ସେମିସେରା |ଏହାର ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ପରିଚୟ ପ୍ରଦାନ କରେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେବାଗୁଡିକ, ଆଜିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ସଠିକ୍ ମାନଦଣ୍ଡ ପୂରଣ କରିବାକୁ ପରିକଳ୍ପିତ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ପାଇଁ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ଗୁରୁତ୍ are ପୂର୍ଣ ଅଟେ, ଏବଂ ଆମର ସି ଏପିଟାକ୍ସି ସମାଧାନଗୁଡିକ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଆପଣଙ୍କର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସର୍ବୋଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ହାସଲ କରେ |
ସଠିକ୍-ବ own ଼ିଥିବା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ | ସେମିସେରା |ବୁ understand ିଥାଏ ଯେ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ମୂଳଦୁଆ ବ୍ୟବହୃତ ସାମଗ୍ରୀର ଗୁଣରେ ଅଛି | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ବ୍ୟତିକ୍ରମିକ ସମାନତା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଖଣ୍ଡତା ସହିତ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ଉତ୍ପାଦନ କରିବାକୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯତ୍ନର ସହିତ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ | ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ଉନ୍ନତ ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକ ଜରୁରୀ, ଯେଉଁଠାରେ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସର୍ବାଧିକ |
ଉପକରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାଇଁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ |Theସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେମିସେରା ଦ୍ offered ାରା ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଥିବା ସେବାଗୁଡିକ ଆପଣଙ୍କର ଡିଭାଇସର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ବ enhance ାଇବାକୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ | କମ୍ ତ୍ରୁଟି ସାନ୍ଧ୍ରତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ବ By ାଇ, ଆମେ ନିଶ୍ଚିତ କରୁ ଯେ ଉନ୍ନତ ଉପାଦାନ ବାହକ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ବ electrical ଦୁତିକ ପ୍ରତିରୋଧକତା ସହିତ ଆପଣଙ୍କର ଉପାଦାନଗୁଡିକ ସର୍ବୋତ୍ତମ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରନ୍ତି | ଆଧୁନିକ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଦ୍ୱାରା ଆବଶ୍ୟକ ହେଉଥିବା ଉଚ୍ଚ-ଗତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଏହି ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ବହୁମୁଖୀତା | ସେମିସେରା |'sସି ଏପିଟାକ୍ସି |CMOS ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ପାୱାର୍ MOSFET ଏବଂ ବାଇପୋଲାର୍ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ | ଆମର ନମନୀୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆପଣଙ୍କ ପ୍ରକଳ୍ପର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ, ଆପଣ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ପତଳା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି କିମ୍ବା ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ମୋଟା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି |
ସର୍ବୋଚ୍ଚ ପଦାର୍ଥ ଗୁଣ |ସେମିସେରାରେ ଆମେ କରୁଥିବା ସମସ୍ତ କାର୍ଯ୍ୟର ଗୁଣ ହେଉଛି ଗୁଣବତ୍ତା | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏବଂ କ ques ଶଳ ବ୍ୟବହାର କରେ ଯେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଗଠନମୂଳକ ଅଖଣ୍ଡତାର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ମାନ ପୂରଣ କରେ କି ନାହିଁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ | ସବିଶେଷ ଧ୍ୟାନ ଏହି ତ୍ରୁଟିର ଘଟଣାକୁ କମ୍ କରିଥାଏ ଯାହାକି ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିପାରେ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅଧିକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ ଦୀର୍ଘସ୍ଥାୟୀ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ |
ଅଭିନବ ପ୍ରତି ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା | ସେମିସେରା |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅଗ୍ରଭାଗରେ ରହିବାକୁ ପ୍ରତିବଦ୍ଧ | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେବାଗୁଡିକ ଏହି ପ୍ରତିବଦ୍ଧତାକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ କରିଥାଏ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି କ ques ଶଳରେ ସର୍ବଶେଷ ଅଗ୍ରଗତିକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରି | ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ବିତରଣ କରିବାକୁ ଆମେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଆମର ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକୁ ବିଶୋଧନ କରୁ ଯାହା ଶିଳ୍ପର ବିକାଶଶୀଳ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ, ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ତୁମର ଉତ୍ପାଦ ବଜାରରେ ପ୍ରତିଯୋଗୀତା ବଜାୟ ରଖେ |
ତୁମର ଆବଶ୍ୟକତା ପାଇଁ ସମାଧାନ ସମାଧାନ |ବୁ project ିବା ଯେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ପ୍ରକଳ୍ପ ଅନନ୍ୟ,ସେମିସେରା |କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍ ଅଫର୍ କରେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ତୁମର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ସମାଧାନ ପାଇଁ ସମାଧାନ | ଆପଣ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଡୋପିଂ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍, ସ୍ତରର ଘନତା, କିମ୍ବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତି ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି, ଆମର ଦଳ ଏକ ଉତ୍ପାଦ ବିତରଣ କରିବାକୁ ଆପଣଙ୍କ ସହିତ ଘନିଷ୍ଠ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ ଯାହା ଆପଣଙ୍କର ସଠିକ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା ପୂରଣ କରେ |
ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
ଗଠନ | |||
ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
ଆଗ | Si | ||
ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
ପଛ ଗୁଣ | |||
ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
ଧାର | |||
ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
* ଟିପ୍ପଣୀ : "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | |