ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସି ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ କ’ଣ?

ୱେଫର୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଦୁଇଟି ମୂଳ ଲିଙ୍କ୍ ଅଛି: ଗୋଟିଏ ହେଉଛି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ଏବଂ ଅନ୍ୟଟି ହେଉଛି ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାର କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀରୁ ଯତ୍ନର ସହିତ ନିର୍ମିତ ଏକ ୱେଫର୍, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆଧାର ଭାବରେ ସିଧାସଳଖ ୱେଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ରଖାଯାଇପାରିବ, କିମ୍ବା ଏହା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଆହୁରି ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇପାରିବ |

ତେବେ, ବ୍ୟାଖ୍ୟା କ’ଣ? ସଂକ୍ଷେପରେ, ଏପିଟାକ୍ସି ହେଉଛି ଏକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକକ ସ୍ଫଟିକର ଏକ ନୂତନ ସ୍ତରର ବୃଦ୍ଧି ଯାହା ସୂକ୍ଷ୍ମ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ହୋଇଛି (କାଟିବା, ଗ୍ରାଇଣ୍ଡ୍, ପଲିସିଂ ଇତ୍ୟାଦି) | ଏହି ନୂତନ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସମାନ ପଦାର୍ଥ କିମ୍ବା ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀରେ ତିଆରି ହୋଇପାରିବ, ଯାହା ଦ୍ hom ାରା ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ସମଲିଙ୍ଗୀ କିମ୍ବା ହେଟେରୋପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହାସଲ ହୋଇପାରିବ | କାରଣ ନୂତନ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି ହୋଇଥିବା ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ସ୍ଫଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଅନୁଯାୟୀ ବିସ୍ତାର ହେବ, ଏହାକୁ ଏକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର କୁହାଯାଏ | ଏହାର ଘନତା ସାଧାରଣତ only କେବଳ ଅଳ୍ପ ମାଇକ୍ରନ୍ | ସିଲିକନ୍ କୁ ଏକ ଉଦାହରଣ ଭାବରେ ଗ୍ରହଣ କରିବା, ସିଲିକନ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ହେଉଛି ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ଏକ ସିଲିକନ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଏବଂ ଘନତା ସହିତ ସମାନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଭିମୁଖ୍ୟ ସହିତ ସିଲିକନ୍ ର ଏକ ସ୍ତର ବ grow ାଇବା | ସିଦ୍ଧ ଲାଟାଇସ୍ ଗଠନ ସହିତ ଏକ ସିଲିକନ୍ ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ତର | ଯେତେବେଳେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ବ is ଼େ, ସମଗ୍ରକୁ ଏକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱେଫର୍ କୁହାଯାଏ |

ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ, ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ ଉପରେ ସିଧାସଳଖ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା କିଛି ବ technical ଷୟିକ ଅସୁବିଧାର ସମ୍ମୁଖୀନ ହେବ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍, ଛୋଟ ସିରିଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ କଲେକ୍ଟର ଅଞ୍ଚଳରେ ଛୋଟ ସାଚୁଚରେସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ର ଆବଶ୍ୟକତା ହାସଲ କରିବା କଷ୍ଟକର | ଏପିଟାକ୍ସି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପରିଚୟ ଚତୁରତାର ସହିତ ଏହି ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରେ | ଏହାର ସମାଧାନ ହେଉଛି ଏକ ନିମ୍ନ-ପ୍ରତିରୋଧକ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରତିରୋଧକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ବ grow ାଇବା, ଏବଂ ତାପରେ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରତିରୋଧକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରରେ ଉପକରଣ ତିଆରି କରିବା | ଏହିପରି ଭାବରେ, ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରତିରୋଧକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ଏକ ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଯେତେବେଳେ ନିମ୍ନ-ପ୍ରତିରୋଧକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ର ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସାଚୁଚରେସନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ କମିଯାଏ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧ ମଧ୍ୟରେ ଛୋଟ ସନ୍ତୁଳନ ହାସଲ ହୁଏ | ଛୋଟ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍

ଏଥିସହ, ଏପିଟାକ୍ସି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଯେପରିକି ବାଷ୍ପ ଫେଜ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ଏବଂ GaA ର ତରଳ ଫେଜ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ III-V, II-VI ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ମଲିକୁଲାର ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟ ବହୁ ବିକଶିତ ହୋଇଛି ଏବଂ ଅଧିକାଂଶ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଉପକରଣ, ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଶକ୍ତି ପାଇଁ ଆଧାର ହୋଇପାରିଛି | ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଅପରିହାର୍ଯ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା, ବିଶେଷତ thin ପତଳା ସ୍ତର, ସୁପରଲାଟାଇସ୍, କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ କୂଅ, ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ ସୁପର୍ଲାଟାଇସ୍ ଏବଂ ପରମାଣୁ ସ୍ତରର ପତଳା-ସ୍ତର ଏପିଟାକ୍ସିରେ ମଲିକୁଲାର୍ ବିମ୍ ଏବଂ ଧାତୁ-ଜ organic ବ ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଏପିଟାକ୍ସି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ସଫଳ ପ୍ରୟୋଗ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅନୁସନ୍ଧାନର ଏକ ନୂତନ କ୍ଷେତ୍ର ହୋଇପାରିଛି | “ଶକ୍ତି ବେଲ୍ଟ ପ୍ରୋଜେକ୍ଟ” ର ବିକାଶ ଏକ ଦୃ solid ମୂଳଦୁଆ ପକାଇଛି |

ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ବିଷୟରେ, ପ୍ରାୟ ସମସ୍ତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରରେ ନିର୍ମିତ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍ କେବଳ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ | SiC epitaxial ପଦାର୍ଥର ଘନତା, ପୃଷ୍ଠଭୂମି ବାହକ ଏକାଗ୍ରତା ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ସିଧାସଳଖ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିଭିନ୍ନ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ | ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ପାଇଁ ନୂତନ ଆବଶ୍ୟକତା ରଖେ ଯେପରିକି ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଘନତା ଏବଂ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ବାହକ ଏକାଗ୍ରତା | ତେଣୁ, ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବାରେ ଏକ ନିର୍ଣ୍ଣାୟକ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ପ୍ରାୟ ସମସ୍ତ SiC ଶକ୍ତି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରସ୍ତୁତି ଉଚ୍ଚମାନର SiC ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍ ଉପରେ ଆଧାରିତ | ଏପିଟ୍ୟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକର ଉତ୍ପାଦନ ହେଉଛି ବ୍ୟାପକ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଂଶ |