ଅଧିକାଂଶ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନେ ଅପରିଚିତ |epitaxy, ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ |ଏପିଟାକ୍ସି |ବିଭିନ୍ନ ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ, ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ଉତ୍ପାଦରେ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଏପିଟାକ୍ସି ଥାଏ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |, SiC epitaxy |, GaN epitaxy |, ଇତ୍ୟାଦି
ଏପିଟାକ୍ସି କ’ଣ?
ଏପିଟାକ୍ସିକୁ ଇଂରାଜୀରେ ପ୍ରାୟତ ““ ଏପିଟାକ୍ସି ”କୁହାଯାଏ | ଏହି ଶବ୍ଦଟି ଗ୍ରୀକ୍ ଶବ୍ଦ “epi” (ଅର୍ଥାତ୍ “ଉପରେ”) ଏବଂ “ଟ୍ୟାକ୍ସି” (ଅର୍ଥାତ୍ “ବ୍ୟବସ୍ଥା”) ରୁ ଆସିଛି | ଯେପରି ନାମ ସୂଚିତ କରେ, ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଏକ ବସ୍ତୁର ଉପରେ ସୁନ୍ଦର ଭାବରେ ସଜାଇବା | ଏପିଟାକ୍ସି ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି ଏକ ପତଳା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତରକୁ ଗୋଟିଏ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଜମା କରିବା | ଏହି ନୂତନ ଜମା ହୋଇଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତରକୁ ଏକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର କୁହାଯାଏ |
ଏପିଟାକ୍ସିର ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକାର ଅଛି: ହୋମୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଏବଂ ହେଟେରୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ | ହୋମୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସମାନ ପ୍ରକାରର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ସମାନ ପଦାର୍ଥ ବ growing ାଇବାକୁ ବୁ .ାଏ | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସମାନ ଲାଟାଇସ୍ ଗଠନ ସହିତ ସମାନ | ହେଟେରୋପିଟାକ୍ସି ହେଉଛି ଗୋଟିଏ ପଦାର୍ଥର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଅନ୍ୟ ପଦାର୍ଥର ବୃଦ୍ଧି | ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି ହୋଇଥିବା ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ଲାଟାଇସ୍ ଗଠନ ଭିନ୍ନ ହୋଇପାରେ | ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ କ’ଣ?
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରରେ, ଆମେ ପ୍ରାୟତ single ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଶବ୍ଦ ଶୁଣିବା | କାହିଁକି କିଛି ସିଲିକନ୍ କୁ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଏବଂ କିଛି ସିଲିକନ୍ କୁ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ କୁହାଯାଏ?
ଏକକ ସ୍ଫଟିକ: ଶସ୍ୟ ସୀମା ବିନା, ଲାଟାଇସ୍ ବ୍ୟବସ୍ଥା କ୍ରମାଗତ ଏବଂ ଅପରିବର୍ତ୍ତିତ, ଅର୍ଥାତ୍ ସମଗ୍ର ସ୍ଫଟିକ୍ କ୍ରମାଗତ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ଏକକ ଲାଟାଇସ୍ ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ | ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍: ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ଅନେକ ଛୋଟ ଶସ୍ୟକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ପ୍ରତ୍ୟେକଟି ଗୋଟିଏ ସ୍ଫଟିକ୍, ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ଆଭିମୁଖ୍ୟ ପରସ୍ପର ପ୍ରତି ଅନିୟମିତ | ଏହି ଶସ୍ୟଗୁଡିକ ଶସ୍ୟ ସୀମା ଦ୍ୱାରା ପୃଥକ | ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଉତ୍ପାଦନ ମୂଲ୍ୟ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ ତୁଳନାରେ କମ୍, ତେଣୁ ସେଗୁଡ଼ିକ କେତେକ ପ୍ରୟୋଗରେ ଉପଯୋଗୀ | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା କେଉଁଠାରେ ଜଡିତ ହେବ?
ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ସିଲିକନ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ଏକ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ଶୁଦ୍ଧ ଏବଂ ସୂକ୍ଷ୍ମ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ବ grow ାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯାହା ଉନ୍ନତ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ଏହା ସହିତ, ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସରେ, SiC ଏବଂ GaN ଦୁଇଟି ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହୃତ ଚଉଡା ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଅଟେ ଯାହା ଉତ୍ତମ ଶକ୍ତି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କ୍ଷମତା ସହିତ | ଏହି ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣତ ep ଏପିଟାକ୍ସି ମାଧ୍ୟମରେ ସିଲିକନ୍ କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ବ are ିଥାଏ | କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଯୋଗାଯୋଗରେ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର-ଆଧାରିତ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ବିଟ୍ ସାଧାରଣତ sil ସିଲିକନ୍ ଜର୍ମାନିୟମ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଗଠନ ବ୍ୟବହାର କରେ | ଇତ୍ୟାଦି
ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ପଦ୍ଧତି?
ତିନୋଟି ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହୃତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏପିଟାକ୍ସି ପଦ୍ଧତି:
ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE): ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି) ହେଉଛି ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଯାହା ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଅବସ୍ଥାରେ କରାଯାଏ | ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ, ଉତ୍ସ ପଦାର୍ଥ ପରମାଣୁ ବା ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଆକାରରେ ବାଷ୍ପୀଭୂତ ହୋଇ ତା’ପରେ ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଜମା ହୁଏ | MBE ହେଉଛି ଏକ ଅତି ସଠିକ୍ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପତଳା ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଯାହା ପରମାଣୁ ସ୍ତରରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ପଦାର୍ଥର ଘନତାକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିପାରିବ |
ଧାତୁ ଜ organic ବ CVD (MOCVD): MOCVD ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆବଶ୍ୟକୀୟ ଉପାଦାନ ଧାରଣ କରିଥିବା ଜ organic ବ ଧାତୁ ଏବଂ ହାଇଡ୍ରାଇଡ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ଉପଯୁକ୍ତ ତାପମାତ୍ରାରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍କୁ ଯୋଗାଇ ଦିଆଯାଏ ଏବଂ ଆବଶ୍ୟକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ଯ ounds ଗିକ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ନିଷ୍କାସିତ ହୁଏ |
ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (VPE): ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି ହେଉଛି ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଯାହା ସାଧାରଣତ sem ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହାର ମ basic ଳିକ ନୀତି ହେଉଛି ଏକ ବାହକ ବା ଯ ound ଗିକର ବାଷ୍ପକୁ ବାହକ ଗ୍ୟାସରେ ପରିବହନ କରିବା ଏବଂ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଏକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ସ୍ଫଟିକ ଜମା କରିବା |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -06-2024 |