ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (Si₃N₄) ସେରାମିକ୍ସ, ଉନ୍ନତ ଗଠନମୂଳକ ସେରାମିକ୍ସ ଭାବରେ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, କ୍ରିପ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଏବଂ ପିନ୍ଧିବା ପ୍ରତିରୋଧ ଭଳି ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଗୁଣ ଧାରଣ କରେ | ଅତିରିକ୍ତ ଭାବରେ, ସେମାନେ ଭଲ ଥର୍ମାଲ୍ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଗୁଣ, ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ମ୍ୟାଗ୍ନେଟିକ୍ ତରଙ୍ଗ ସଂକ୍ରମଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି | ଏହି ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବିସ୍ତୃତ ଗୁଣଗୁଡିକ ସେମାନଙ୍କୁ ଜଟିଳ ଗଠନମୂଳକ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକରେ ବିଶେଷ ଭାବରେ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ |
ଅବଶ୍ୟ, Si₃N₄, ଦୃ strong କୋଭାଲାଣ୍ଟ ବଣ୍ଡ ସହିତ ଏକ ଯ ound ଗିକ, ଏହାର ଏକ ସ୍ଥିର structure ାଞ୍ଚା ଅଛି ଯାହା କେବଳ କଠିନ ସ୍ଥିତିର ବିସ୍ତାର ମାଧ୍ୟମରେ ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତାକୁ ସିନର୍ଟ କରିବା କଷ୍ଟକର କରିଥାଏ | ସିନ୍ଟରିଂକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବା ପାଇଁ, ଏକ ତରଳ-ଫେଜ୍ ସିନ୍ଟରିଂ ମେକାନିଜିମ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଘନତ୍ୱକୁ ସୁଗମ କରିବା ପାଇଁ ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (MgO, CaO, Al₂O₃) ଏବଂ ବିରଳ ପୃଥିବୀ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (Yb₂O₃, Y₂O₃, Lu₂O₃, CeO₂) କୁ ସିନ୍ଟରିଙ୍ଗ୍ ସାହାଯ୍ୟ ଯୋଗ କରାଯାଏ |
ସମ୍ପ୍ରତି, ଗ୍ଲୋବାଲ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଡିଭାଇସ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉଚ୍ଚ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍, ବୃହତ ସ୍ରୋତ ଏବଂ ଅଧିକ ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ଆଡକୁ ଅଗ୍ରଗତି କରୁଛି | Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ତିଆରି ପାଇଁ ପଦ୍ଧତି ଉପରେ ଗବେଷଣା ବ୍ୟାପକ ଅଟେ | ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ସିଣ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକୁ ଉପସ୍ଥାପନ କରେ ଯାହା ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ସର ଘନତା ଏବଂ ବିସ୍ତୃତ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ |
Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ପାଇଁ ସାଧାରଣ ସିଣ୍ଟରିଂ ପଦ୍ଧତି |
ବିଭିନ୍ନ ସିନ୍ଟରିଂ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ପାଇଁ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ତୁଳନା |
1। ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ସିଣ୍ଟରିଂ (RS):ଶିଳ୍ପାଞ୍ଚଳ ଭାବରେ Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ରଥମ ପଦ୍ଧତି ଥିଲା | ଏହା ସରଳ, ବ୍ୟୟ-ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଏବଂ ଜଟିଳ ଆକୃତି ଗଠନ କରିବାରେ ସକ୍ଷମ | ଅବଶ୍ୟ, ଏହାର ଏକ ଦୀର୍ଘ ଉତ୍ପାଦନ ଚକ୍ର ଅଛି, ଯାହା ଶିଳ୍ପ-ମାପ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଅନୁକୂଳ ନୁହେଁ |
ପ୍ରେସରହୀନ ସିଣ୍ଟରିଂ (PLS):ଏହା ହେଉଛି ସବୁଠାରୁ ମ basic ଳିକ ଏବଂ ସରଳ ସିଣ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା | ଅବଶ୍ୟ, ଏହା ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ Si₃N₄ କଞ୍ଚାମାଲ ଆବଶ୍ୟକ କରେ ଏବଂ ପ୍ରାୟତ lower ନିମ୍ନ ଘନତା, ମହତ୍ shr ପୂର୍ଣ୍ଣ ସଙ୍କୋଚନ ଏବଂ ଫାଟିବା କିମ୍ବା ବିକଳାଙ୍ଗ ହେବାର ପ୍ରବୃତ୍ତି ସହିତ ସେରାମିକ୍ସରେ ପରିଣତ ହୁଏ |
3। ହଟ୍-ପ୍ରେସ୍ ସିଣ୍ଟରିଂ (HP):ୟୁନିଅକ୍ସିଆଲ୍ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଚାପର ପ୍ରୟୋଗ, ସିଣ୍ଟରିଂ ପାଇଁ ଚାଳକ ଶକ୍ତି ବ increases ାଇଥାଏ, ଯାହା ଚାପହୀନ ସିଣ୍ଟରିଂରେ ବ୍ୟବହୃତ ତୁଳନାରେ 100-200 ° C ତାପମାତ୍ରାରେ ଘନ ସିରାମିକ୍ସ ଉତ୍ପାଦନ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ସାଧାରଣତ relatively ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସରଳ ବ୍ଲକ ଆକୃତିର ସିରାମିକ୍ସ ତିଆରି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ କିନ୍ତୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ଘନତା ଏବଂ ଆକୃତିର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା କଷ୍ଟକର |
4। ସ୍ପାର୍କ ପ୍ଲାଜ୍ମା ସିଣ୍ଟରିଂ (SPS):SPS ଦ୍ରୁତ ସିନ୍ଟରିଙ୍ଗ୍, ଶସ୍ୟ ବିଶୋଧନ ଏବଂ ହ୍ରାସ ହୋଇଥିବା ତାପମାତ୍ରା ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ | ତଥାପି, SPS ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପାଇଁ ମହତ୍ investment ପୂର୍ଣ ବିନିଯୋଗ ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଏବଂ SPS ମାଧ୍ୟମରେ ଉଚ୍ଚ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଅଛି ଏବଂ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଶିଳ୍ପାୟନ ହୋଇନାହିଁ |
5। ଗ୍ୟାସ୍-ପ୍ରେସର ସିଣ୍ଟରିଂ (ଜିପିଏସ୍):ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପ ପ୍ରୟୋଗ କରି, ଏହି ପଦ୍ଧତି ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ସେରାମିକ୍ କ୍ଷୟ ଏବଂ ଓଜନ ହ୍ରାସକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରେ | ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ସେରାମିକ୍ସ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ସହଜ ଏବଂ ବ୍ୟାଚ୍ ଉତ୍ପାଦନକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ | ଅବଶ୍ୟ, ଏକକ-ଷ୍ଟେପ୍ ଗ୍ୟାସ୍-ପ୍ରେସର ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏକକ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଏବଂ ବାହ୍ୟ ରଙ୍ଗ ଏବଂ ଗଠନ ସହିତ ଗଠନମୂଳକ ଉପାଦାନ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ସଂଘର୍ଷ କରେ | ଦୁଇ-ଷ୍ଟେପ୍ କିମ୍ବା ମଲ୍ଟି-ଷ୍ଟେପ୍ ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରିବା ଦ୍ inter ାରା ଆନ୍ତ g- ଅମ୍ଳଜାନ ପରିମାଣ ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ ହୋଇପାରେ, ତାପଜ ଚାଳନାରେ ଉନ୍ନତି ହୁଏ ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ଗୁଣ ବ enhance ିଥାଏ |
ଅବଶ୍ୟ, ଦୁଇ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଗ୍ୟାସ୍-ପ୍ରେସର ସିନ୍ଟରିଂର ଉଚ୍ଚ ସିନ୍ଟରିଂ ତାପମାତ୍ରା ପୂର୍ବ ଅନୁସନ୍ଧାନକୁ ମୁଖ୍ୟତ high ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା ଏବଂ କୋଠରୀ-ତାପମାତ୍ରା ବଙ୍କା ଶକ୍ତି ସହିତ Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେଇଥାଏ | ବିସ୍ତୃତ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ସହିତ Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ଉପରେ ଗବେଷଣା ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସୀମିତ |
Si₃N₄ ପାଇଁ ଗ୍ୟାସ୍-ପ୍ରେସର ଦୁଇ-ଷ୍ଟେପ୍ ସିଣ୍ଟରିଂ ପଦ୍ଧତି |
ୟାଙ୍ଗ ଜୋ ଏବଂ ଚୋଙ୍ଗକିଙ୍ଗ ୟୁନିଭରସିଟି ଅଫ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ସହକର୍ମୀମାନେ 1800 ° C ରେ ଉଭୟ ଗୋଟିଏ ସୋପାନ ଏବଂ ଦୁଇ-ସୋପାନ ଗ୍ୟାସ୍-ପ୍ରେସର ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରି Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାକୁ 5 wt।% Yb₂O₃ + 5 wt।% Al₂O₃ ର ଏକ ସିନ୍ଟରିଂ ସହାୟତା ବ୍ୟବସ୍ଥା ବ୍ୟବହାର କରିଥିଲେ | ଦୁଇ-ଷ୍ଟେପ୍ ସିଣ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସରେ ଅଧିକ ଘନତା ଏବଂ ଉନ୍ନତ ବିସ୍ତୃତ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଥିଲା | Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଉପରେ ଏକ-ସୋପାନ ଏବଂ ଦୁଇ-ଷ୍ଟେପ୍ ଗ୍ୟାସ୍-ପ୍ରେସର ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ପ୍ରଭାବକୁ ନିମ୍ନରେ ସାରାଂଶିତ କରେ |
ସାନ୍ଧ୍ରତା Si₃N₄ ର ସାନ୍ଧ୍ରତା ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ three ତିନୋଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସହିତ ଜଡିତ, ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମଧ୍ୟରେ ଓଭରଅପ୍ ସହିତ | ପ୍ରଥମ ପର୍ଯ୍ୟାୟ, କଣିକା ପୁନର୍ଗଠନ, ଏବଂ ଦ୍ୱିତୀୟ ପର୍ଯ୍ୟାୟ, ବିଲୋପ-ବୃଷ୍ଟି, ଘନତ୍ୱ ପାଇଁ ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପର୍ଯ୍ୟାୟ | ଏହି ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ ନମୁନା ଘନତ୍ୱକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ | ଯେତେବେଳେ ଦୁଇ-ଷ୍ଟେପ୍ ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ପ୍ରି-ସିଣ୍ଟରିଂ ତାପମାତ୍ରା 1600 ° C ରେ ସେଟ୍ ହୋଇଯାଏ, β-Si₃N₄ ଶସ୍ୟ ଏକ framework ାଞ୍ଚା ଗଠନ କରେ ଏବଂ ବନ୍ଦ ପୋରସ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ | ପ୍ରି-ସିଣ୍ଟରିଂ ପରେ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ଚାପରେ ଅଧିକ ଉତ୍ତାପ ତରଳ-ଚରଣ ପ୍ରବାହ ଏବଂ ଭରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ, ଯାହା ବନ୍ଦ ପୋରସ୍ ଦୂର କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ, Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସର ଘନତ୍ୱକୁ ଆହୁରି ଉନ୍ନତ କରେ | ତେଣୁ, ଦୁଇ-ସୋପାନ ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ produced ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ନମୁନାଗୁଡିକ ଏକ-ସୋପାନ ସିନ୍ଟରିଂ ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ପାଦିତ ତୁଳନାରେ ଅଧିକ ଘନତା ଏବଂ ଆପେକ୍ଷିକ ଘନତା ଦେଖାଏ |
ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର୍ ଗୋଟିଏ ସୋପାନ ସିନ୍ଟରିଂ ସମୟରେ, କଣିକା ପୁନର୍ଗଠନ ଏବଂ ଶସ୍ୟ ସୀମା ବିସ୍ତାର ପାଇଁ ଉପଲବ୍ଧ ସମୟ ସୀମିତ ଅଟେ | ଦୁଇ ସୋପାନର ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ପ୍ରଥମ ପଦକ୍ଷେପ ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ନିମ୍ନ ଗ୍ୟାସ୍ ଚାପରେ କରାଯାଏ, ଯାହା କଣିକାର ପୁନ arr ସଜ୍ଜନ ସମୟକୁ ବ ends ାଇଥାଏ ଏବଂ ଫଳସ୍ୱରୂପ ବଡ଼ ଧାନରେ ପରିଣତ ହୁଏ | ତାପରେ ତାପମାତ୍ରା ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ, ଯେଉଁଠାରେ ଶସ୍ୟଗୁଡିକ ଓଷ୍ଟୱାଲ୍ଡ ପାଚିବା ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ବ grow ିବାରେ ଲାଗିଥାଏ, ଉଚ୍ଚ-ସାନ୍ଦ୍ରତା Si₃N₄ ସେରାମିକ୍ସ ଉତ୍ପାଦନ କରିଥାଏ |
ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଆନ୍ତ g ବିଭାଗୀୟ ପର୍ଯ୍ୟାୟର କୋମଳତା ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ କରିବାର ମୂଳ କାରଣ | ଗୋଟିଏ ସୋପାନରେ, ଅସ୍ୱାଭାବିକ ଶସ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି ଶସ୍ୟ ମଧ୍ୟରେ ଛୋଟ ଛୋଟ ଖାଲ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଶକ୍ତିରେ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ଉନ୍ନତିକୁ ରୋକିଥାଏ | ଅବଶ୍ୟ, ଦୁଇ ସୋପାନର ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଗ୍ଲାସ୍ ଚରଣ, ସମାନ ଭାବରେ ଶସ୍ୟ ସୀମାରେ ବଣ୍ଟିତ ହୋଇଥିଲା ଏବଂ ସମାନ ଆକାରର ଶସ୍ୟଗୁଡିକ ଆନ୍ତ g ରାଜ୍ୟ ଶକ୍ତି ବ enhance ାଇଥାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ବଙ୍କା ଶକ୍ତି |
ପରିଶେଷରେ, ଗୋଟିଏ ସୋପାନର ସିନ୍ଟରିଂ ସମୟରେ ଦୀର୍ଘ ସମୟ ଧରି ରଖିବା ଦ୍ por ାରା ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ପୋରୋସିଟି କମ୍ ହୋଇପାରେ ଏବଂ ସମାନ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ରଙ୍ଗ ଏବଂ ଗଠନ ହାସଲ ହୋଇପାରେ କିନ୍ତୁ ଅସ୍ୱାଭାବିକ ଶସ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି ଘଟାଇପାରେ, ଯାହା କିଛି ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣକୁ ଖରାପ କରିଥାଏ | ଏକ ଦୁଇ-ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସିନ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବ୍ୟବହାର କରି - କମ୍-ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରି-ସିଣ୍ଟରିଂ ବ୍ୟବହାର କରି କଣିକାର ପୁନ arr ସଜ୍ଜନ ସମୟ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଧରିବା ପାଇଁ ସମାନ ଧାନର ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବା ପାଇଁ - 98.25% ର ଆପେକ୍ଷିକ ଘନତା ସହିତ ଏକ Si₃N₄ ସେରାମିକ୍, ସମାନ ମାଇକ୍ରୋସ୍ଟ୍ରଷ୍ଟ୍ରକଚର ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବିସ୍ତୃତ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ | ସଫଳତାର ସହିତ ପ୍ରସ୍ତୁତ ହୋଇପାରିବ |
| ନାମ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ | | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ରଚନା | | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା | | ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ମାଧ୍ୟମ | |
| ସିଲିକନ୍ ହୋମୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ | | Si | Si | ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (VPE) | SiCl4+H2 |
| ସିଲିକନ୍ ହେଟେରୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ | | ନୀଳମଣି କିମ୍ବା ସ୍ପିନେଲ | | Si | ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (VPE) | SiH₄ + H₂ |
| GaAs homoepitaxial | | GaAs | GaAs GaAs | ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (VPE) | AsCl₃ + Ga + H₂ (Ar) |
| GaAs | GaAs GaAs | ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) | ଗା + ଯେପରି | |
| GaAs heteroepitaxial | | GaAs GaAs | GaAlAs / GaAs / GaAlAs | | ତରଳ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE) ବାଷ୍ପ ଚରଣ (VPE) | Ga + Al + CaAs + H2 Ga + AsH3+ PH3+ CHl + H2 |
| GaP ହୋମୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ | | GaP | GaP (GaP; N) | ତରଳ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE) ତରଳ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE) | Ga + GaP + H2+ (NH)3) Ga + GaAs + GaP + NH |3 |
| ସୁପର୍ଲାଟାଇସ୍ | | GaAs | GaAlAs / GaAs | (ଚକ୍ର) | ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) MOCVD | Ca, As, Al GaR₃ + AlR3 + AsH3 + H2 | |
| InP ହୋମୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ | | InP | InP | ବାଷ୍ପ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (VPE) ତରଳ ଚରଣ ଏପିଟାକ୍ସି (LPE) | PCl3 + In + H2 + InAs + GaAs + InP + H₂ ରେ | |
| Si / GaAs Epitaxy | | Si | GaAs | ମଲିକୁଲାର ବିମ୍ ଏପିଟାକ୍ସି (MBE) MOGVD | ଗା 、 ଯେପରି GaR₃ + AsH₃ + H₂ | |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଡିସେମ୍ବର -24-2024 |