ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ହେଉଛି ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣ ଏବଂ ପ୍ରକାରର ଅପରିଷ୍କାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀରେ ସେମାନଙ୍କର ବ electrical ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ପଦ୍ଧତି | ଅପରିଷ୍କାର ପରିମାଣ ଏବଂ ବଣ୍ଟନ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ |
ଭାଗ 1
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା କାହିଁକି ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |
ଶକ୍ତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନରେ, ପାରମ୍ପରିକର P / N ଅ region ୍ଚଳର ଡୋପିଂ |ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ |ବିସ୍ତାର ଦ୍ୱାରା ହାସଲ କରାଯାଇପାରିବ | ଅବଶ୍ୟ, ଅପରିଷ୍କାର ପରମାଣୁର ବିସ୍ତାର ସ୍ଥିର |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ଚିତ୍ର 1 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ sel ାରା ଚୟନକାରୀ ଡୋପିଂ ହାସଲ କରିବା ଅବାସ୍ତବ ଅଟେ। ଅନ୍ୟ ପଟେ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥା ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ତୁଳନାରେ କମ୍ ଅଟେ, ଏବଂ ଅଧିକ ନମନୀୟ ଏବଂ ସଠିକ୍ ଡୋପିଂ ବଣ୍ଟନ ହୋଇପାରେ | ଗଠନ କର |
ଚିତ୍ର 1 ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ବିସ୍ତାର ଏବଂ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଡୋପିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ତୁଳନା |
ଭାଗ 2
କିପରି ହାସଲ କରିବେ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ସାଧାରଣ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତ an ଏକ ଆୟନ ଉତ୍ସ, ପ୍ଲାଜମା, ଆସ୍ପିରେସନ୍ ଉପାଦାନ, ଆନାଲିଟିକାଲ୍ ଚୁମ୍ବକ, ଆୟନ ବିମ୍, ତ୍ୱରଣ ଟ୍ୟୁବ୍, ପ୍ରୋସେସ୍ ଚାମ୍ବର ଏବଂ ସ୍କାନିଂ ଡିସ୍କକୁ ନେଇ ଚିତ୍ର 2 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
ଚିତ୍ର 2 ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଉପକରଣର ସ୍କିଜେଟିକ୍ ଚିତ୍ର |
(ଉତ୍ସ: “ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା”)
SiC ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ସାଧାରଣତ high ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ କରାଯାଏ, ଯାହା ଆୟନ ବିସ୍ଫୋରଣ ହେତୁ ସ୍ଫଟିକ୍ ଲାଟାଇସର କ୍ଷୟକୁ କମ୍ କରିପାରେ | ପାଇଁ4H-SiC ୱାଫର୍ |, N- ପ୍ରକାରର କ୍ଷେତ୍ରର ଉତ୍ପାଦନ ସାଧାରଣତ nit ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ଏବଂ ଫସଫରସ୍ ଆୟନ ଲଗାଇବା ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଦ୍ୱାରା ହାସଲ ହୁଏ |ପି-ପ୍ରକାର |କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ alum ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଆୟନ ଏବଂ ବୋରନ୍ ଆୟନ ଲଗାଇବା ଦ୍ୱାରା ହାସଲ ହୁଏ |
ସାରଣୀ 1। SiC ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ଚୟନକାରୀ ଡୋପିଙ୍ଗର ଉଦାହରଣ |
(ଉତ୍ସ: କିମୋଟୋ, କପୁର୍, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ମ ament ଳିକତା: ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଚରିତ୍ରକରଣ, ଉପକରଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ)
ଚିତ୍ର 3 ମଲ୍ଟି ଷ୍ଟେପ୍ ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଏବଂ ୱେଫର୍ ଭୂପୃଷ୍ଠ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ବଣ୍ଟନର ତୁଳନା |
(ଉତ୍ସ: ଜି.ଲୁଲି, ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣର ପରିଚୟ)
ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ କ୍ଷେତ୍ରରେ ୟୁନିଫର୍ମ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ହାସଲ କରିବାକୁ, ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନେ ସାଧାରଣତ the ପ୍ରତିରୋପଣ କ୍ଷେତ୍ରର ସାମଗ୍ରିକ ଏକାଗ୍ରତା ବଣ୍ଟନକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ପାଇଁ ମଲ୍ଟି ଷ୍ଟେପ୍ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି (ଚିତ୍ର 3 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି); ପ୍ରକୃତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ପ୍ରତିରୋପଣ ଶକ୍ତି ଏବଂ ପ୍ରତିରୋପଣ ମାତ୍ରାକୁ ସଜାଡି, ଚିତ୍ର 4 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ କ୍ଷେତ୍ରର ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଡୋପିଂ ଗଭୀରତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇପାରିବ | (କ) ଏବଂ (ଖ); ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣକାରୀ ଚିତ୍ର 4 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି କାର୍ଯ୍ୟ ସମୟରେ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଏକାଧିକ ଥର ସ୍କାନ୍ କରି ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସମାନ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ କରିଥାଏ |
(ଗ) ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ସମୟରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ଗତିପଥ |
ଚିତ୍ର 4 ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଅପରିଷ୍କାର ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଗଭୀରତା ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଡୋଜକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୁଏ |
III
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପାଇଁ ଆକ୍ଟିଭେସନ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ଏକାଗ୍ରତା, ବଣ୍ଟନ କ୍ଷେତ୍ର, ସକ୍ରିୟତା ହାର, ଶରୀରରେ ତ୍ରୁଟି ଏବଂ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପୃଷ୍ଠରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ମୁଖ୍ୟ ପାରାମିଟର | ଅନେକ କାରଣ ଅଛି ଯାହା ଏହି ପାରାମିଟରଗୁଡିକର ଫଳାଫଳକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ, ଯଥା ପ୍ରତିରୋପଣ ମାତ୍ରା, ଶକ୍ତି, ପଦାର୍ଥର ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ, ପ୍ରତିରୋପଣ ତାପମାତ୍ରା, ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା, ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ସମୟ, ପରିବେଶ ଇତ୍ୟାଦି, ସିଲିକନ୍ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଡୋପିଂ ପରି, ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଆୟନାଇଜ୍ କରିବା କଷ୍ଟକର | ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଡୋପିଂ ପରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଅପରିଷ୍କାରତା | 4H-SiC ର ନିରପେକ୍ଷ ଅଞ୍ଚଳରେ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଗ୍ରହଣକାରୀ ଆୟନାଇଜେସନ୍ ହାରକୁ ଏକ ଉଦାହରଣ ଭାବରେ ଗ୍ରହଣ କରିବା, 1 × 1017cm-3 ର ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତାରେ, କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ ଗ୍ରହଣକାରୀ ଆୟନାଇଜେସନ୍ ହାର ପ୍ରାୟ 15% ଅଟେ (ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍ ର ଆୟନାଇଜେସନ୍ ହାର ପ୍ରାୟ | 100%) ଉଚ୍ଚ ସକ୍ରିୟତା ହାର ଏବଂ କମ୍ ତ୍ରୁଟିର ଲକ୍ଷ୍ୟ ହାସଲ କରିବାକୁ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରାଯିବ, ପ୍ରତିରୋପଣ ସମୟରେ ଉତ୍ପନ୍ନ ଆମୋରଫସ୍ ତ୍ରୁଟିଗୁଡ଼ିକୁ ପୁନ ry ସ୍ଥାପନ କରିବା ପାଇଁ, ଯାହା ଦ୍ impl ାରା ପ୍ରତିରୋପିତ ପରମାଣୁଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରତିସ୍ଥାପନ ସ୍ଥାନକୁ ପ୍ରବେଶ କରି ସକ୍ରିୟ ହୋଇଥା’ନ୍ତି | ଚିତ୍ର 5 ରେ, ବର୍ତ୍ତମାନ, ଆନ୍ନାଲିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଯନ୍ତ୍ରକ people ଶଳ ବିଷୟରେ ଲୋକଙ୍କ ବୁ understanding ାମଣା ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସୀମିତ ଅଛି | ଭବିଷ୍ୟତରେ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ଏକ ଗବେଷଣା ଧ୍ୟାନ ମଧ୍ୟରୁ ଆନ୍ନାଲିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ଗଭୀର ଭାବରେ ବୁ understanding ିବା |
ଚିତ୍ର 5 ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ କ୍ଷେତ୍ରର ପୃଷ୍ଠରେ ପରମାଣୁ ବ୍ୟବସ୍ଥାର ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର ପରିବର୍ତ୍ତନ, ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପୂର୍ବରୁ ଏବଂ ପରେ, ଯେଉଁଠାରେ Vsiସିଲିକନ୍ ଖାଲି ପଦଗୁଡିକ, V କୁ ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରେ |Cଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ପଦବୀକୁ ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରେ, Ciଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ପରମାଣୁ ଏବଂ Si କୁ ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରେ |iସିଲିକନ୍ ଭରିବା ପରମାଣୁକୁ ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରେ |
ଆଇନ୍ ଆକ୍ଟିଭେସନ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ସାଧାରଣତ f ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍, ଦ୍ରୁତ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ଲେଜର ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | SiC ସାମଗ୍ରୀରେ ସି ପରମାଣୁର ସବଲିମିସନ୍ ହେତୁ, ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା ସାଧାରଣତ 1800 1800 over ରୁ ଅଧିକ ହୁଏ ନାହିଁ | ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ବାତାବରଣ ସାଧାରଣତ an ଏକ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଗ୍ୟାସ୍ କିମ୍ବା ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ କରାଯାଏ | ବିଭିନ୍ନ ଆୟନ SiC ରେ ବିଭିନ୍ନ ତ୍ରୁଟି କେନ୍ଦ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ଅଧିକାଂଶ ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ଫଳାଫଳରୁ, ଏହା ସିଦ୍ଧାନ୍ତ ନିଆଯାଇପାରେ ଯେ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା ଯେତେ ଅଧିକ, ସକ୍ରିୟତା ହାର ମଧ୍ୟ ଅଧିକ ହେବ (ଚିତ୍ର 6 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି) |
ଚିତ୍ର 6 SiC ରେ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ କିମ୍ବା ଫସଫରସ୍ ପ୍ରତିରୋପଣର ବ electrical ଦୁତିକ ସକ୍ରିୟତା ହାରରେ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରାର ପ୍ରଭାବ (କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ) |
(ମୋଟ ପ୍ରତିରୋପଣ ମାତ୍ରା 1 × 1014cm-2)
(ଉତ୍ସ: କିମୋଟୋ, କପୁର୍, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ମ ament ଳିକତା: ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଚରିତ୍ରକରଣ, ଉପକରଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ)
SiC ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପରେ ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ଆକ୍ଟିଭେସନ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା 1600 ℃ ~ 1700 at ରେ ଏକ ଆର୍ ବାୟୁମଣ୍ଡଳରେ କରାଯାଏ, SiC ପୃଷ୍ଠକୁ ପୁନ ry ସ୍ଥାପିତ କରିବା ଏବଂ ଡୋପାଣ୍ଟକୁ ସକ୍ରିୟ କରିବା, ଯାହା ଦ୍ the ାରା ଡୋପେଡ୍ ଅଞ୍ଚଳର ଗତିଶୀଳତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ; ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପୂର୍ବରୁ, ଚିତ୍ର 7 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ସି ଡିସର୍ପସନ୍ ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ପରମାଣୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରଣ ଦ୍ surface ାରା ଭୂପୃଷ୍ଠର ଅବକ୍ଷୟକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଭଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ କାର୍ବନ ଫିଲ୍ମର ଏକ ସ୍ତର ଆବୃତ କରାଯାଇପାରେ | ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ପରେ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ଅମ୍ଳଜାନ କିମ୍ବା କ୍ଷୟ ଦ୍ୱାରା ବାହାର କରାଯାଇପାରିବ |
ଚିତ୍ର 7 4H-SiC ୱାଫରଗୁଡିକର ଭୂପୃଷ୍ଠର ରୁଗ୍ଣତା 1800 ℃ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ସୁରକ୍ଷା ସହିତ କିମ୍ବା ବିନା |
(ଉତ୍ସ: କିମୋଟୋ, କପୁର୍, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ମ ament ଳିକତା: ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଚରିତ୍ରକରଣ, ଉପକରଣ ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ)
IV
SiC ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଏବଂ ଆକ୍ଟିଭେସନ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ପ୍ରଭାବ |
ଆଇନ୍ ପ୍ରତିରୋପଣ ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଆକ୍ଟିଭେସନ୍ ଆନ୍ଲିଙ୍ଗ୍ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ତ୍ରୁଟି ଉତ୍ପାଦନ କରିବ ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ: ଜଟିଳ ବିନ୍ଦୁ ତ୍ରୁଟି, ଷ୍ଟାକିଂ ତ୍ରୁଟି (ଚିତ୍ର 8 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି), ନୂତନ ସ୍ଥାନାନ୍ତର, ଅସ୍ଥାୟୀ କିମ୍ବା ଗଭୀର ଶକ୍ତି ସ୍ତରର ତ୍ରୁଟି, ବେସାଲ୍ ପ୍ଲେନ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଲୁପ୍ ଏବଂ ବିଦ୍ୟମାନ ସ୍ଥାନାନ୍ତରର ଗତି | ଯେହେତୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସିସି ୱେଫର୍ ଉପରେ ଚାପ ସୃଷ୍ଟି କରିବ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ୱେଫର୍ ୱାରପେଜ୍ ବୃଦ୍ଧି କରିବ | ଏହି ସମସ୍ୟାଗୁଡିକ ମଧ୍ୟ ସେହି ଦିଗରେ ପରିଣତ ହୋଇଛି ଯାହା ସିସି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଏବଂ ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ତୁରନ୍ତ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ଏବଂ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ |
ଚିତ୍ର 8 ସାଧାରଣ 4H-SiC ଲାଟାଇସ୍ ବ୍ୟବସ୍ଥା ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ଷ୍ଟାକିଂ ତ୍ରୁଟି ମଧ୍ୟରେ ତୁଳନାତ୍ମକ ସ୍କିମେଟିକ୍ ଚିତ୍ର |
(ଉତ୍ସ: ନିକୋଲୋ ପାଇଲୁସୋ 4H-SiC ତ୍ରୁଟି)
V.
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଉନ୍ନତି |
(1) ଚିତ୍ର 9 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଉପରେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ଦ୍ impl ାରା ପ୍ରତିରୋପଣ କ୍ଷତିର ମାତ୍ରା ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ କ୍ଷେତ୍ରର ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ପତଳା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ରଖାଯାଇଥାଏ | (କ) ।
) ଅଧିକ ସମାନ ଭାବରେ, ଚିତ୍ର 9 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱାଫର୍ ଉପରେ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣର ଗୁଣରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା |
()) ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟ ସମୟରେ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି ହାର ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସମାନତାକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରନ୍ତୁ |
ଚିତ୍ର 9 ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଉନ୍ନତି ପାଇଁ ପଦ୍ଧତି |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅକ୍ଟୋବର -22-2024 |