CVD ବଲ୍କ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC)
ସମୀକ୍ଷା:CVDବଲ୍କ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC)ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ଉପକରଣ, ଦ୍ରୁତ ତାପଜ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ (ଆରଟିପି) ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏକ ବହୁ ଖୋଜା ଯାଇଥିବା ପଦାର୍ଥ | ଏହାର ଅସାଧାରଣ ଯାନ୍ତ୍ରିକ, ରାସାୟନିକ ଏବଂ ତାପଜ ଗୁଣ ଏହାକୁ ଉନ୍ନତ ଜ୍ଞାନକ technology ଶଳ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ପଦାର୍ଥ କରିଥାଏ ଯାହାକି ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
CVD ବଲ୍କ SiC ର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ:ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ବଲ୍କ SiC ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଟେ, ବିଶେଷତ pl ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ସିଷ୍ଟମରେ, ଯେଉଁଠାରେ ଫୋକସ୍ ରିଙ୍ଗ, ଗ୍ୟାସ୍ ସାୱାରହେଡ୍, ଏଜ୍ ରିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ପ୍ଲାଟେନ୍ ଭଳି ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ SiC ର ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ଚାଳନା ଦ୍ୱାରା ଉପକୃତ ହୁଏ | ଏହାର ବ୍ୟବହାର ବିସ୍ତାରିତ |RTPଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଅବକ୍ଷୟ ବିନା ଦ୍ରୁତ ତାପମାତ୍ରା ପରିବର୍ତ୍ତନକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରିବାକୁ SiC ର ସାମର୍ଥ୍ୟ ହେତୁ ସିଷ୍ଟମ୍ |
ଯନ୍ତ୍ରପାତି ସହିତ, CVD |ବହୁଳ SiC |ବିସ୍ତାର ଫର୍ଣ୍ଣେସ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅନୁଗ୍ରହ ପ୍ରାପ୍ତ ହୁଏ, ଯେଉଁଠାରେ ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ କଠିନ ରାସାୟନିକ ପରିବେଶ ପ୍ରତି ପ୍ରତିରୋଧ ଆବଶ୍ୟକ | ଏହି ଗୁଣଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ କ୍ଷତିକାରକ ଗ୍ୟାସ୍ ସହିତ ଜଡିତ ଉଚ୍ଚ-ଚାହିଦା ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ SiC କୁ ପସନ୍ଦ ସାମଗ୍ରୀ କରିଥାଏ, ଯେପରିକି କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଏବଂ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଧାରଣ କରିଥାଏ |
CVD ବଲ୍କ SiC ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଲାଭ:
•ଉଚ୍ଚ ଘନତା:3.2 g / cm³ ର ଘନତା ସହିତ,CVD ବଲ୍କ SiC |ଉପାଦାନଗୁଡିକ ପିନ୍ଧିବା ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପ୍ରଭାବ ପାଇଁ ଅତ୍ୟଧିକ ପ୍ରତିରୋଧୀ |
•ସର୍ବୋଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା:300 W / m · K ର ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଅଫର୍, ବଲ୍କ SiC ଉତ୍ତାପକୁ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ପରିଚାଳନା କରେ, ଯାହା ଅତ୍ୟଧିକ ତାପଜ ଚକ୍ରରେ ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସିଥିବା ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ ଅଟେ |
•ବ୍ୟତିକ୍ରମିକ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧ:କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଏବଂ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ ରାସାୟନିକ ପଦାର୍ଥ ସହିତ ଇଚିଂ ଗ୍ୟାସ୍ ସହିତ SiC ର କମ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳତା, ଦୀର୍ଘ ଜୀବନ ଉପାଦାନକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |
•ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପ୍ରତିରୋଧକତା: CVD ବଲ୍କ SiC ର |ପ୍ରତିରୋଧକତା 10⁻² - 10⁴ cm-ସେମି ପରିସର ମଧ୍ୟରେ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ, ଏହାକୁ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଇଚିଂ ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ଅନୁକୂଳ କରାଯାଇପାରିବ |
•ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍:4.8 x 10⁻⁶ / ° C (25-1000 ° C) ର ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ସହିତ, CVD ବଲ୍କ SiC ତାପଜ ଶକ୍କୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରେ, ଦ୍ରୁତ ଗରମ ଏବଂ କୁଲିଂ ଚକ୍ର ସମୟରେ ମଧ୍ୟ ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ସ୍ଥିରତା ବଜାୟ ରଖେ |
•ପ୍ଲାଜାମାରେ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ:ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପ୍ଲାଜମା ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସର ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସିବା ଅପରିହାର୍ଯ୍ୟ, କିନ୍ତୁCVD ବଲ୍କ SiC |କ୍ଷୟ ଏବଂ ଅବକ୍ଷୟ ପାଇଁ ଉନ୍ନତ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦାନ କରେ, ପ୍ରତିସ୍ଥାପନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ କରେ |
ଯାନ୍ତ୍ରିକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:
•ବ୍ୟାସ:305 ମିମିରୁ ବଡ
•ପ୍ରତିରୋଧ:10⁻² - 10⁴ Ω-ସେମି ମଧ୍ୟରେ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ |
•ଘନତା:3.2 g / cm³
•ତାପଜ ଚାଳନା:300 W / m · K
•ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍:4.8 x 10⁻⁶ / ° C (25-1000 ° C)
କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ନମନୀୟତା:ରେସେମିସେରା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର |, ଆମେ ବୁ that ିପାରୁ ଯେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗ ଭିନ୍ନ ଭିନ୍ନ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା ଆବଶ୍ୟକ କରିପାରନ୍ତି | ସେଥିପାଇଁ ଆମର CVD ବଲ୍କ SiC ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସମ୍ପୁର୍ଣ୍ଣ କଷ୍ଟମାଇଜେବଲ୍, ତୁମର ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆକାର ସହିତ | ଆପଣ ଆପଣଙ୍କର ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ସିଷ୍ଟମକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରୁଛନ୍ତି କିମ୍ବା RTP କିମ୍ବା ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସ୍ଥାୟୀ ଉପାଦାନ ଖୋଜୁଛନ୍ତି, ଆମର CVD ବଲ୍କ SiC ଅନୁପଯୁକ୍ତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରେ |
