍, କିମ୍ବା ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଆମୋରଫସ୍ ସିଲିକନ୍ ଭଳି ସାମଗ୍ରୀ | ସିଲେକ୍ଟିଭ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଯାହା ସାଧାରଣତ 45 45nm ନୋଡ୍ ପରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେପରିକି ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ SiGe କିମ୍ବା Si ସିଲେକ୍ଟିଭ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ମଧ୍ୟ ଏକ CVD ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା |
ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସମାନ ପ୍ରକାରର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଗଠନ କିମ୍ବା ସିଲିକନ୍ ର ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ କିମ୍ବା ମୂଳ ଲାଟାଇସ୍ ସହିତ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ ମୂଳ ଲାଟାଇସ୍ ସହିତ ସମାନ ଭାବରେ ଗଠନ କରିପାରେ | ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର (ଯେପରିକି SiO2, Si3N4 ଏବଂ SiON ଇତ୍ୟାଦି) ଏବଂ ଧାତୁ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର (ଯେପରିକି ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଇତ୍ୟାଦି) ର ଅଭିବୃଦ୍ଧିରେ CVD ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ସାଧାରଣତ ,, ଚାପ ବର୍ଗୀକରଣ ଅନୁଯାୟୀ, CVD କୁ ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (APCVD), ଉପ-ବାୟୁମଣ୍ଡଳ ଚାପ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (SAPCVD) ଏବଂ ନିମ୍ନ ଚାପର ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (LPCVD) ରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ |
ତାପମାତ୍ରା ବର୍ଗୀକରଣ ଅନୁଯାୟୀ, CVD କୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା / ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (HTO / LTO CVD) ଏବଂ ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (ରାପିଡ୍ ଥର୍ମାଲ୍ CVD, RTCVD) ରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ |
ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ସ ଅନୁଯାୟୀ, ସିଭିଡିକୁ ସିଲାନ-ଆଧାରିତ CVD, ପଲିଷ୍ଟର-ଆଧାରିତ CVD (TEOS- ଆଧାରିତ CVD) ଏବଂ ଧାତୁ ଜ organic ବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (MOCVD) ରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ;
ଶକ୍ତି ବର୍ଗୀକରଣ ଅନୁଯାୟୀ, CVD କୁ ତାପଜ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (ଥର୍ମାଲ୍ CVD), ପ୍ଲାଜମା ବର୍ଦ୍ଧିତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (ପ୍ଲାଜମା ବର୍ଦ୍ଧିତ CVD, PECVD) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ଲାଜା ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ପ୍ଲାଜମା CVD, HDPCVD) ରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ସମ୍ପ୍ରତି, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଫାଙ୍କା ପୂରଣ କ୍ଷମତା ସହିତ ପ୍ରବାହିତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (ଫ୍ଲୋବେବଲ୍ CVD, FCVD) ମଧ୍ୟ ବିକଶିତ ହୋଇଛି |
ବିଭିନ୍ନ ସିଭିଡି ବ grown ଼ିଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡ଼ିକର ଭିନ୍ନ ଗୁଣ ରହିଛି (ଯେପରିକି ରାସାୟନିକ ରଚନା, ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ଥିର, ଟେନ୍ସନ୍, ଚାପ ଏବଂ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍) ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ (ଯେପରିକି ତାପମାତ୍ରା, ଷ୍ଟେପ୍ କଭରେଜ୍, ଭରିବା ଆବଶ୍ୟକତା ଇତ୍ୟାଦି) ପୃଥକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |
3.3 ପରମାଣୁ ସ୍ତର ସଂରକ୍ଷଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ପରମାଣୁ ସ୍ତରର ଡିପୋଜିସନ (ALD) ଏକ ପରମାଣୁ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସ୍ତରକୁ ସ୍ତର ଦ୍ୱାରା ବ by ାଇ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପଦାର୍ଥ ଉପରେ ପରମାଣୁ ସ୍ତରର ଜମାକୁ ବୁ refers ାଏ | ଏକ ସାଧାରଣ ALD ଏକ ବିକଳ୍ପ ପଲ୍ସଡ୍ in ଙ୍ଗରେ ରିଆକ୍ଟରରେ ଗ୍ୟାସୀୟ ପୂର୍ବପୁରୁଷମାନଙ୍କୁ ଇନପୁଟ୍ କରିବାର ପଦ୍ଧତି ଗ୍ରହଣ କରେ |
ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ପ୍ରଥମେ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପୂର୍ବର 1 ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ପରିଚିତ ହୁଏ, ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଶୋଷଣ ପରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଗୋଟିଏ ପରମାଣୁ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ତା’ପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଅବଶିଷ୍ଟ 1 ବାୟୁ ପମ୍ପ ଦ୍ୱାରା ପମ୍ପ ହୋଇଯାଏ | ତାପରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପୂର୍ବାବଲୋକନ 2 ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ପରିଚିତ ହୁଏ, ଏବଂ ରସାୟନିକ ଭାବରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଆଡର୍ସଡ୍ ହୋଇଥିବା ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ସହିତ ସଂପୃକ୍ତ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଅନୁରୂପ ଉପ-ଉତ୍ପାଦ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ | ଯେତେବେଳେ ପୂର୍ବା or ୍ଚଳ 1 ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଭାବରେ ବନ୍ଦ ହୋଇଯିବ, ଯାହାକି ALD ର ଆତ୍ମ-ସୀମିତ ବ istic ଶିଷ୍ଟ୍ୟ, ଏବଂ ତାପରେ ଅବଶିଷ୍ଟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଏବଂ ଉପ-ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଏ; ଉପରୋକ୍ତ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ପୁନରାବୃତ୍ତି କରି, ଏକକ ପରମାଣୁ ସହିତ ସ୍ତର ଦ୍ grown ାରା ବ thin ଼ୁଥିବା ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ଜମା ହାସଲ ହୋଇପାରିବ |
ଉଭୟ ALD ଏବଂ CVD ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଗ୍ୟାସୀୟ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ସ ଉପସ୍ଥାପନ କରିବାର ଉପାୟ, କିନ୍ତୁ ପାର୍ଥକ୍ୟ ହେଉଛି ଯେ CVD ର ଗ୍ୟାସୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ସରେ ଆତ୍ମ-ସୀମିତ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ଗୁଣ ନାହିଁ | ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ALD ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବିକାଶର ଚାବି ହେଉଛି ଆତ୍ମ-ସୀମିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗୁଣ ସହିତ ପୂର୍ବସୂତ୍ର ଖୋଜିବା |
2.4 ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଅର୍ଡର ହୋଇଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର ବ growing ିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୁ .ାଏ | ସାଧାରଣତ speaking କହିବାକୁ ଗଲେ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର ବ grow ାଇବା, ଗୋଟିଏ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ମୂଳ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସମାନ ଲାଟାଇସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ସହିତ | ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେପରିକି ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍, ଏମ୍ବେଡ୍ ଉତ୍ସ ଏବଂ MOS ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଡ୍ରେନ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଏଲଇଡି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି ଇତ୍ୟାଦି |
ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉତ୍ସର ବିଭିନ୍ନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସ୍ଥିତି ଅନୁଯାୟୀ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଦ୍ଧତିକୁ କଠିନ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି, ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି ଏବଂ ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସିରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ, ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି କଠିନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି ଏବଂ ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି |
କଠିନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି: ଏକ କଠିନ ଉତ୍ସ ବ୍ୟବହାର କରି ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତରର ବୃଦ୍ଧିକୁ ବୁ .ାଏ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକୃତରେ ଏକ କଠିନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି ପ୍ରକ୍ରିୟା | ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ସମୟରେ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ସିଲିକନ୍ ପରମାଣୁଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରତିରୋପିତ ଆୟନ ଦ୍ bomb ାରା ବିସ୍ଫୋରଣ ହୋଇ ସେମାନଙ୍କର ମୂଳ ଲାଟାଇସ୍ ସ୍ଥିତିକୁ ଛାଡି ଆମୋରଫସ୍ ହୋଇ ଏକ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆମୋରଫସ୍ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଥର୍ମାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପରେ, ଆମୋରଫସ୍ ପରମାଣୁଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କର ଲାଟାଇସ୍ ସ୍ଥିତିକୁ ଫେରିଯାଆନ୍ତି ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭିତରେ ଥିବା ପରମାଣୁ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ସ୍ଥିର ରୁହନ୍ତି |
ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସିର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଣାଳୀରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି, ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି, ପରମାଣୁ ସ୍ତର ଏପିଟାକ୍ସି ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ ଉତ୍ପାଦନରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି ସର୍ବାଧିକ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସିର ନୀତି ମୂଳତ chemical ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ସହିତ ସମାନ | ଉଭୟ ହେଉଛି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ଗ୍ୟାସ୍ ମିଶ୍ରଣ ପରେ ୱାଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଜମା କରେ |
ପାର୍ଥକ୍ୟଟି ହେଉଛି ଯେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର ବ ows ାଏ, ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ଅପରିଷ୍କାରତା ଏବଂ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠର ପରିଷ୍କାରତା ପାଇଁ ଏହାର ଅଧିକ ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି | ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା (1000 ° C ରୁ ଅଧିକ) ଅଧୀନରେ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣର ଉନ୍ନତି ସହିତ, ବିଶେଷକରି ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଏକ୍ସଚେଞ୍ଜ୍ ଚାମ୍ବର ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଗ୍ରହଣ ସହିତ, ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ଗୁମ୍ଫାର ପରିଷ୍କାରତା ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ବହୁତ ଉନ୍ନତି ହୋଇଛି, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଏପିଟାକ୍ସି କମ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ (600-700 °) କରାଯାଇପାରିବ | ଗ) ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ର ଏକ ସ୍ତର ବ grow ାଇବା |
ମୂଳ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ତୁଳନା କଲେ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରର ଅଧିକ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ କମ୍ ଲାଟାଇଟ୍ ତ୍ରୁଟି ରହିଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନର ଅମଳ ଉନ୍ନତ ହୁଏ | ଏଥିସହ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ରେ ବ grown ଼ିଥିବା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଘନତା ଏବଂ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ନମନୀୟ ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇପାରିବ, ଯାହା ଉପକରଣର ଡିଜାଇନ୍ରେ ନମନୀୟତା ଆଣିଥାଏ, ଯେପରିକି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା | ଏମ୍ବେଡ୍ ହୋଇଥିବା ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି ଏକ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଯାହା ଉନ୍ନତ ତର୍କ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ନୋଡରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଏହା MOS ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଅଞ୍ଚଳରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବ growing ୁଥିବା ଡୋପେଡ୍ ଜର୍ମାନି ସିଲିକନ୍ କିମ୍ବା ସିଲିକନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସୂଚିତ କରେ | ଏମ୍ବେଡ୍ ହୋଇଥିବା ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଉପସ୍ଥାପନ କରିବାର ମୁଖ୍ୟ ସୁବିଧା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ: ଲାଟାଇସ୍ ଆଡାପ୍ଟେସନ୍ କାରଣରୁ ଚାପ ଧାରଣ କରିଥିବା ଏକ ସିଉଡୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସ୍ତର ବ growing ାଇବା, ଚ୍ୟାନେଲ ବାହକ ଗତିଶୀଳତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା | ଉତ୍ସ ଏବଂ ଡ୍ରେନର ଇନ୍-ସିଟ୍ ଡୋପିଂ ଉତ୍ସ-ଡ୍ରେନ୍ ଜଙ୍କସନର ପରଜୀବୀ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ତ୍ରୁଟି ହ୍ରାସ କରିପାରେ |
ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉପକରଣ |
3.1 ଶୂନ୍ୟ ବାଷ୍ପୀକରଣ ଉପକରଣ |
ଭାକ୍ୟୁମ୍ ବାଷ୍ପୀକରଣ ହେଉଛି ଏକ ଆବରଣ ପ୍ରଣାଳୀ ଯାହା ଏକ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ କଠିନ ସାମଗ୍ରୀ ଗରମ କରେ ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ବାଷ୍ପୀଭୂତ ହୁଏ, ବାଷ୍ପୀଭୂତ ହୁଏ କିମ୍ବା ସବଲିମେଟ୍ କରେ, ଏବଂ ତାପରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପଦାର୍ଥ ପୃଷ୍ଠରେ ଘନୀଭୂତ ହୁଏ ଏବଂ ଜମା ହୁଏ |
ସାଧାରଣତ it ଏହା ତିନୋଟି ଅଂଶକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଯଥା ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ବାଷ୍ପୀକରଣ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ପାଇପ୍ ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପମ୍ପକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଏବଂ ଏହାର ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟ ହେଉଛି ବାଷ୍ପୀକରଣ ପାଇଁ ଏକ ଯୋଗ୍ୟ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପରିବେଶ ଯୋଗାଇବା | ବାଷ୍ପୀକରଣ ପ୍ରଣାଳୀରେ ଏକ ବାଷ୍ପୀକରଣ ଟେବୁଲ୍, ଏକ ଉତ୍ତାପ ଉପାଦାନ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ମାପ ଉପାଦାନ ରହିଥାଏ |
ବାଷ୍ପୀଭୂତ ହେବାକୁ ଥିବା ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ (ଯେପରିକି ଏଗ୍, ଅଲ୍, ଇତ୍ୟାଦି) ବାଷ୍ପୀକରଣ ଟେବୁଲ ଉପରେ ରଖାଯାଇଛି; ଉତ୍ତାପ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ମାପ ଉପାଦାନ ହେଉଛି ଏକ ବନ୍ଦ-ଲୁପ୍ ପ୍ରଣାଳୀ ଯାହା ବାଷ୍ପୀକରଣ ତାପମାତ୍ରାକୁ ସୁଗମ ବାଷ୍ପୀକରଣକୁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ ଏକ ୱେଫର୍ ଷ୍ଟେଜ୍ ଏବଂ ଏକ ଗରମ ଉପାଦାନକୁ ନେଇ ଗଠିତ | ୱେଫର୍ ଷ୍ଟେଜ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ରଖିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେଉଁଥିରେ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ବାଷ୍ପୀଭୂତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗରମ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ମାପ ମତାମତ ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ ହୃଦୟଙ୍ଗମ କରିବା ପାଇଁ ଉତ୍ତାପ ଉପାଦାନ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଭାକ୍ୟୁମ୍ ବାଷ୍ପୀକରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପରିବେଶ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅବସ୍ଥା, ଯାହା ବାଷ୍ପୀକରଣ ହାର ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଗୁଣ ସହିତ ଜଡିତ | ଯଦି ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିଗ୍ରୀ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ ନକରେ, ବାଷ୍ପୀଭୂତ ପରମାଣୁ ବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ଅବଶିଷ୍ଟ ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ସହିତ ବାରମ୍ବାର ମୁହାଁମୁହିଁ ହେବେ, ଯାହା ଦ୍ free ାରା ସେମାନଙ୍କର ମୁକ୍ତ ପଥ ଛୋଟ ହୋଇଯିବ ଏବଂ ପରମାଣୁ ବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ଗୁରୁତର ଭାବରେ ଛିନ୍ନଛତ୍ର ହୋଇଯିବେ, ଯାହା ଦ୍ movement ାରା ଗତିର ଦିଗ ବଦଳିବ ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ହ୍ରାସ ପାଇବ। ଗଠନ ହାର
ଏଥିସହ, ଅବଶିଷ୍ଟ ଅପରିଷ୍କାର ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ଉପସ୍ଥିତି ହେତୁ, ଜମା ହୋଇଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗୁରୁତର ଭାବରେ ଦୂଷିତ ଏବଂ ଖରାପ ଗୁଣ ଅଟେ, ବିଶେଷତ when ଯେତେବେଳେ ଚାମ୍ବରର ଚାପ ବୃଦ୍ଧି ହାର ମାନକକୁ ପୂରଣ କରେ ନାହିଁ ଏବଂ ଲିକ୍ ହୁଏ, ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ ବାୟୁ ପ୍ରବେଶ କରିବ | , ଯାହା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗୁଣ ଉପରେ ଗୁରୁତର ପ୍ରଭାବ ପକାଇବ |
ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ବାଷ୍ପୀକରଣ ଉପକରଣର ଗଠନମୂଳକ ଗୁଣ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ ଯେ ବଡ଼ ଆକାରର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଆବରଣର ସମାନତା ଖରାପ ଅଟେ | ଏହାର ସମାନତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବାକୁ, ଉତ୍ସ-ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଦୂରତା ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରିବାର ପଦ୍ଧତି ସାଧାରଣତ adopted ଗ୍ରହଣ କରାଯାଏ, କିନ୍ତୁ ଉତ୍ସ-ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଦୂରତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା ଦ୍ୱାରା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର ଏବଂ ଶୁଦ୍ଧତା ବଳିଦାନ ଦେବ | ଏଥି ସହିତ, ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନର ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ ବାଷ୍ପୀଭୂତ ପଦାର୍ଥର ବ୍ୟବହାର ହାର କମିଯାଏ |
2.2 ଡିସି ଭ physical ତିକ ବାଷ୍ପ ସଂରକ୍ଷଣ ଉପକରଣ |
ସିଧାସଳଖ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଡିପୋଜିସନ (DCPVD) କ୍ୟାଥୋଡ୍ ସ୍ପୁଟର୍ ବା ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିସି ଦୁଇ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସ୍ପୁଟରିଙ୍ଗ୍ ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିସି ସ୍ପୁଟରର ଟାର୍ଗେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ କ୍ୟାଥୋଡ୍ ଭାବରେ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆନାଡ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ସ୍ପଟରିଂ ହେଉଛି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ଆୟନାଇଜ୍ କରି ଏକ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କରିବା |
ପ୍ଲାଜାରେ ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା କଣିକା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ଶକ୍ତି ପାଇବା ପାଇଁ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହୁଏ | ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ଶକ୍ତି ଥିବା କଣିକାଗୁଡ଼ିକ ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠକୁ ବିସ୍ଫୋରଣ କରେ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଲକ୍ଷ୍ୟ ପରମାଣୁଗୁଡିକ ବାହାରିଯାଏ; ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଗତିଜ ଶକ୍ତି ସହିତ ସ୍ପଟର୍ ହୋଇଥିବା ପରମାଣୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆଡକୁ ଗତି କରି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ କରେ | ସ୍ପଟର୍ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଗ୍ୟାସ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ବିରଳ ଗ୍ୟାସ୍, ଯେପରିକି ଆର୍ଗନ୍ (ଆର୍), ତେଣୁ ସ୍ପଟର୍ ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଦୂଷିତ ହେବ ନାହିଁ; ଏହା ସହିତ, ଆର୍ଗନ୍ ର ପରମାଣୁ ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧ ସ୍ପଟର୍ ପାଇଁ ଅଧିକ ଉପଯୁକ୍ତ |
Sp ୁଣ୍ଟିବା କଣିକାର ଆକାର ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପରମାଣୁର ଆକାର ପାଖାପାଖି ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ଯଦି କଣିକା ଗୁଡିକ ବହୁତ ବଡ କିମ୍ବା ବହୁତ ଛୋଟ, ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ସ୍ପଟରିଂ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ | ପରମାଣୁର ସାଇଜ୍ ଫ୍ୟାକ୍ଟର୍ ସହିତ, ପରମାଣୁର ମାସ ଫ୍ୟାକ୍ଟର୍ ମଧ୍ୟ ସ୍ପଟର୍ ଗୁଣ ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇବ | ଯଦି ସ୍ପଟରିଂ କଣିକା ଉତ୍ସ ଅତ୍ୟଧିକ ହାଲୁକା, ଲକ୍ଷ୍ୟ ପରମାଣୁଗୁଡିକ ସ୍ପଟର୍ ହେବ ନାହିଁ; ଯଦି ସ୍ପଟରିଂ କଣିକାଗୁଡ଼ିକ ଅତ୍ୟଧିକ ଭାରୀ, ଲକ୍ଷ୍ୟ “ବଙ୍କା” ହେବ ଏବଂ ଟାର୍ଗେଟ୍ ସ୍ପଟର୍ ହେବ ନାହିଁ |
DCPVD ରେ ବ୍ୟବହୃତ ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟର ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି ଯେତେବେଳେ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଥିବା ଆର୍ଗନ୍ ଆୟନଗୁଡିକ ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀକୁ ବିସ୍ଫୋରଣ କରେ, ସେମାନେ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳ ପୃଷ୍ଠରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସହିତ ପୁନ omb ମିଳିତ ହେବେ | ଯେତେବେଳେ ଟାର୍ଗେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଏକ ଧାତୁ ପରି କଣ୍ଡକ୍ଟର ଅଟେ, ଏହି ପୁନର୍ବିନ୍ୟାସ ଦ୍ୱାରା ଖର୍ଚ୍ଚ ହୋଇଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳର ଅନ୍ୟ ଅଂଶରେ ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଦ୍ୱାରା ବ electrical ଦୁତିକ ଚାଳନା ମାଧ୍ୟମରେ ଅଧିକ ସହଜରେ ପୂର୍ଣ୍ଣ ହୁଏ, ଯାହା ଦ୍ target ାରା ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ଉପରିଭାଗ ପୁରା ନକାରାତ୍ମକ ଭାବରେ ଚାର୍ଜ ହୋଇ ରହିଥାଏ ଏବଂ ସ୍ପୁଟର୍ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ କରାଯାଏ |
ଅପରପକ୍ଷେ, ଯଦି ଟାର୍ଗେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଏକ ଇନସୁଲେଟର ଅଟେ, ଟାର୍ଗେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ପୁନ omb ମିଳିତ ହେବା ପରେ, ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ଅନ୍ୟ ଅଂଶରେ ଥିବା ମାଗଣା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ବ electrical ଦୁତିକ ଚାଳନା ଦ୍ୱାରା ପୂର୍ଣ୍ଣ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ, ଏବଂ ସକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ମଧ୍ୟ ଜମା ହେବ | ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠ, ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ସମ୍ଭାବନାକୁ ବ cause ାଇଥାଏ, ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ଏହା ଅଦୃଶ୍ୟ ହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଦୁର୍ବଳ ହୋଇଯାଏ, ପରିଶେଷରେ ସ୍ପଟର୍ଙ୍ଗର ସମାପ୍ତିକୁ ନେଇଥାଏ |
ତେଣୁ, ସ୍ପୁଟରିଂ ପାଇଁ ଇନସୁଲେଟିଂ ସାମଗ୍ରୀକୁ ମଧ୍ୟ ଉପଯୋଗୀ କରିବା ପାଇଁ, ଅନ୍ୟ ଏକ ସ୍ପଟରିଂ ପଦ୍ଧତି ଖୋଜିବା ଆବଶ୍ୟକ | ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସ୍ପୁଟରିଙ୍ଗ ହେଉଛି ଏକ ସ୍ପୁଟରିଂ ପଦ୍ଧତି ଯାହା ଉଭୟ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଏବଂ ଅଣ-କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଟାର୍ଗେଟ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |
DCPVD ର ଅନ୍ୟ ଏକ ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଇଗ୍ନିସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅଧିକ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ଶକ୍ତିଶାଳୀ | ଏହି ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନର ଏକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଉପାୟ ହେଉଛି ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ସ୍ପୁଟରିଙ୍ଗ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବା, ତେଣୁ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ସ୍ପୁଟରିଂ ପ୍ରକୃତରେ ବ୍ୟବହାରିକ ମୂଲ୍ୟ ଅଟେ |
3.3 ଆରଏଫ୍ ଫିଜିକାଲ୍ ବାଷ୍ପ ଜମା ଉପକରଣ |
ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (RFPVD) ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଶକ୍ତିକୁ ଉତ୍ସାହ ଉତ୍ସ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରେ ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ଧାତୁ ଏବଂ ଅଣ-ଧାତୁ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ PVD ପଦ୍ଧତି |
RFPVD ରେ ବ୍ୟବହୃତ RF ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ସାଧାରଣ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି 13.56MHz, 20MHz, ଏବଂ 60MHz | ଆରଏଫ୍ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣର ସକରାତ୍ମକ ଏବଂ ନକାରାତ୍ମକ ଚକ୍ରଗୁଡ଼ିକ ବିକଳ୍ପ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଏ | ଯେତେବେଳେ PVD ଲକ୍ଷ୍ୟ ସକରାତ୍ମକ ଅଧା ଚକ୍ରରେ ଥାଏ, କାରଣ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପୃଷ୍ଠଟି ଏକ ସକରାତ୍ମକ ସମ୍ଭାବନାରେ ଥାଏ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ବାତାବରଣରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକ ଏହାର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ସକରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜକୁ ନିରପେକ୍ଷ କରିବା ପାଇଁ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପୃଷ୍ଠକୁ ପ୍ରବାହିତ ହେବ, ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଜମା ମଧ୍ୟ ଜାରି ରଖିବ, ଏହାର ପୃଷ୍ଠକୁ ନକାରାତ୍ମକ ଭାବରେ ପକ୍ଷପାତ କରିବା; ଯେତେବେଳେ ସ୍ପୁଟର୍ ଟାର୍ଗେଟ୍ ନକାରାତ୍ମକ ଅଧା ଚକ୍ରରେ ଥାଏ, ସକରାତ୍ମକ ଆୟନ ଲକ୍ଷ୍ୟ ଆଡକୁ ଗତି କରିବ ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପୃଷ୍ଠରେ ଆଂଶିକ ନିରପେକ୍ଷ ହେବ |
ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ thing ପୂର୍ଣ୍ଣ ବିଷୟ ହେଉଛି ଆରଏଫ୍ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକର ଗତି ବେଗ ସକରାତ୍ମକ ଆୟନ ତୁଳନାରେ ବହୁତ ଦ୍ରୁତ ହୋଇଥିବାବେଳେ ସକରାତ୍ମକ ଏବଂ ନକାରାତ୍ମକ ଅଧା ଚକ୍ରର ସମୟ ସମାନ, ତେଣୁ ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଚକ୍ର ପରେ, ଲକ୍ଷ୍ୟ ପୃଷ୍ଠଟି ରହିବ | “ନେଟ୍” ନକାରାତ୍ମକ ଭାବରେ ଚାର୍ଜ ହୋଇଛି | ତେଣୁ, ପ୍ରଥମ କିଛି ଚକ୍ରରେ, ଲକ୍ଷ୍ୟ ପୃଷ୍ଠର ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ଏକ ବୃଦ୍ଧି ଧାରା ଦେଖାଏ; ଏହା ପରେ, ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳ ଏକ ସ୍ଥିର ନକାରାତ୍ମକ ସମ୍ଭାବ୍ୟତାରେ ପହଞ୍ଚେ; ତା’ପରେ, କାରଣ ଲକ୍ଷ୍ୟର ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଉପରେ ଘୃଣ୍ୟ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ, ଟାର୍ଗେଟ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରାପ୍ତ ସକରାତ୍ମକ ଏବଂ ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜର ପରିମାଣ ସନ୍ତୁଳିତ ହେବାକୁ ଲାଗେ, ଏବଂ ଲକ୍ଷ୍ୟ ଏକ ସ୍ଥିର ନକାରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ଉପସ୍ଥାପନ କରେ |
ଉପରୋକ୍ତ ପ୍ରକ୍ରିୟାରୁ, ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ନକାରାତ୍ମକ ଭୋଲଟେଜ୍ ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଲକ୍ଷ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ଗୁଣ ସହିତ କ to ଣସି ସମ୍ପର୍କ ନାହିଁ, ତେଣୁ RFPVD ପଦ୍ଧତି କେବଳ ଇନସୁଲେଟିଂ ଟାର୍ଗେଟର ସ୍ପୁଟର ସମସ୍ୟା ସମାଧାନ କରିପାରିବ ନାହିଁ, ବରଂ ଏହା ମଧ୍ୟ ସୁସଙ୍ଗତ ଅଟେ | ପାରମ୍ପାରିକ ଧାତୁ କଣ୍ଡକ୍ଟର ଲକ୍ଷ୍ୟ ସହିତ |
4.4 ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ସ୍ପୁଟର୍ ଉପକରଣ |
ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ସ୍ପୁଟରିଙ୍ଗ ହେଉଛି ଏକ PVD ପଦ୍ଧତି ଯାହା ଲକ୍ଷ୍ୟର ପଛ ଭାଗରେ ଚୁମ୍ବକ ଯୋଗ କରିଥାଏ | ଯୋଡା ଯାଇଥିବା ଚୁମ୍ବକ ଏବଂ ଡିସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ (କିମ୍ବା ଏସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ) ସିଷ୍ଟମ୍ ଏକ ଚୁମ୍ବକୀୟ ସ୍ପଟର୍ ଉତ୍ସ ସୃଷ୍ଟି କରେ | ଚାମ୍ବରରେ ଏକ ଇଣ୍ଟରାକ୍ଟିଭ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋମ୍ୟାଗ୍ନେଟିକ୍ ଫିଲ୍ଡ ଗଠନ, ଚାମ୍ବର ଭିତରେ ଥିବା ପ୍ଲାଜାରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡ଼ିକର ଗତି ସୀମାକୁ ଧରିବା ଏବଂ ସୀମିତ ରଖିବା, ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡ଼ିକର ଗତିପଥକୁ ବ extend ାଇବା ଏବଂ ଶେଷରେ ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଜମା
ଏଥିସହ, ଅଧିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଟାର୍ଗେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ବନ୍ଧା ହୋଇଥିବାରୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଦ୍ the ାରା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ବିସ୍ଫୋରଣ କମିଯାଏ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ତାପମାତ୍ରା କମିଯାଏ | ଫ୍ଲାଟ-ପ୍ଲେଟ୍ DCPVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସହିତ ତୁଳନା କଲେ ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ଫିଜିକାଲ୍ ବାଷ୍ପ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅନ୍ୟତମ ସ୍ପଷ୍ଟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଯେ ଇଗ୍ନିସନ୍ ଡିସଚାର୍ଜ ଭୋଲଟେଜ୍ କମ୍ ଏବଂ ଅଧିକ ସ୍ଥିର ଅଟେ |
ଏହାର ଅଧିକ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ବୃହତ ସ୍ପୁଟରିଂ ଅମଳ ହେତୁ, ଏହା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଜମା ଦକ୍ଷତା, ଏକ ବୃହତ ଆକାର ପରିସରରେ ଜମା ଘନତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ସଠିକ୍ ରଚନା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ନିମ୍ନ ଇଗ୍ନିସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ହାସଲ କରିପାରିବ | ତେଣୁ, ବର୍ତ୍ତମାନର ଧାତୁ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର PVD ରେ ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ସ୍ପୁଟର୍ ଏକ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ସ୍ଥିତିରେ ଅଛି | ସରଳ ଚୁମ୍ବକୀୟ ସ୍ପୁଟର୍ ଉତ୍ସ ଉତ୍ସ ଡିଜାଇନ୍ ହେଉଛି ଫ୍ଲାଟ ଟାର୍ଗେଟର ପଛ ଭାଗରେ (ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ସିଷ୍ଟମ ବାହାରେ) ଏକ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳର ଏକ ସ୍ଥାନୀୟ ଅଞ୍ଚଳରେ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ଏକ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରିବା |
ଯଦି ଏକ ସ୍ଥାୟୀ ଚୁମ୍ବକ ରଖାଯାଏ, ଏହାର ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସ୍ଥିର ହୋଇଯାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଚାମ୍ବରରେ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳରେ ଏକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସ୍ଥିର ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ବଣ୍ଟନ ହୁଏ | ଟାର୍ଗେଟର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କ୍ଷେତ୍ରରେ କେବଳ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ସ୍ପଟର୍ ହୋଇଛି, ଟାର୍ଗେଟ୍ ବ୍ୟବହାର ହାର କମ୍, ଏବଂ ପ୍ରସ୍ତୁତ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ସମାନତା ଖରାପ |
ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସମ୍ଭାବନା ଅଛି ଯେ ସ୍ପଟର୍ ହୋଇଥିବା ଧାତୁ କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପଦାର୍ଥ କଣିକା ପୁନର୍ବାର ଲକ୍ଷ୍ୟ ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଯିବ, ଯାହା ଦ୍ partic ାରା କଣିକାଗୁଡ଼ିକରେ ଏକତ୍ରିତ ହୋଇ ତ୍ରୁଟି ପ୍ରଦୂଷଣ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ତେଣୁ, ବାଣିଜ୍ୟିକ ଚୁମ୍ବକୀୟ ସ୍ପୁଟରିଂ ଉତ୍ସଗୁଡ଼ିକ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ସମାନତା, ଲକ୍ଷ୍ୟ ବ୍ୟବହାର ହାର ଏବଂ ପୂର୍ଣ୍ଣ ଲକ୍ଷ୍ୟ ସ୍ପୁଟରିଙ୍ଗରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ ଏକ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ଚୁମ୍ବକୀୟ ଡିଜାଇନ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି |
ଏହି ତିନୋଟି କାରଣକୁ ସନ୍ତୁଳିତ କରିବା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ଯଦି ସନ୍ତୁଳନ ଭଲ ଭାବରେ ପରିଚାଳିତ ନହୁଏ, ତେବେ ଏହା ଏକ ଭଲ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସମାନତା ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ ଯେତେବେଳେ ଟାର୍ଗେଟର ଉପଯୋଗ ହାରକୁ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ (ଟାର୍ଗେଟ ଲାଇଫକୁ ଛୋଟ କରିଦିଏ), କିମ୍ବା ପୂର୍ଣ୍ଣ ଟାର୍ଗେଟ ସ୍ପୁଟରିଂ କିମ୍ବା ପୂର୍ଣ୍ଣ ଟାର୍ଗେଟ କ୍ଷୟ ହାସଲ କରିବାରେ ବିଫଳ ହୁଏ, ଯାହା ସ୍ପଟରିଂ ସମୟରେ କଣିକା ସମସ୍ୟା ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ପ୍ରକ୍ରିୟା
ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ପିଭିଡି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ଚୁମ୍ବକ ଗତିବିଧି ପ୍ରଣାଳୀ, ଟାର୍ଗେଟ୍ ଆକୃତି, ଟାର୍ଗେଟ୍ କୁଲିଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ମ୍ୟାଗ୍ନେଟ୍ରନ୍ ସ୍ପୁଟରିଙ୍ଗ ଉତ୍ସ, ଏବଂ ୱେଫର୍ ବହନ କରୁଥିବା ଆଧାରର କାର୍ଯ୍ୟକଳାପ ବିନ୍ୟାସ, ଯେପରିକି ୱେଫର୍ ଆଡସର୍ପସନ୍ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ବିଷୟରେ ବିଚାର କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | PVD ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆବଶ୍ୟକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା, ଶସ୍ୟ ଆକାର ଏବଂ ଆଭିମୁଖ୍ୟ, ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ସ୍ଥିରତା ପାଇବା ପାଇଁ ୱେଫର୍ ର ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ |
ଯେହେତୁ ୱେଫର୍ ପଛ ଏବଂ ମୂଳ ପୃଷ୍ଠ ମଧ୍ୟରେ ଉତ୍ତାପ ଚାଳନା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଚାପ ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ସାଧାରଣତ several ଅନେକ ଟୋରର କ୍ରମରେ, ଏବଂ ଚାମ୍ବରର କାର୍ଯ୍ୟ ଚାପ ସାଧାରଣତ several ଅନେକ mTorr କ୍ରମରେ, ପିଠି ଉପରେ ଚାପ | ୱେଫର୍ ର ଉପର ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଚାପଠାରୁ ଅଧିକ ବଡ଼, ତେଣୁ ୱେଫର୍ ସ୍ଥିତି ଏବଂ ସୀମିତ ରଖିବା ପାଇଁ ଏକ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଚକ୍ କିମ୍ବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଚକ୍ ଆବଶ୍ୟକ |
ଏହି କାର୍ଯ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଚକ୍ ନିଜ ଓଜନ ଏବଂ ୱେଫର୍ ର ଧାର ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ | ଯଦିଓ ଏହାର ସରଳ ଗଠନ ଏବଂ ୱେଫରର ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରତି ସମ୍ବେଦନଶୀଳତାର ସୁବିଧା ଅଛି, ୱେଫର୍ ର ଧାର ପ୍ରଭାବ ସ୍ପଷ୍ଟ, ଯାହା କଣିକାର କଠୋର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପାଇଁ ଅନୁକୂଳ ନୁହେଁ | ତେଣୁ, ଏହାକୁ ଧୀରେ ଧୀରେ ଆଇସି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଚକ ଦ୍ୱାରା ବଦଳାଇ ଦିଆଯାଇଛି |
ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଯାହା ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତି ବିଶେଷ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ନୁହେଁ, ଏକ ଅଣ-ଆଡସର୍ପସନ୍, ଅଣ-ଧାର କଣ୍ଟାକ୍ଟ ସେଲଭିଂ ପଦ୍ଧତି (ୱେଫରର ଉପର ଏବଂ ତଳ ପୃଷ୍ଠଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ କ pressure ଣସି ଚାପ ପାର୍ଥକ୍ୟ) ମଧ୍ୟ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ | ପିଭିଡି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଚାମ୍ବର ଲାଇନ୍ ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ସହିତ ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସିଥିବା ଅଂଶଗୁଡ଼ିକର ପୃଷ୍ଠ ଜମା ହୋଇ ଆଚ୍ଛାଦିତ ହେବ | ଯେତେବେଳେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଫିଲ୍ମର ଘନତା ସୀମା ଅତିକ୍ରମ କରେ, ଫିଲ୍ମଟି ଫାଟିଯିବ ଏବଂ ଚୋପା ବନ୍ଦ ହୋଇ କଣିକା ସମସ୍ୟା ସୃଷ୍ଟି କରିବ |
ଅତଏବ, ଲାଇନ୍ ପରି ଅଂଶଗୁଡିକର ଭୂପୃଷ୍ଠ ଚିକିତ୍ସା ହେଉଛି ଏହି ସୀମା ବିସ୍ତାର କରିବାର ଚାବି | ସର୍ଫେସ୍ ସ୍ୟାଣ୍ଡବ୍ଲାଷ୍ଟିଂ ଏବଂ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ସ୍ପ୍ରେ କରିବା ହେଉଛି ଦୁଇଟି ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହୃତ ପଦ୍ଧତି, ଯାହାର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହେଉଛି ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଏବଂ ଲାଇନ୍ ପୃଷ୍ଠ ମଧ୍ୟରେ ବନ୍ଧନକୁ ଦୃ strengthen କରିବା ପାଇଁ ଭୂପୃଷ୍ଠର ରୁଗ୍ଣତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା |
3.5 ଆୟୋନାଇଜେସନ୍ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଉପକରଣ |
ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର କ୍ରମାଗତ ବିକାଶ ସହିତ, ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଆକାର ଛୋଟ ଏବଂ ଛୋଟ ହେବାରେ ଲାଗିଛି | ଯେହେତୁ PVD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି କଣିକାର ଜମା ଦିଗକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ ନାହିଁ, ଉଚ୍ଚ ଦିଗ ଅନୁପାତ ସହିତ ଛିଦ୍ର ଏବଂ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ଚ୍ୟାନେଲ ଦେଇ ପ୍ରବେଶ କରିବାର କ୍ଷମତା ସୀମିତ ଅଟେ, ଯାହା ପାରମ୍ପାରିକ PVD ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିସ୍ତାରିତ ପ୍ରୟୋଗକୁ ଅଧିକ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ କରିଥାଏ | ପିଭିଡି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ପୋର ଗ୍ରୀଭ୍ ର ଅନୁପାତ ଅନୁପାତ ବ increases ଼ିବା ସହିତ ତଳଭାଗରେ କଭରେଜ୍ କମିଯାଏ, ଉପର କୋଣରେ ଏକ ଇଭ୍ ଭଳି ଓଭରହଙ୍ଗିଙ୍ଗ୍ ଗଠନ ଏବଂ ତଳ କୋଣରେ ଦୁର୍ବଳ କଭରେଜ୍ ଗଠନ |
ଏହି ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ପାଇଁ ଆୟୋନାଇଜଡ୍ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକଶିତ ହେଲା | ଏହା ପ୍ରଥମେ ବିଭିନ୍ନ ଉପାୟରେ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳରୁ ନିର୍ମିତ ଧାତୁ ପରମାଣୁକୁ ପ୍ଲାଜାମାଇଜ୍ କରିଥାଏ, ଏବଂ ତାପରେ ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ସ୍ଥିର ଦିଗନ୍ତ ଧାତୁ ଆୟନ ପ୍ରବାହ ପାଇବା ପାଇଁ ଧାତୁ ଆୟନର ଦିଗ ଏବଂ ଶକ୍ତି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ୱେଫର୍ ଉପରେ ଲୋଡ୍ ହୋଇଥିବା ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ଆଡଜଷ୍ଟ କରିଥାଏ | ଛିଦ୍ର ଏବଂ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ଚ୍ୟାନେଲ ମାଧ୍ୟମରେ ଉଚ୍ଚ ଦିଗ ଅନୁପାତର ପଦକ୍ଷେପର କଭରେଜ୍ |
ଆୟନାଇଜଡ୍ ଧାତୁ ପ୍ଲାଜମା ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ସାଧାରଣ ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଚାମ୍ବରରେ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କୋଇଲ୍ ଯୋଗ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଚାମ୍ବରର କାର୍ଯ୍ୟ ଚାପ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ ସ୍ଥିତିରେ (ସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟ ଚାପର 5 ରୁ 10 ଗୁଣ) ବଜାୟ ରହିଥାଏ | PVD ସମୟରେ, ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କୋଇଲ୍ ଦ୍ୱିତୀୟ ପ୍ଲାଜମା ଅଞ୍ଚଳ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେଉଁଥିରେ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଶକ୍ତି ଏବଂ ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପ ବୃଦ୍ଧି ସହିତ ଆର୍ଗନ୍ ପ୍ଲାଜାର ଏକାଗ୍ରତା ବ increases ିଥାଏ | ଯେତେବେଳେ ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳରୁ ଧାତୁ ପରମାଣୁଗୁଡିକ ଏହି ଅଞ୍ଚଳ ଦେଇ ଗତି କରେ, ସେମାନେ ଉଚ୍ଚ-ସାନ୍ଦ୍ରତା ଆର୍ଗନ୍ ପ୍ଲାଜମା ସହିତ ପାରସ୍ପରିକ ଭାବରେ ଧାତୁ ଆୟନ ଗଠନ କରନ୍ତି |
ୱେଫର୍ ବାହକରେ ଏକ ଆରଏଫ୍ ଉତ୍ସ ପ୍ରୟୋଗ କରିବା (ଯେପରିକି ଏକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଚକ୍) ଖାଲରେ ଥିବା ଧାତୁ ପଜିଟିଭ୍ ଆୟନକୁ ଆକର୍ଷିତ କରିବା ପାଇଁ ୱେଫର୍ ଉପରେ ନକାରାତ୍ମକ ପକ୍ଷପାତ ବ increase ାଇପାରେ | ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ p ର୍ଦ୍ଧ୍ୱରେ ଥିବା ଏହି ଦିଗନ୍ତ ଧାତୁ ଆୟନ ପ୍ରବାହ ଉଚ୍ଚ ଦିଗ ଅନୁପାତ ପୋର ଏବଂ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡିକର ଷ୍ଟେପ୍ ତଳ କଭରେଜ୍କୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ |
ୱେଫର୍ ଉପରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଉଥିବା ନକାରାତ୍ମକ ପକ୍ଷପାତ ମଧ୍ୟ ଆୟନଗୁଡିକ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠକୁ (ଓଲଟା ସ୍ପୁଟରିଙ୍ଗ୍) ବିସ୍ଫୋରଣ କରିଥାଏ, ଯାହା ଖାଲ ଖୋଲା ମୁଖର ଓଭରହେଙ୍ଗିଙ୍ଗ୍ ଗଠନକୁ ଦୁର୍ବଳ କରିଥାଏ ଏବଂ ତଳ ଭାଗରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଫିଲ୍ମକୁ ଖାଲର ତଳ କୋଣରେ ଥିବା ସାଇଡ୍ ୱାଲ୍ ଉପରେ ସ୍ପଟର୍ କରିଥାଏ | ଖୋଳା, ଯାହା ଦ୍ the ାରା କୋଣରେ ଷ୍ଟେପ୍ କଭରେଜ୍ ବ ancing ାଇଥାଏ |
6.6 ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ସଂରକ୍ଷଣ ଉପକରଣ |
ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (APCVD) ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏକ ଉପକରଣକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ ନିକଟରେ ଥିବା ଚାପ ସହିତ ଏକ ପରିବେଶରେ ଉତ୍ତପ୍ତ କଠିନ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ଗ୍ୟାସୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ସକୁ ସ୍ପ୍ରେ କରିଥାଏ, ଯାହା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ସକୁ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିଥାଏ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ, ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦ ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ |
APCVD ଯନ୍ତ୍ରପାତି ହେଉଛି ସର୍ବପ୍ରଥମ CVD ଉପକରଣ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ବ scientific ଜ୍ଞାନିକ ଅନୁସନ୍ଧାନରେ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | APCVD ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ ଯେପରିକି ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍, ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍, ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍, ଜିଙ୍କ ଅକ୍ସାଇଡ୍, ଟାଇଟାନିୟମ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍, ଫସଫୋସିଲିକେଟ୍ ଗ୍ଲାସ୍ ଏବଂ ବୋରୋଫୋସଫିଲିକେଟ୍ ଗ୍ଲାସ୍ |
3.7 ନିମ୍ନ ଚାପ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ସଂରକ୍ଷଣ ଉପକରଣ |
ନିମ୍ନ ଚାପର ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (LPCVD) ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଯନ୍ତ୍ରକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଉତ୍ତପ୍ତ (350-1100 ° C) ଏବଂ ନିମ୍ନ ଚାପ (10-100mTorr) ପରିବେଶରେ ଏକ କଠିନ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବା ପାଇଁ ଗ୍ୟାସୀୟ କଞ୍ଚାମାଲ ବ୍ୟବହାର କରେ | ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଗୁଣବତ୍ତା ଉନ୍ନତ କରିବା, ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଘନତା ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଭଳି ଚରିତ୍ରଗତ ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ବଣ୍ଟନ ସମାନତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ LPCVD ଉପକରଣ APCVD ଆଧାରରେ ବିକଶିତ ହୋଇଛି |
ଏହାର ମୁଖ୍ୟ ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଏକ ସ୍ୱଳ୍ପ ଚାପର ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ପରିବେଶରେ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ୱେଫର୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିଥାଏ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ କରାଯାଇଥାଏ | ଉଚ୍ଚମାନର ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତିରେ LPCVD ଉପକରଣର ସୁବିଧା ଅଛି ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍, ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍, ପଲିସିଲିକନ୍, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍, ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏବଂ ଗ୍ରାଫେନ୍ ଭଳି ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ |
APCVD ତୁଳନାରେ, LPCVD ଯନ୍ତ୍ରର ନିମ୍ନ-ଚାପ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିବେଶ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଗ୍ୟାସର ହାରାହାରି ମୁକ୍ତ ପଥ ଏବଂ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟକୁ ବ increases ାଇଥାଏ |
ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଥିବା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ଏବଂ ବାହକ ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ଅଳ୍ପ ସମୟ ମଧ୍ୟରେ ସମାନ ଭାବରେ ବଣ୍ଟନ କରାଯାଇପାରେ, ଏହିପରି ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଘନତା, ପ୍ରତିରୋଧକତା ସମାନତା ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଷ୍ଟେପ୍ କଭରେଜ୍କୁ ବହୁଗୁଣିତ କରିଥାଏ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସର ବ୍ୟବହାର ମଧ୍ୟ ଅଳ୍ପ ଅଟେ | ଏହା ସହିତ, ନିମ୍ନ-ଚାପ ପରିବେଶ ମଧ୍ୟ ଗ୍ୟାସ ପଦାର୍ଥର ପ୍ରସାରଣ ବେଗକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରେ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରୁ ବିସ୍ତାରିତ ଅପରିପକ୍ୱତା ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଶୀଘ୍ର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସ୍ତରରୁ ସୀମା ସ୍ତର ଦେଇ ଶୀଘ୍ର ବାହାର କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ ଶୀଘ୍ର ସୀମା ସ୍ତର ଦେଇ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ପହଞ୍ଚିବ, ଏହିପରି ସ୍ self- ଡୋପିଂକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ଦମନ କରିବ, ପ୍ରସ୍ତୁତ ହେବ | ଉଚ୍ଚମାନର ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ ଗତିପଥ ଜୋନ୍ ସହିତ, ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତାକୁ ମଧ୍ୟ ଉନ୍ନତ କରେ |
8.8 ପ୍ଲାଜ୍ମା ଉନ୍ନତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଉପକରଣ |
ପ୍ଲାଜମା ବର୍ଦ୍ଧିତ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (PECVD) ଏକ ବହୁଳ ବ୍ୟବହୃତ t |ହିନ୍ ଫିଲ୍ମ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି | ପ୍ଲାଜ୍ମା ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଉତ୍ତେଜିତ ସକ୍ରିୟ ଗୋଷ୍ଠୀ ଗଠନ ପାଇଁ ଗ୍ୟାସୀୟ ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ଆୟନାଇଜ୍ ହୋଇ ଉତ୍ତେଜିତ ସକ୍ରିୟ ଗୋଷ୍ଠୀ ଗଠନ କରେ, ଯାହା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ ଏବଂ ପରେ ଫିଲ୍ମର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦେଇଥାଏ |
ପ୍ଲାଜ୍ମା ଉତ୍ପାଦନର ଆବୃତ୍ତି ଅନୁଯାୟୀ, PECVD ରେ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ଲାଜମାକୁ ଦୁଇ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ଲାଜମା (ଆରଏଫ୍ ପ୍ଲାଜମା) ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ପ୍ଲାଜମା (ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ପ୍ଲାଜମା) | ବର୍ତ୍ତମାନ, ଶିଳ୍ପରେ ବ୍ୟବହୃତ ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସାଧାରଣତ 13. 13.56MHz ଅଟେ |
ରେଡିଓ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ଲାଜାର ପରିଚୟ ସାଧାରଣତ two ଦୁଇ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ: କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ କପଲିଂ (CCP) ଏବଂ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ କପଲିଂ (ICP) | କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ କପଲିଂ ପଦ୍ଧତି ସାଧାରଣତ a ଏକ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ପ୍ଲାଜମା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପଦ୍ଧତି ଅଟେ | ଯେତେବେଳେ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ କପଲିଂ ପଦ୍ଧତି ଏକ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ପ୍ଲାଜମା ପଦ୍ଧତି କିମ୍ବା ସୁଦୂର ପ୍ଲାଜମା ପଦ୍ଧତି ହୋଇପାରେ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, PECVD ପ୍ରାୟତ metals ଧାତୁ କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ସଂରଚନା ଧାରଣ କରିଥିବା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର ବ୍ୟାକ୍-ଏଣ୍ଡ୍ ଧାତୁ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଯେହେତୁ ଉପକରଣର ଉତ୍ସ, ଗେଟ୍ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ ଗଠନଗୁଡ଼ିକ ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇସାରିଛି, ଧାତୁ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ କ୍ଷେତ୍ରରେ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ବୃଦ୍ଧି ବିଷୟ ଅଟେ | ଅତ୍ୟଧିକ କଠୋର ତାପଜ ବଜେଟ୍ ପ୍ରତିବନ୍ଧକକୁ, ତେଣୁ ଏହା ସାଧାରଣତ pl ପ୍ଲାଜମା ସାହାଯ୍ୟରେ ସମାପ୍ତ ହୋଇଥାଏ | ପ୍ଲାଜ୍ମା ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ସଜାଡିବା ଦ୍ୱାରା, PECVD ଦ୍ grown ାରା ବ grown ଼ୁଥିବା ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଘନତା, ରାସାୟନିକ ରଚନା, ଅପରିଷ୍କାର ବିଷୟବସ୍ତୁ, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଦୃ ugh ତା ଏବଂ ଚାପ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ଆଡଜଷ୍ଟ ଏବଂ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ |
9.9 ପରମାଣୁ ସ୍ତର ସଂରକ୍ଷଣ ଉପକରଣ |
ପରମାଣୁ ସ୍ତର ଡିପୋଜିଟେସନ୍ (ALD) ହେଉଛି ଏକ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଯାହା ପର୍ଯ୍ୟାୟକ୍ରମେ ଏକ କ୍ୱାସି-ମୋନୋଟୋମିକ୍ ସ୍ତର ଆକାରରେ ବ ows େ | ଏହାର ବ istic ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଜମା ହୋଇଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଘନତା ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚକ୍ର ସଂଖ୍ୟାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ | ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରି, ALD ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଦୁଇଟି (କିମ୍ବା ଅଧିକ) ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ବିକଳ୍ପ ଭାବରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠ ଦେଇ ଯାଇଥାଏ ଏବଂ ବିରଳ ଗ୍ୟାସର ଶୁଦ୍ଧତା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ |
ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବା ପାଇଁ ଦୁଇଟି ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ଗ୍ୟାସ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ମିଶ୍ରିତ ହେବ ନାହିଁ ଏବଂ କେବଳ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରାସାୟନିକ ଆଡସର୍ପସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିବ | ପ୍ରତ୍ୟେକ ALD ଚକ୍ରରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଆଡର୍ସଡ୍ ହୋଇଥିବା ପରିମାଣ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସକ୍ରିୟ ଗୋଷ୍ଠୀର ଘନତା ସହିତ ଜଡିତ | ଯେତେବେଳେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗୋଷ୍ଠୀଗୁଡ଼ିକ କ୍ଳାନ୍ତ ହୋଇଯାଏ, ଯଦିଓ ଏକ ଅତ୍ୟଧିକ ପୂର୍ବର ପରିଚୟ ଦିଆଯାଏ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ରାସାୟନିକ ଆଡସର୍ପସନ୍ ଘଟିବ ନାହିଁ |
ଏହି ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଏକ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଆତ୍ମ-ସୀମିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କୁହାଯାଏ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଣାଳୀ ALD ପ୍ରକ୍ରିୟାର ପ୍ରତ୍ୟେକ ଚକ୍ରରେ ବ grown ଼ୁଥିବା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଘନତାକୁ ସ୍ଥିର କରିଥାଏ, ତେଣୁ ALD ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସଠିକ୍ ଘନତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ଭଲ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଷ୍ଟେପ୍ କଭରେଜ୍ ର ସୁବିଧା ଅଛି |
3.10 ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ଉପକରଣ |
ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) ସିଷ୍ଟମ୍ ଏକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଡିଭାଇସ୍ କୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଏକ କିମ୍ବା ଅଧିକ ତାପଜ ଶକ୍ତି ପରମାଣୁ ବିମ୍ କିମ୍ବା ମଲିକୁଲାର୍ ବିମ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ ଯାହା ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବେଗରେ ଉତ୍ତପ୍ତ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସ୍ପ୍ରେ କରେ, ଏବଂ ଆଡସୋର୍ବ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ ହୁଏ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପଦାର୍ଥର ସ୍ଫଟିକ୍ ଅକ୍ଷ ଦିଗରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡିକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି କରିବାକୁ | ସାଧାରଣତ ,, ଏକ ଉତ୍ତାପ ield ାଲ ସହିତ ଜେଟ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଦ୍ୱାରା ଗରମ ହେବାର ଅବସ୍ଥାରେ, ବିମ୍ ଉତ୍ସ ଏକ ପରମାଣୁ ବିମ୍ କିମ୍ବା ଏକ ମଲିକୁଲାର୍ ବିମ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଟି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପଦାର୍ଥର ସ୍ଫଟିକ୍ ଅକ୍ଷ ଦିଗରେ ସ୍ତର ଦ୍ୱାରା ସ୍ତର ବ ows େ |
ଏହାର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ କମ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା, ଏବଂ ଘନତା, ଇଣ୍ଟରଫେସ୍, ରାସାୟନିକ ରଚନା ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ଏକାଗ୍ରତା ପରମାଣୁ ସ୍ତରରେ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ | ଯଦିଓ MBE ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅଲ୍ଟ୍ରା-ପତଳା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ପ୍ରସ୍ତୁତିରୁ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇଥିଲା, ଏହାର ପ୍ରୟୋଗ ବର୍ତ୍ତମାନ ବିଭିନ୍ନ ପଦାର୍ଥ ପ୍ରଣାଳୀ ଯେପରିକି ଧାତୁ ଏବଂ ଇନସୁଲେଟିଂ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ସକୁ ବିସ୍ତାର ହୋଇଛି ଏବଂ III-V, II-VI, ସିଲିକନ୍, ସିଲିକନ୍ ଜର୍ମାନି (SiGe) ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିପାରିବ | ), ଗ୍ରାଫେନ୍, ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଏବଂ ଜ organic ବିକ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର |
ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) ସିଷ୍ଟମ୍ ମୁଖ୍ୟତ an ଏକ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ଏକ ମଲିକୁଲାର୍ ବିମ୍ ଉତ୍ସ, ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଫିକ୍ସିଂ ଏବଂ ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ, ଏକ ନମୁନା ସ୍ଥାନାନ୍ତର ବ୍ୟବସ୍ଥା, ଏକ ଇନ୍-ସିଟ୍ ମନିଟରିଂ ସିଷ୍ଟମ୍, ଏକ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ଏକ ପରୀକ୍ଷଣକୁ ନେଇ ଗଠିତ | ସିଷ୍ଟମ୍
ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପମ୍ପ (ମେକାନିକାଲ୍ ପମ୍ପ, ମଲିକୁଲାର୍ ପମ୍ପ, ଆୟନ ପମ୍ପ, ଏବଂ କଣ୍ଡେନ୍ସେସନ୍ ପମ୍ପ ଇତ୍ୟାଦି) ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ଭଲଭ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଯାହା ଏକ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପରିବେଶ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରିବ | ସାଧାରଣତ achieve ହାସଲ ଯୋଗ୍ୟ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିଗ୍ରୀ ହେଉଛି 10-8 ରୁ 10-11 ଟୋର | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ମୁଖ୍ୟତ three ତିନୋଟି ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ୱାର୍କିଂ ଚାମ୍ବର ଅଛି, ଯଥା ନମୁନା ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ଚାମ୍ବର, ପ୍ରିଟେରେଟେସନ୍ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଚାମ୍ବର ଏବଂ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚାମ୍ବର |
ଅନ୍ୟ ଚାମ୍ବରଗୁଡିକର ଉଚ୍ଚ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ନମୁନାକୁ ବାହ୍ୟ ଜଗତକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତର କରିବାକୁ ନମୁନା ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ଚାମ୍ବର ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ପ୍ରିଟେରେଟେସନ୍ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ବିଶ୍ଳେଷଣ ଚାମ୍ବର ନମୁନା ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ଚାମ୍ବର ଏବଂ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକୋଷ୍ଠକୁ ସଂଯୋଗ କରେ, ଏବଂ ଏହାର ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟ ହେଉଛି ନମୁନାକୁ ପ୍ରି-ପ୍ରୋସେସ୍ କରିବା (ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠର ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ପରିଷ୍କାରତାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଡିଗାସିଂ) ଏବଂ ପ୍ରାଥମିକ ପୃଷ୍ଠ ବିଶ୍ଳେଷଣ କରିବା | ସଫା ନମୁନା; ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକୋଷ୍ଠ ହେଉଛି MBE ସିଷ୍ଟମର ମୂଳ ଅଂଶ, ମୁଖ୍ୟତ a ଏକ ଉତ୍ସ ଚୁଲା ଏବଂ ଏହାର ଅନୁରୂପ ସଟର ଆସେମ୍ବଲି, ଏକ ନମୁନା କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ କନସୋଲ୍, କୁଲିଂ ସିଷ୍ଟମ୍, ପ୍ରତିଫଳନ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଡିଫ୍ରାକ୍ସନ୍ (RHEED) ଏବଂ ଏକ ଇନ୍-ସିଟ୍ ମନିଟରିଂ ସିଷ୍ଟମ୍ | । କିଛି ଉତ୍ପାଦନ MBE ଉପକରଣରେ ଏକାଧିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଚାମ୍ବର ବିନ୍ୟାସ ଅଛି | MBE ଉପକରଣ ସଂରଚନାର ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର ନିମ୍ନରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି:
ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀର MBE ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ କୁ କଞ୍ଚାମାଲ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରେ, ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଭାକ୍ୟୁମ୍ (10-10 ～ 10-11 ଟୋର) ଅବସ୍ଥାରେ ବ ows େ, ଏବଂ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ତାପମାତ୍ରା 600 ～ 900 ℃, ଗା (ପି-ପ୍ରକାର) ଏବଂ Sb ସହିତ | N- ପ୍ରକାର) ଡୋପିଂ ଉତ୍ସ ଭାବରେ | ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ଡୋପିଂ ଉତ୍ସ ଯେପରିକି P, As ଏବଂ B କ୍ୱଚିତ୍ ବିମ୍ ଉତ୍ସ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ କାରଣ ବାଷ୍ପୀଭୂତ ହେବା କଷ୍ଟକର |
MBE ର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଏକ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପରିବେଶ ଅଛି, ଯାହା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ହାରାହାରି ମୁକ୍ତ ପଥକୁ ବ increases ାଇଥାଏ ଏବଂ ବ growing ୁଥିବା ପଦାର୍ଥ ପୃଷ୍ଠରେ ପ୍ରଦୂଷଣ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ | ପ୍ରସ୍ତୁତ ହୋଇଥିବା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଭଲ ଭୂପୃଷ୍ଠ ମର୍ଫୋଲୋଜି ଏବଂ ସମାନତା ଅଛି, ଏବଂ ଏହାକୁ ବିଭିନ୍ନ ଡୋପିଂ କିମ୍ବା ବିଭିନ୍ନ ପଦାର୍ଥ ଉପାଦାନ ସହିତ ଏକ ମଲ୍ଟିଲାୟର୍ structure ାଞ୍ଚାରେ ତିଆରି କରାଯାଇପାରିବ |
MBE ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏକ ପରମାଣୁ ସ୍ତରର ଘନତା ସହିତ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ପତଳା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକର ବାରମ୍ବାର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାସଲ କରେ, ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ମଧ୍ୟରେ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ଖରାପ ଅଟେ | ଏହା III-V ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ମଲ୍ଟି-କମ୍ପୋନେଣ୍ଟ ହେଟେରୋଜେନିୟସ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରେ | ବର୍ତ୍ତମାନ, ଏକ ନୂତନ ପି generation ଼ିର ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ MBE ସିଷ୍ଟମ୍ ଏକ ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣରେ ପରିଣତ ହୋଇଛି | MBE ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଧୀର ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାର, ଉଚ୍ଚ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ଆବଶ୍ୟକତା, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଉପକରଣ ଏବଂ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ବ୍ୟବହାର ଖର୍ଚ୍ଚ |
3.11 ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି ସିଷ୍ଟମ୍ |
ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି (VPE) ସିଷ୍ଟମ୍ ଏକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉପକରଣକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଗ୍ୟାସୀୟ ଯ ounds ଗିକକୁ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟକୁ ପରିବହନ କରିଥାଏ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସମାନ ଲାଟାଇସ୍ ବ୍ୟବସ୍ଥା ସହିତ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥ ସ୍ତର ପାଇଥାଏ | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଏକ ହୋମୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର (Si / Si) କିମ୍ବା ହେଟେରୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର (SiGe / Si, SiC / Si, GaN / Al2O3, ଇତ୍ୟାଦି) ହୋଇପାରେ | ସମ୍ପ୍ରତି, ନାନୋମେଟେରିଆଲ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି, ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ, ସ ar ର ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ସ ଏବଂ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ VPE ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଛି |
ସାଧାରଣ VPE ରେ ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ ଏପିଟାକ୍ସି ଏବଂ ହ୍ରାସ ହୋଇଥିବା ଚାପ ଏପିଟାକ୍ସି, ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା, ଧାତୁ ଜ organic ବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଇତ୍ୟାଦି ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ ହୁଏ | ଚାପ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ସ୍ଥିରତା, କଣିକା ଏବଂ ତ୍ରୁଟି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଇତ୍ୟାଦି |
ବର୍ତ୍ତମାନ, ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ବାଣିଜ୍ୟିକ VPE ସିଷ୍ଟମର ବିକାଶ ଦିଗ ହେଉଛି ବୃହତ ୱେଫର୍ ଲୋଡିଂ, ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାର ବାସ୍ତବ ସମୟ ମନିଟରିଂ | VPE ସିଷ୍ଟମର ତିନୋଟି ସଂରଚନା ଅଛି: ଭୂଲମ୍ବ, ଭୂସମାନ୍ତର ଏବଂ ସିଲିଣ୍ଡ୍ରିକ୍ | ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀରେ ପ୍ରତିରୋଧ ଗରମ, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ ଏବଂ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ରେଡିଏସନ୍ ଗରମ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ବର୍ତ୍ତମାନ, VPE ସିଷ୍ଟମ୍ ଗୁଡିକ ପ୍ରାୟତ hor ଭୂସମାନ୍ତର ଡିସ୍କ ସଂରଚନା ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି, ଯେଉଁଥିରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ବଡ଼ ୱେଫର୍ ଲୋଡିଙ୍ଗର ଭଲ ସମାନତାର ଗୁଣ ରହିଛି | VPE ସିଷ୍ଟମ୍ ସାଧାରଣତ four ଚାରୋଟି ଅଂଶ ଧାରଣ କରିଥାଏ: ରିଆକ୍ଟର, ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ, ଗ୍ୟାସ୍ ପାଥ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ | କାରଣ GaA ଏବଂ GaN epitaxial ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସମୟ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଲମ୍ବା, ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧ ଗରମ ପ୍ରାୟତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସିଲିକନ୍ VPE ରେ, ମୋଟା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରାୟତ ind ଇନଡକ୍ସନ୍ ଗରମ ବ୍ୟବହାର କରେ | ପତଳା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଦ୍ରୁତ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି / ପତନର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଗରମ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ |
3.12 ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି ସିଷ୍ଟମ୍ |
ଲିକ୍ୱିଡ୍ ଫେଜ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE) ସିଷ୍ଟମ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉପକରଣକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ବ be ିବାକୁ ଥିବା ପଦାର୍ଥକୁ (ଯେପରିକି ସି, ଗା, ଆସ, ଅଲ୍ ଇତ୍ୟାଦି) ଏବଂ ଡୋପାଣ୍ଟସ୍ (ଯେପରିକି Zn, Te, Sn, ଇତ୍ୟାଦି) କୁ ଦ୍ରବଣ କରିଥାଏ | ଏକ ନିମ୍ନ ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ ସହିତ ଧାତୁ (ଯେପରିକି ଗା, ଇନ୍, ଇତ୍ୟାଦି), ଯାହା ଦ୍ sol ାରା ଦ୍ରବଣରେ ସଲ୍ୟୁଟ୍ ସନ୍ତୁଳିତ କିମ୍ବା ସୁପରସାଟୁରେଟେଡ୍ ହୋଇଯାଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସମାଧାନ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ ହୁଏ, ଏବଂ ସଲ୍ୟୁଟ୍ ଦ୍ରବଣରୁ ନିର୍ଗତ ହୁଏ | ଧୀରେ ଧୀରେ ଥଣ୍ଡା ହୋଇଯାଏ, ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ସହିତ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥର ଏକ ସ୍ତର ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସମାନ ପରି ଲାଟାଇସ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ବ grown ିଥାଏ |
LPE ପଦ୍ଧତି ନେଲସନ ଏବଂ ଅନ୍ୟମାନଙ୍କ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତାବିତ ହୋଇଥିଲା | ଏହା ସି ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଏବଂ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ, ତଥା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯେପରିକି III-IV ଗୋଷ୍ଠୀ ଏବଂ ମର୍କୁରୀ କ୍ୟାଡମିୟମ୍ ଟେଲୁରିଡ୍ ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ଏହା ବିଭିନ୍ନ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ, ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଉପକରଣ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଏବଂ ସ ar ର କୋଷ ତିଆରିରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ।
————————————————————————————————————————————————— ————————————-
ସେମିସେରା ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, ନରମ / କଠିନ ଅନୁଭବ |, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, CVD ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶ |, ଏବଂSiC / TaC ଆବୃତ ଅଂଶଗୁଡିକ |30 ଦିନ ସହିତ
ଯଦି ଆପଣ ଉପରୋକ୍ତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଗ୍ରହୀ,ଦୟାକରି ପ୍ରଥମ ଥର ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ କୁଣ୍ଠାବୋଧ କରନ୍ତୁ ନାହିଁ |
ଟେଲ: + 86-13373889683
ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -201-2024 |