ସି ଏପିଟାକ୍ସି |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ସି ଏପିଟାକ୍ସି |- ସେମିକେରାର ସି ଏପିଟାକ୍ସି ସହିତ ଉନ୍ନତ ଉପକରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରନ୍ତୁ, ଉନ୍ନତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ସଠିକତା ବ grown ଼ୁଥିବା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତୁ |


ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ସେମିସେରା |ଏହାର ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ପରିଚୟ ପ୍ରଦାନ କରେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେବାଗୁଡିକ, ଆଜିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ସଠିକ୍ ମାନଦଣ୍ଡ ପୂରଣ କରିବାକୁ ପରିକଳ୍ପିତ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ପାଇଁ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ଗୁରୁତ୍ are ପୂର୍ଣ ଅଟେ, ଏବଂ ଆମର ସି ଏପିଟାକ୍ସି ସମାଧାନଗୁଡିକ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଆପଣଙ୍କର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସର୍ବୋଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ହାସଲ କରେ |

ସଠିକ୍-ବ own ଼ିଥିବା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ | ସେମିସେରା |ବୁ understand ିଥାଏ ଯେ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ମୂଳଦୁଆ ବ୍ୟବହୃତ ସାମଗ୍ରୀର ଗୁଣରେ ଅଛି | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ବ୍ୟତିକ୍ରମିକ ସମାନତା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଖଣ୍ଡତା ସହିତ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ଉତ୍ପାଦନ କରିବାକୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯତ୍ନର ସହିତ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ | ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ଉନ୍ନତ ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକ ଜରୁରୀ, ଯେଉଁଠାରେ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସର୍ବାଧିକ |

ଉପକରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାଇଁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ |Theସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେମିସେରା ଦ୍ offered ାରା ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଥିବା ସେବାଗୁଡିକ ଆପଣଙ୍କର ଡିଭାଇସର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ବ enhance ାଇବାକୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ | କମ୍ ତ୍ରୁଟି ସାନ୍ଧ୍ରତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ବ By ାଇ, ଆମେ ନିଶ୍ଚିତ କରୁ ଯେ ଉନ୍ନତ ଉପାଦାନ ବାହକ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ବ electrical ଦୁତିକ ପ୍ରତିରୋଧକତା ସହିତ ଆପଣଙ୍କର ଉପାଦାନଗୁଡିକ ସର୍ବୋତ୍ତମ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରନ୍ତି | ଆଧୁନିକ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଦ୍ୱାରା ଆବଶ୍ୟକ ହେଉଥିବା ଉଚ୍ଚ-ଗତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଏହି ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |

ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ବହୁମୁଖୀତା | ସେମିସେରା |'sସି ଏପିଟାକ୍ସି |CMOS ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ପାୱାର୍ MOSFET ଏବଂ ବାଇପୋଲାର୍ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ | ଆମର ନମନୀୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆପଣଙ୍କ ପ୍ରକଳ୍ପର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ, ଆପଣ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ପତଳା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି କିମ୍ବା ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ମୋଟା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି |

ସର୍ବୋଚ୍ଚ ପଦାର୍ଥ ଗୁଣ |ସେମିସେରାରେ ଆମେ କରୁଥିବା ସମସ୍ତ କାର୍ଯ୍ୟର ଗୁଣ ହେଉଛି ଗୁଣବତ୍ତା | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏବଂ କ ques ଶଳ ବ୍ୟବହାର କରେ ଯେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଗଠନମୂଳକ ଅଖଣ୍ଡତାର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ମାନ ପୂରଣ କରେ କି ନାହିଁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ | ସବିଶେଷ ଧ୍ୟାନ ଏହି ତ୍ରୁଟିର ଘଟଣାକୁ କମ୍ କରିଥାଏ ଯାହାକି ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିପାରେ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅଧିକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ ଦୀର୍ଘସ୍ଥାୟୀ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ |

ଅଭିନବ ପ୍ରତି ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା | ସେମିସେରା |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅଗ୍ରଭାଗରେ ରହିବାକୁ ପ୍ରତିବଦ୍ଧ | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେବାଗୁଡିକ ଏହି ପ୍ରତିବଦ୍ଧତାକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ କରିଥାଏ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି କ ques ଶଳରେ ସର୍ବଶେଷ ଅଗ୍ରଗତିକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରି | ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ବିତରଣ କରିବାକୁ ଆମେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଆମର ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକୁ ବିଶୋଧନ କରୁ ଯାହା ଶିଳ୍ପର ବିକାଶଶୀଳ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ, ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ତୁମର ଉତ୍ପାଦ ବଜାରରେ ପ୍ରତିଯୋଗୀତା ବଜାୟ ରଖେ |

ତୁମର ଆବଶ୍ୟକତା ପାଇଁ ସମାଧାନ ସମାଧାନ |ବୁ project ିବା ଯେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ପ୍ରକଳ୍ପ ଅନନ୍ୟ,ସେମିସେରା |କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍ ଅଫର୍ କରେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ତୁମର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ସମାଧାନ ପାଇଁ ସମାଧାନ | ଆପଣ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଡୋପିଂ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍, ସ୍ତରର ଘନତା, କିମ୍ବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତି ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି, ଆମର ଦଳ ଏକ ଉତ୍ପାଦ ବିତରଣ କରିବାକୁ ଆପଣଙ୍କ ସହିତ ଘନିଷ୍ଠ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ ଯାହା ଆପଣଙ୍କର ସଠିକ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା ପୂରଣ କରେ |

ଆଇଟମ୍

ଉତ୍ପାଦନ

ଅନୁସନ୍ଧାନ |

ଡମି

ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |

ପଲିଟାଇପ୍ |

4H

ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି |

<11-20> 4 ± 0.15 ° |

ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |

ଡୋପାଣ୍ଟ |

n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ |

ପ୍ରତିରୋଧକତା |

0.015-0.025ohm · cm

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |

ବ୍ୟାସ

150.0 ± 0.2 ମିମି

ମୋଟା |

350 ± 25 μm

ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ |

[1-100] ± 5 ° |

ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ |

47.5 ± 1.5 ମିମି

ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ |

କିଛି ନୁହେଁ |

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

ଧନୁ

-15μm ~ 15μm |

-35μm ~ 35μm |

-45μm ~ 45μm |

ଯୁଦ୍ଧ

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

ଗଠନ

ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା |

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା |

≤5E10atoms / cm2 |

NA

BPD

≤1500 ea / cm2 |

0003000 ea / cm2 |

NA

TSD

≤500 ea / cm2 |

0001000 ea / cm2 |

NA

ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା |

ଆଗ

Si

ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ

ସି-ମୁହଁ CMP

କଣିକା |

≤60ea / wafer (size≥0.3μm)

NA

ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର |

ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ |

NA

କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ |

କିଛି ନୁହେଁ |

NA

ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ |

କିଛି ନୁହେଁ |

ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |

କିଛି ନୁହେଁ |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% |

ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ |

କିଛି ନୁହେଁ |

ପଛ ଗୁଣ

ପଛକୁ ଶେଷ

C- ମୁହଁ CMP |

ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ |

NA

ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍)

କିଛି ନୁହେଁ |

ପଛ ରୁଗ୍ଣତା |

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ |

1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ)

ଧାର

ଧାର

ଚାମ୍ଫର୍ |

ପ୍ୟାକେଜିଂ

ପ୍ୟାକେଜିଂ

ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ |

ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ |

* ଟିପ୍ପଣୀ : "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ |

tech_1_2_size
SiC ୱାଫର୍ |

  • ପୂର୍ବ:
  • ପରବର୍ତ୍ତୀ: