ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍, ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଏବଂ ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ୱାଫର୍ ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ କଞ୍ଚାମାଲ | 90% ରୁ ଅଧିକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା, ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ୱାଫର୍ ଉପରେ ନିର୍ମିତ |
ୱେଫର୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ଉପକରଣ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବ୍ୟାସ ଏବଂ ଦ length ର୍ଘ୍ୟର ସିଲିକନ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ଶୁଦ୍ଧ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ତିଆରି କରିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୁ refers ାଏ, ଏବଂ ତାପରେ ସିଲିକନ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ସାମଗ୍ରୀକୁ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ରାସାୟନିକ ଚିକିତ୍ସା ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |
ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ କିମ୍ବା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ କରୁଥିବା ଯନ୍ତ୍ର ଯାହା କିଛି ଜ୍ୟାମିତିକ ସଠିକତା ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ ଏବଂ ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଯୋଗାଏ |
200 ମିଲିମିଟରରୁ କମ୍ ବ୍ୟାସ ବିଶିଷ୍ଟ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ ପାଇଁ ସାଧାରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରବାହ ହେଉଛି:
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି → ଟ୍ରଙ୍କେସନ୍ → ବାହ୍ୟ ବ୍ୟାସ ଗଡ଼ିବା → ସ୍ଲାଇସିଂ → ଚାମ୍ଫେରିଙ୍ଗ୍ → ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ → ଇଚିଂ → ଗେଟରିଂ → ପଲିସିଂ → ସଫା କରିବା → ଏପିଟାକ୍ସି → ପ୍ୟାକେଜିଂ ଇତ୍ୟାଦି |
300 ମିଲିମିଟର ବ୍ୟାସ ବିଶିଷ୍ଟ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରବାହ ହେଉଛି:
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି → ଟ୍ରଙ୍କେସନ୍ → ବାହ୍ୟ ବ୍ୟାସ ଗଡ଼ିବା → ସ୍ଲାଇସିଂ → ଚାମ୍ଫେରିଙ୍ଗ୍ → ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ → ଇଚିଂ → ଏଜ୍ ପଲିସିଂ → ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ପଲିସିଂ → ଏକକ ପାର୍ଶ୍ pol ପଲିସିଂ → ଅନ୍ତିମ ସଫେଇ → ଏପିଟାକ୍ସି / ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ → ପ୍ୟାକେଜିଂ ଇତ୍ୟାଦି |
1. ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ
ସିଲିକନ୍ ହେଉଛି ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ କାରଣ ଏଥିରେ 4 ଟି ଭାଲେନ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଅଛି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉପାଦାନ ସହିତ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଟେବୁଲର ଗ୍ରୁପ୍ IVA ରେ ଅଛି |
ସିଲିକନରେ ଭାଲେନ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସଂଖ୍ୟା ଏହାକୁ ଏକ ଭଲ କଣ୍ଡକ୍ଟର (1 ଭାଲେନ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍) ଏବଂ ଏକ ଇନସୁଲେଟର (8 ଭାଲେନ୍ସ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍) ମଧ୍ୟରେ ରଖିଥାଏ |
ଶୁଦ୍ଧ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରକୃତିରେ ମିଳୁନାହିଁ ଏବଂ ଏହାକୁ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ ଶୁଦ୍ଧ କରିବା ପାଇଁ ବାହାର କରାଯିବା ଏବଂ ଶୁଦ୍ଧ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏହା ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକା (ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ କିମ୍ବା SiO2) ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସିଲିକେଟ୍ ରେ ମିଳିଥାଏ |
SiO2 ର ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଫର୍ମରେ ଗ୍ଲାସ୍, ରଙ୍ଗହୀନ ସ୍ଫଟିକ୍, କ୍ୱାର୍ଟଜ୍, ଆଗେଟ୍ ଏବଂ ବିଲେଇର ଆଖି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ରଥମ ପଦାର୍ଥ 1940 ଦଶକ ଏବଂ 1950 ଦଶକ ପୂର୍ବରୁ ଜର୍ମାନି ଥିଲା, କିନ୍ତୁ ଏହାକୁ ଶୀଘ୍ର ସିଲିକନ୍ ଦ୍ୱାରା ବଦଳାଯାଇଥିଲା |
ଚାରୋଟି ମୁଖ୍ୟ କାରଣ ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ ମୁଖ୍ୟ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ମନୋନୀତ ହେଲା:
ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀର ପ୍ରଚୁରତା |: ସିଲିକନ୍ ହେଉଛି ପୃଥିବୀର ଦ୍ୱିତୀୟ ସର୍ବାଧିକ ଉପାଦାନ, ଯାହା ପୃଥିବୀର ଭୂତଳର 25% ଅଟେ |
ସିଲିକନ୍ ପଦାର୍ଥର ଉଚ୍ଚ ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ ଏକ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହନଶୀଳତାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |: 1412 ° C ରେ ସିଲିକନ୍ ର ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ 937 ° C ରେ ଜର୍ମାନୀର ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟଠାରୁ ବହୁତ ଅଧିକ | ଉଚ୍ଚ ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ ସିଲିକନ୍ କୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଏକ ବ୍ୟାପକ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର ଅଛି |;
ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (SiO2) ର ପ୍ରାକୃତିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି |: SiO2 ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ, ସ୍ଥିର ବ electrical ଦୁତିକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କୁ ବାହ୍ୟ ପ୍ରଦୂଷଣରୁ ରକ୍ଷା କରିବା ପାଇଁ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ | ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟରେ ସଂଲଗ୍ନ କଣ୍ଡକ୍ଟର ମଧ୍ୟରେ ଲିକ୍ ନହେବା ପାଇଁ ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ସ୍ଥିରତା ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | SiO2 ପଦାର୍ଥର ସ୍ଥିର ପତଳା ସ୍ତର ବ grow ିବାର କ୍ଷମତା ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଧାତୁ-ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର (MOS-FET) ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମ fundamental ଳିକ ଅଟେ | ସିଲିକନ୍ ସହିତ ସିଓ 2 ର ସମାନ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଅଛି, ଅଧିକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ୱର୍ପିଂ ବିନା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
2. ୱାଫର୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ୱାଫରଗୁଡିକ ବଲ୍କ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀରୁ କଟାଯାଇଥାଏ | ଏହି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପଦାର୍ଥକୁ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ କୁହାଯାଏ, ଯାହା ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ଏବଂ ଅନାବୃତ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପଦାର୍ଥର ଏକ ବଡ଼ ବ୍ଲକରୁ ବ grown ିଥାଏ |
ଏକ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ବ୍ଲକ୍ କୁ ଏକ ବୃହତ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ରେ ରୂପାନ୍ତର କରିବା ଏବଂ ଏହାକୁ ସଠିକ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ଏବଂ ଉପଯୁକ୍ତ ପରିମାଣର N- ପ୍ରକାର କିମ୍ବା ପି-ପ୍ରକାରର ଡୋପିଂ ଦେବା ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି କୁହାଯାଏ |
ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ସବୁଠାରୁ ସାଧାରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ହେଉଛି କୋଜୋକ୍ରାଲସ୍କି ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପଦ୍ଧତି |
2.1 Czochralski ପଦ୍ଧତି ଏବଂ Czochralski ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲା |
Czochralski (CZ) ପଦ୍ଧତି, Czochralski (CZ) ପଦ୍ଧତି ଭାବରେ ମଧ୍ୟ ଜଣାଶୁଣା, ତରଳ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର-ଗ୍ରେଡ୍ ସିଲିକନ୍ ତରଳକୁ ସଠିକ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ସହିତ କଠିନ ଏକକ-ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ରେ ପରିଣତ କରିବା ଏବଂ N- ପ୍ରକାର କିମ୍ବା P- ରେ ଡୋପ୍ କରିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସୂଚିତ କରେ | ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ |
ସମ୍ପ୍ରତି, 85% ରୁ ଅଧିକ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ Czochralski ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରି ଚାଷ କରାଯାଏ |
ଏକ Czochralski ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲା ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଏକ ଉଚ୍ଚ ଉଚ୍ଚ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ କିମ୍ବା ବିରଳ ଗ୍ୟାସ୍ (କିମ୍ବା ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଗ୍ୟାସ୍) ସୁରକ୍ଷା ପରିବେଶରେ ଗରମ କରି ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ପଲିସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀକୁ ତରଳ ପଦାର୍ଥରେ ତରଳାଇଥାଏ, ଏବଂ ତାପରେ ସେମାନଙ୍କୁ ପୁନ cry ସ୍ଥାପିତ କରି ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବାହ୍ୟ ସହିତ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଗଠନ କରେ | ପରିମାପ |
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲା ର କାର୍ଯ୍ୟ ନୀତି ହେଉଛି ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ପଦାର୍ଥର ଏକ ତରଳ ଅବସ୍ଥାରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ପଦାର୍ଥରେ ପୁନ ry ସ୍ଥାପନ କରିବାର ଭ physical ତିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
CZ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାକୁ ଚାରି ଭାଗରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ଚୁଲା ଶରୀର, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ଗରମ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ଗ୍ୟାସ୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ |
ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଶରୀରରେ ଏକ ଚୁଲା ଗୁହାଳ, ଏକ ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ୍ ଅକ୍ଷ, ଏକ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ କ୍ରୁସିବଲ୍, ଏକ ଡୋପିଂ ଚାମଚ, ଏକ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆବରଣ ଏବଂ ଏକ ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ ୱିଣ୍ଡୋ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |
ଚୁଲିର ଗୁହାଳ ହେଉଛି ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ଯେ ଚୁଲାର ତାପମାତ୍ରା ସମାନ ଭାବରେ ବଣ୍ଟିତ ହୋଇଛି ଏବଂ ଉତ୍ତାପକୁ ଭଲ ଭାବରେ ବିସ୍ତାର କରିପାରେ; ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ୍ ଶାଫ୍ଟ ଉପର ଏବଂ ତଳ ଏବଂ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ପାଇଁ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚଳାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଅଶୁଦ୍ଧତାକୁ ଡୋପିଂ ଚାମଚରେ ରଖାଯାଏ;
ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ ଆବରଣ ହେଉଛି ବିହନ ସ୍ଫଟିକକୁ ପ୍ରଦୂଷଣରୁ ରକ୍ଷା କରିବା | ମେକାନିକାଲ୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ମୁଖ୍ୟତ the ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ କ୍ରୁସିବଲ୍ ର ଗତିକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ସିଲିକନ୍ ସଲ୍ୟୁସନ୍ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ନହେବାକୁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ, ଚୁଲିରେ ଥିବା ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିଗ୍ରୀ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ସାଧାରଣତ 5 5 ଟୋର ତଳେ, ଏବଂ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ଇର୍ଟ ଗ୍ୟାସର ଶୁଦ୍ଧତା 99.9999% ରୁ ଅଧିକ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |
ଇଚ୍ଛିତ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ର ଏକ ଖଣ୍ଡ ଏକ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ଏକ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ବ grown ଼ିଥିବା ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ବିହନ ସ୍ଫଟିକର ପ୍ରତିକୃତି ପରି |
ତରଳାଯାଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ଇଣ୍ଟରଫେସରେ ଥିବା ଅବସ୍ଥାକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏହି ସର୍ତ୍ତଗୁଡିକ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ସିଲିକନ୍ ର ପତଳା ସ୍ତର ବିହନ ସ୍ଫଟିକର ସଂରଚନାକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନକଲ କରିପାରିବ ଏବଂ ଶେଷରେ ଏକ ବୃହତ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ରେ ବ grow ିବ |
2.2 ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଏକକ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ |
ଫ୍ଲୋଟ୍ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି (FZ) ଅତ୍ୟଧିକ କମ୍ ଅମ୍ଳଜାନ ସହିତ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଇଙ୍ଗୋଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରେ | ଫ୍ଲୋଟ୍ ଜୋନ୍ ପଦ୍ଧତି 1950 ଦଶକରେ ବିକଶିତ ହୋଇଥିଲା ଏବଂ ଆଜି ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଶୁଦ୍ଧ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ |
ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାକୁ ଏକ ଚୁଲାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଏକ ଉଚ୍ଚ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ କିମ୍ବା ବିରଳ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଗ୍ୟାସରେ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ରଡ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଶରୀରର ଏକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ଅଞ୍ଚଳ ଦେଇ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ରଡରେ ଏକ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ତରଳିବା ଜୋନ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଜୋନ୍ ତରଳିବାର ନୀତି ବ୍ୟବହାର କରେ | ସୁରକ୍ଷା ପରିବେଶ |
ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣ ଯାହା ତରଳିବା ସ୍ଥାନକୁ ଘୁଞ୍ଚାଇବା ପାଇଁ ଏକ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ରଡ୍ କିମ୍ବା ଏକ ଚୁଲା ଗରମ ଶରୀରକୁ ଘୁଞ୍ଚାଏ ଏବଂ ଧୀରେ ଧୀରେ ଏହାକୁ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ବାଡ଼ିରେ ସ୍ଫଟିକ୍ କରେ |
ଜୋନ୍ ତରଳିବା ପ୍ରଣାଳୀ ଦ୍ single ାରା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାର ବ istic ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଯେ ସ୍ଫଟିକୀକରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡରେ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ରଡଗୁଡିକର ଶୁଦ୍ଧତା ଉନ୍ନତ ହୋଇପାରିବ ଏବଂ ରଡ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଡୋପିଂ ବୃଦ୍ଧି ଅଧିକ ସମାନ |
ଜୋନ୍ ତରଳୁଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାକୁ ଦୁଇ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ଭାସମାନ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲା ଯାହା ଭୂପୃଷ୍ଠ ଟେନ୍ସନ୍ ଏବଂ ଭୂସମାନ୍ତର ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ | ବ୍ୟବହାରିକ ପ୍ରୟୋଗରେ, ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲା ସାଧାରଣତ flo ଭାସମାନ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଗ୍ରହଣ କରେ |
ଜୋନ୍ ତରଳୁଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲା ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା କମ୍-ଅମ୍ଳଜାନ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିପାରିବ | ଏହା ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରତିରୋଧକତା (> 20kΩ · cm) ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ଏବଂ ଜୋନ୍ ତରଳିବା ସିଲିକନ୍ କୁ ଶୁଦ୍ଧ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହି ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତ disc ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଜୋନ୍ ତରଳୁଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାରେ ଏକ ଚୁଲା ଚାମ୍ବର, ଏକ ଉପର ଶାଫ୍ଟ ଏବଂ ଏକ ନିମ୍ନ ଶାଫ୍ଟ (ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ଅଂଶ), ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ଚକ୍, ଏକ ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚକ୍, ଏକ ଉତ୍ତାପ କୋଇଲ୍ (ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଜେନେରେଟର), ଗ୍ୟାସ୍ ପୋର୍ଟ (ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପୋର୍ଟ, ଗ୍ୟାସ୍ ଇନଲେଟ୍, ଉପର ଗ୍ୟାସ୍ ଆଉଟଲେଟ୍) ଇତ୍ୟାଦି |
ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଚାମ୍ବର structure ାଞ୍ଚାରେ ଥଣ୍ଡା ଜଳ ପ୍ରବାହର ବ୍ୟବସ୍ଥା କରାଯାଇଛି | ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାର ଉପର ଶାଫ୍ଟର ତଳ ମୁଣ୍ଡ ହେଉଛି ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ଚକ୍, ଯାହା ଏକ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ବାଡିକୁ ବନ୍ଦ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ନିମ୍ନ ଶାଫ୍ଟର ଉପର ମୁଣ୍ଡ ହେଉଛି ଏକ ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ୍ ଚକ୍, ଯାହା ବିହନ ସ୍ଫଟିକକୁ ବନ୍ଦ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଉତ୍ତାପ କୋଇଲକୁ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣ ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଏ, ଏବଂ ନିମ୍ନ ପ୍ରାନ୍ତରୁ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ରଡରେ ଏକ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ତରଳିବା ଜୋନ୍ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ସେହି ସମୟରେ, ଉପର ଏବଂ ତଳ ଅକ୍ଷଗୁଡ଼ିକ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରେ ଏବଂ ଅବତରଣ କରେ, ଯାହାଫଳରେ ତରଳିବା ଜୋନ୍ ଏକ ସ୍ଫଟିକରେ ସ୍ଫଟିକ୍ ହୋଇଯାଏ |
ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଏହା କେବଳ ପ୍ରସ୍ତୁତ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକର ଶୁଦ୍ଧତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ ନାହିଁ, ବରଂ ରଡ୍ ଡୋପିଂ ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ଅଧିକ ସମାନ କରିପାରେ ଏବଂ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ଏକାଧିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଶୁଦ୍ଧ ହୋଇପାରିବ |
ଜୋନ୍ ତରଳିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଚୁଲାରେ ଥିବା ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଉଚ୍ଚ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଖର୍ଚ୍ଚ ଏବଂ ପ୍ରସ୍ତୁତ ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ଛୋଟ ବ୍ୟାସ | ସମ୍ପ୍ରତି, ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ସର୍ବାଧିକ ବ୍ୟାସ ଯାହା 200 ମିମି ପ୍ରସ୍ତୁତ ହୋଇପାରିବ |
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ତରଳୁଥିବା ଜୋନର ସାମଗ୍ରିକ ଉଚ୍ଚତା ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ, ଏବଂ ଉପର ଏବଂ ତଳ କୁମ୍ଭର ଷ୍ଟ୍ରୋକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଲମ୍ବା, ତେଣୁ ଲମ୍ବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ବ grown ିପାରେ |
ୱାଫର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଏବଂ ଯନ୍ତ୍ରପାତି |
ଏକ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗଠନ ପାଇଁ ସ୍ଫଟିକ୍ ରଡ୍ ଅନେକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦେଇ ଗତି କରିବା ଆବଶ୍ୟକ କରେ ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ, ଯଥା ୱେଫର୍ | ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣର ମ process ଳିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି:
ଟମ୍ବିଂ, କାଟିବା, କାଟିବା, ୱେଫର୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍, ଚାମ୍ଫେରିଙ୍ଗ୍, ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ, ପଲିସିଂ, ସଫା କରିବା ଏବଂ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଇତ୍ୟାଦି |
3.1 ୱାଫର୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ |
ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ କୋଜୋକ୍ରାଲସ୍କି ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ରେ ଅମ୍ଳଜାନ ଥାଏ | ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରାରେ, ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ରେ ଥିବା ଅମ୍ଳଜାନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଦାନ କରିବ ଏବଂ ଅମ୍ଳଜାନ ଅମ୍ଳଜାନ ଦାତାରେ ପରିଣତ ହେବ | ଏହି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ରେ ଥିବା ଅପରିଷ୍କାରତା ସହିତ ମିଶି ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ପ୍ରତିରୋଧକତା ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇବ |
ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍: ଏକ ଚୁଲାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଏକ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ କିମ୍ବା ଆର୍ଗନ୍ ପରିବେଶରେ ଚୁଲାର ତାପମାତ୍ରା 1000-1200 ° C କୁ ବ .ାଇଥାଏ | ଉଷ୍ମ ଏବଂ ଥଣ୍ଡା ରଖିବା ଦ୍ the ାରା, ପଲିସ୍ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଅମ୍ଳଜାନ ଅସ୍ଥିର ହୋଇ ଏହାର ପୃଷ୍ଠରୁ ବାହାର କରାଯାଇଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଅମ୍ଳଜାନ ନିର୍ଗତ ହୁଏ ଏବଂ ସ୍ତର ହୋଇଯାଏ |
ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପକରଣ ଯାହା ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ମାଇକ୍ରୋ ତ୍ରୁଟିଗୁଡିକୁ ଦ୍ରବଣ କରେ, ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଅପରିଷ୍କାର ପରିମାଣକୁ ହ୍ରାସ କରେ, ତ୍ରୁଟି ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ପରିଷ୍କାର ସ୍ଥାନ ସୃଷ୍ଟି କରେ |
ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍କୁ ଏହାର ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ହେତୁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଚୁଲା ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରି ମଧ୍ୟ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଗେଟରିଂ ବୋଲି କହିଥାଏ |
ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସରେ ବିଭକ୍ତ:
-ହରିଜୋଣ୍ଟାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍;
-ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍;
-ରାପିଡ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ |
ଏକ ଭୂସମାନ୍ତର ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଚୁଲା ଏବଂ ଏକ ଭୂଲମ୍ବ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଚୁଲା ମଧ୍ୟରେ ମୁଖ୍ୟ ପାର୍ଥକ୍ୟ ହେଉଛି ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠର ଲେଆଉଟ୍ ଦିଗ |
ଭୂସମାନ୍ତର ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବର ଭୂସମାନ୍ତର ଭାବରେ ଗଠିତ ହୋଇଛି, ଏବଂ ଏକ ବ୍ୟାଚ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଏକ ସମୟରେ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପାଇଁ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଲୋଡ୍ ହୋଇପାରିବ | ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସମୟ ସାଧାରଣତ 20 20 ରୁ 30 ମିନିଟ୍ ଅଟେ, କିନ୍ତୁ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ଆବଶ୍ୟକ ତାପମାତ୍ରାରେ ପହଞ୍ଚିବା ପାଇଁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠକୁ ଅଧିକ ଗରମ ସମୟ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ପ୍ରକ୍ରିୟା ମଧ୍ୟ ଏକକାଳୀନ ଏକ ବ୍ୟାଚ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଲୋଡ୍ କରିବାର ପଦ୍ଧତିକୁ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଲୋଡ୍ କରିବାର ପଦ୍ଧତି ଗ୍ରହଣ କରେ | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଏକ ଭୂଲମ୍ବ ସଂରଚନା ଲେଆଉଟ୍ ଅଛି, ଯାହା ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଏକ ଭୂସମାନ୍ତର ଅବସ୍ଥାରେ ଏକ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଡଙ୍ଗାରେ ରଖିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ |
ସେହି ସମୟରେ, ଯେହେତୁ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଡଙ୍ଗା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରିପାରିବ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠର ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା ସମାନ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଉପରେ ତାପମାତ୍ରା ବଣ୍ଟନ ସମାନ, ଏବଂ ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ସମାନତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି | ଅବଶ୍ୟ, ଭୂଲମ୍ବ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଚୁଲାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ମୂଲ୍ୟ ଭୂସମାନ୍ତର ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଚୁଲା ତୁଳନାରେ ଅଧିକ |
ଦ୍ରୁତ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ କୁ ସିଧାସଳଖ ଗରମ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ହାଲୋଜେନ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଲ୍ୟାମ୍ପ ବ୍ୟବହାର କରେ, ଯାହା 1 ରୁ 250 ° C / s ମଧ୍ୟରେ ବ୍ୟାପକ ଗରମ କିମ୍ବା ଥଣ୍ଡା ହାସଲ କରିପାରିବ | ପାରମ୍ପାରିକ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଅପେକ୍ଷା ଗରମ କିମ୍ବା ଥଣ୍ଡା ହାର ଦ୍ରୁତ ଅଟେ | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠର ତାପମାତ୍ରା 1100 ° C ରୁ ଅଧିକ ଗରମ କରିବାକୁ ଏହା କେବଳ କିଛି ସେକେଣ୍ଡ ସମୟ ନେଇଥାଏ |
————————————————————————————————————————————————— ——
ସେମିସେରା ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |,ନରମ / କଠିନ ଅନୁଭବ |,ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ |, CVD ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଅଂଶ |, ଏବଂSiC / TaC ଆବୃତ ଅଂଶଗୁଡିକ |30 ଦିନରେ ପୂର୍ଣ୍ଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ |
ଯଦି ଆପଣ ଉପରୋକ୍ତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଗ୍ରହୀ, ଦୟାକରି ପ୍ରଥମ ଥର ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ କୁଣ୍ଠାବୋଧ କରନ୍ତୁ ନାହିଁ |
ଟେଲ: + 86-13373889683
ହ୍ ats ାଟସ୍ ଆପ୍: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -26-2024 |