ଉନ୍ନତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶ ପାଇଁ ସେମିସେରାର P- ପ୍ରକାର SiC ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱାଫର୍ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଉପାଦାନ | ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରିବା ପାଇଁ ଏହି ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଭାବରେ ପରିକଳ୍ପିତ, ଦକ୍ଷ ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ବ demand ୁଥିବା ଚାହିଦାକୁ ସମର୍ଥନ କରେ |
ଆମର ସିସି ୱାଫର୍ରେ ଥିବା ପି-ପ୍ରକାରର ଡୋପିଂ ଉନ୍ନତ ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଚାର୍ଜ ବାହକ ଗତିଶୀଳତାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ, ଏଲଇଡି, ଏବଂ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ କୋଷଗୁଡ଼ିକରେ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଏହା ସେମାନଙ୍କୁ ବିଶେଷ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ, ଯେଉଁଠାରେ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ସର୍ବୋଚ୍ଚ ସଠିକତା ଏବଂ ଗୁଣବତ୍ତାର ମାନଦଣ୍ଡ ସହିତ ନିର୍ମିତ, ସେମିସେରାର ପି-ପ୍ରକାର ସିସି ୱାଫର୍ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସମାନତା ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ତ୍ରୁଟି ହାର ପ୍ରଦାନ କରେ | ଶିଳ୍ପଗୁଡିକ ପାଇଁ ଏହି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଯେଉଁଠାରେ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଜରୁରୀ, ଯେପରିକି ଏରୋସ୍ପେସ୍, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଏବଂ ଅକ୍ଷୟ ଶକ୍ତି କ୍ଷେତ୍ର |
ନୂତନତା ଏବଂ ଉତ୍କର୍ଷତା ପାଇଁ ସେମିସେରାର ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା ଆମର ପି-ପ୍ରକାର ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱାଫର୍ରେ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇଛି | ଏହି ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ତୁମର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏକୀକୃତ କରି, ତୁମେ ନିଶ୍ଚିତ କର ଯେ ତୁମର ଡିଭାଇସ୍ SiC ର ଅସାଧାରଣ ତାପଜ ଏବଂ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣରୁ ଉପକୃତ ହୁଏ, ସେମାନଙ୍କୁ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ ପରିସ୍ଥିତିରେ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ କରେ |
ସେମିସେରାର ପି-ପ୍ରକାର ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ୱାଫର୍ରେ ବିନିଯୋଗ ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଏକ ଉତ୍ପାଦ ବାଛିବା ଯାହାକି ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନକୁ ଯତ୍ନଶୀଳ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ସହିତ ଯୋଡିଥାଏ | ସେମିକେରା ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିକୁ ସମର୍ଥନ କରିବା ପାଇଁ ଉତ୍ସର୍ଗୀକୃତ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ତୁମର ସଫଳତା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଉପାଦାନଗୁଡିକ ପ୍ରଦାନ କରେ |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
