ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଇତିହାସ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ ପ୍ରୟୋଗ |

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ର ବିକାଶ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ |

ସି.ସି.ରେ ଏକ ଶତାବ୍ଦୀର ଇନୋଭେସନ୍ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ର ଯାତ୍ରା 1893 ମସିହାରେ ଆରମ୍ଭ ହୋଇଥିଲା, ଯେତେବେଳେ ଏଡୱାର୍ଡ ଗୁଡ୍ରିଚ୍ ଆକେସନ୍ ଆକ୍ସନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଡିଜାଇନ୍ କରିଥିଲେ, କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳର ବ electrical ଦୁତିକ ଉତ୍ତାପ ଦ୍ୱାରା SiC ର ଶିଳ୍ପ ଉତ୍ପାଦନ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ବ୍ୟବହାର କରି | ଏହି ଉଦ୍ଭାବନ SiC ର ଶିଳ୍ପାୟନର ଆରମ୍ଭକୁ ଚିହ୍ନିତ କଲା ଏବଂ ଆକେସନ୍ଙ୍କୁ ଏକ ପେଟେଣ୍ଟ୍ ଅର୍ଜନ କଲା |

ବିଂଶ ଶତାବ୍ଦୀର ପ୍ରାରମ୍ଭରେ, ଏହାର ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ କଠିନତା ଏବଂ ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ ଯୋଗୁଁ SiC ମୁଖ୍ୟତ ab ଘୃଣ୍ୟ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିଲା | ବିଂଶ ଶତାବ୍ଦୀର ମଧ୍ୟଭାଗରେ, ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(CVD) ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ଅଗ୍ରଗତି ନୂତନ ସମ୍ଭାବନାକୁ ଖୋଲିଲା | ରୁଷ୍ଟମ୍ ରୟଙ୍କ ନେତୃତ୍ୱରେ ବେଲ୍ ଲ୍ୟାବ୍ର ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ପ୍ରଥମ ସିସି ଆବରଣ ହାସଲ କରି CVD SiC ପାଇଁ ମୂଳଦୁଆ ପକାଇଲେ |

୧ ss ୦ ଦଶକରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସଫଳତା ଦେଖାଗଲା ଯେତେବେଳେ ୟୁନିଅନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କର୍ପୋରେସନ୍ ଗ୍ୟାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିରେ ସିସି-ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପ୍ରୟୋଗ କଲା | ଏହି ଉନ୍ନତି ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ GaN- ଆଧାରିତ ଏଲଇଡି ଏବଂ ଲେଜରରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥିଲା ​​| ଦଶନ୍ଧି ଧରି, ଉତ୍ପାଦନ କ ques ଶଳର ଉନ୍ନତି ହେତୁ ଏରୋସ୍ପେସ୍, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଏବଂ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପ୍ରୟୋଗରେ ସିସି ଆବରଣ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଠାରୁ ବିସ୍ତାର ହୋଇଛି |

ଆଜି, ଥର୍ମାଲ୍ ସ୍ପ୍ରେ, PVD, ଏବଂ ନାନୋଟେକ୍ନୋଲୋଜି ପରି ଉଦ୍ଭାବନଗୁଡିକ SiC ଆବରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗକୁ ଆହୁରି ବ ancing ାଇଥାଏ, ଅତ୍ୟାଧୁନିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ସମ୍ଭାବନାକୁ ଦର୍ଶାଏ |

2। SiC ର ସ୍ଫଟିକ୍ ଗଠନ ଏବଂ ବ୍ୟବହାର ବୁିବା |
SiC 200 ରୁ ଅଧିକ ପଲିଟାଇପ୍ ପାଇଁ ଗର୍ବ କରେ, ସେମାନଙ୍କର ପରମାଣୁ ବ୍ୟବସ୍ଥା ଦ୍ୱାରା ଘନ (3C), ଷୋଡଶାଳିଆ (H), ଏବଂ ରୋମ୍ବୋହେଡ୍ରାଲ୍ (R) ସଂରଚନାରେ ବର୍ଗୀକୃତ | ଏଥିମଧ୍ୟରୁ 4H-SiC ଏବଂ 6H-SiC ଯଥାକ୍ରମେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିବାବେଳେ β-SiC ଏହାର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ପାଇଁ ମୂଲ୍ୟବାନ |

β-SiC ର |ଅନନ୍ୟ ଗୁଣ, ଯେପରିକି ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି |120-200 W / m · Kଏବଂ ଏକ ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସହିତ ଘନିଷ୍ଠ ଭାବରେ ମେଳ ଖାଉଛି, ଏହାକୁ ୱେଫର୍ ଏପିଟାକ୍ସି ଉପକରଣରେ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆବରଣ ପାଇଁ ପସନ୍ଦିତ ପଦାର୍ଥ କରନ୍ତୁ |

3। SiC ଆବରଣ: ଗୁଣ ଏବଂ ପ୍ରସ୍ତୁତି କ ech ଶଳ |
SiC ଆବରଣ, ସାଧାରଣତ β β-SiC, କଠିନତା, ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ, ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ପରି ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗୁଣ ବ enhance ାଇବା ପାଇଁ ବହୁଳ ଭାବରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ | ପ୍ରସ୍ତୁତିର ସାଧାରଣ ପଦ୍ଧତି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:

• ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(CVD):ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଆଡେସିନ୍ ଏବଂ ସମାନତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ଆବରଣ ପ୍ରଦାନ କରେ, ବଡ଼ ଏବଂ ଜଟିଳ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ |
• ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(PVD):ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଆବରଣ ରଚନା ଉପରେ ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଦାନ କରେ |
• ସ୍ପ୍ରେ କରିବା କ ech ଶଳ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋକେମିକାଲ୍ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ ଏବଂ ସ୍ଲୁରି ଆବରଣ: ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ବ୍ୟୟ-ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ବିକଳ୍ପ ଭାବରେ ସେବା କରନ୍ତୁ, ଯଦିଓ ଆଡିଶିନ୍ ଏବଂ ସମାନତାର ଭିନ୍ନ ସୀମା ସହିତ |

ପ୍ରତ୍ୟେକ ପଦ୍ଧତି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି ଚୟନ କରାଯାଇଛି |

4. MOCVD ରେ SiC-Coated Graphite Susceptors |
ସେମି କଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍ପାଦନରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମେଟାଲ୍ ଅର୍ଗାନିକ୍ କେମିକାଲ୍ ବାଷ୍ପ ଡିପୋଜିସନ (MOCVD) ରେ SiC- ଆଚ୍ଛାଦିତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସସେପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ଅପରିହାର୍ଯ୍ୟ |

ଏହି ସମ୍ବେଦନଶୀଳମାନେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ଦୃ ust ସମର୍ଥନ ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି, ତାପଜ ସ୍ଥିରତାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରନ୍ତି ଏବଂ ଅପରିଷ୍କାର ପ୍ରଦୂଷଣକୁ ହ୍ରାସ କରନ୍ତି | SiC ଆବରଣ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଭୂପୃଷ୍ଠ ଗୁଣ ଏବଂ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ଗୁଣକୁ ମଧ୍ୟ ବ ances ାଇଥାଏ, ଯାହା ଫିଲ୍ମ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ସମୟରେ ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ |

ଭବିଷ୍ୟତ ଆଡକୁ ଅଗ୍ରଗତି କରିବା |
ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବର୍ଷଗୁଡିକରେ, SiC- ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟଗୁଡିକର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ପାଇଁ ମହତ୍ efforts ପୂର୍ଣ ପ୍ରୟାସ କରାଯାଇଛି | ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ କରୁଥିବାବେଳେ ଆବରଣର ଶୁଦ୍ଧତା, ସମାନତା ଏବଂ ଜୀବନକାଳ ବୃଦ୍ଧି ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଉଛନ୍ତି | ଅତିରିକ୍ତ ଭାବରେ, ଅଭିନବ ସାମଗ୍ରୀର ଅନୁସନ୍ଧାନ ପରି |ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (TaC) ଆବରଣ |ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧରେ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଉନ୍ନତି ପ୍ରଦାନ କରେ, ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ସମାଧାନ ପାଇଁ ବାଟ ଖୋଲିଥାଏ |

ସିସି-ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସସପେଟରଗୁଡିକର ଚାହିଦା ବ continues ିବାରେ ଲାଗିଛି, ବ intelligent ଦ୍ଧିକ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ-ମାପ ଉତ୍ପାଦନରେ ଅଗ୍ରଗତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପଗୁଡିକର ବିକାଶ ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଉଚ୍ଚମାନର ଉତ୍ପାଦର ବିକାଶକୁ ଅଧିକ ସମର୍ଥନ କରିବ |