ସି ଏପିଟାକ୍ସି |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ସି ଏପିଟାକ୍ସି |- ସେମିକେରାର ସି ଏପିଟାକ୍ସି ସହିତ ଉନ୍ନତ ଉପକରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରନ୍ତୁ, ଉନ୍ନତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ସଠିକତା ବ grown ଼ୁଥିବା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତୁ |


ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ସେମିସେରା |ଏହାର ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ପରିଚୟ ପ୍ରଦାନ କରେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେବାଗୁଡିକ, ଆଜିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ସଠିକ୍ ମାନଦଣ୍ଡ ପୂରଣ କରିବାକୁ ପରିକଳ୍ପିତ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ପାଇଁ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ଗୁରୁତ୍ are ପୂର୍ଣ ଅଟେ, ଏବଂ ଆମର ସି ଏପିଟାକ୍ସି ସମାଧାନଗୁଡିକ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଆପଣଙ୍କର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସର୍ବୋଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ହାସଲ କରେ |

ସଠିକ୍-ବ own ଼ିଥିବା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ | ସେମିସେରା |ବୁ understand ିଥାଏ ଯେ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ମୂଳଦୁଆ ବ୍ୟବହୃତ ସାମଗ୍ରୀର ଗୁଣରେ ଅଛି | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ବ୍ୟତିକ୍ରମିକ ସମାନତା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଖଣ୍ଡତା ସହିତ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ଉତ୍ପାଦନ କରିବାକୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯତ୍ନର ସହିତ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ | ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ଉନ୍ନତ ଶକ୍ତି ଉପକରଣ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହି ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକ ଜରୁରୀ, ଯେଉଁଠାରେ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସର୍ବାଧିକ |

ଉପକରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାଇଁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ |Theସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେମିସେରା ଦ୍ offered ାରା ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଥିବା ସେବାଗୁଡିକ ଆପଣଙ୍କର ଡିଭାଇସର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ବ enhance ାଇବାକୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ | କମ୍ ତ୍ରୁଟି ସାନ୍ଧ୍ରତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ବ By ାଇ, ଆମେ ନିଶ୍ଚିତ କରୁ ଯେ ଉନ୍ନତ ଉପାଦାନ ବାହକ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ବ electrical ଦୁତିକ ପ୍ରତିରୋଧକତା ସହିତ ଆପଣଙ୍କର ଉପାଦାନଗୁଡିକ ସର୍ବୋତ୍ତମ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରନ୍ତି | ଆଧୁନିକ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଦ୍ୱାରା ଆବଶ୍ୟକ ହେଉଥିବା ଉଚ୍ଚ-ଗତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଏହି ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |

ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ବହୁମୁଖୀତା | ସେମିସେରା |'sସି ଏପିଟାକ୍ସି |CMOS ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ପାୱାର୍ MOSFET ଏବଂ ବାଇପୋଲାର୍ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ | ଆମର ନମନୀୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆପଣଙ୍କ ପ୍ରକଳ୍ପର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି କଷ୍ଟମାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ, ଆପଣ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ପତଳା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି କିମ୍ବା ପାୱାର୍ ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ମୋଟା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି |

ସର୍ବୋଚ୍ଚ ପଦାର୍ଥ ଗୁଣ |ସେମିସେରାରେ ଆମେ କରୁଥିବା ସମସ୍ତ କାର୍ଯ୍ୟର ଗୁଣ ହେଉଛି ଗୁଣ | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏବଂ କ ques ଶଳଗୁଡିକ ବ୍ୟବହାର କରେ ଯେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଗଠନମୂଳକ ଅଖଣ୍ଡତାର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ମାନ୍ୟତା ପୂରଣ କରେ | ସବିଶେଷ ଧ୍ୟାନ ଏହି ତ୍ରୁଟିର ଘଟଣାକୁ କମ୍ କରିଥାଏ ଯାହାକି ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିପାରେ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅଧିକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ ଦୀର୍ଘସ୍ଥାୟୀ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ |

ଅଭିନବ ପ୍ରତି ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା | ସେମିସେରା |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅଗ୍ରଭାଗରେ ରହିବାକୁ ପ୍ରତିବଦ୍ଧ | ଆମରସି ଏପିଟାକ୍ସି |ସେବାଗୁଡିକ ଏହି ପ୍ରତିବଦ୍ଧତାକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ କରିଥାଏ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି କ ques ଶଳରେ ସର୍ବଶେଷ ଅଗ୍ରଗତିକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରି | ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ବିତରଣ କରିବାକୁ ଆମେ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ଆମର ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକୁ ବିଶୋଧନ କରୁ ଯାହା ଶିଳ୍ପର ବିକାଶଶୀଳ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ, ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ତୁମର ଉତ୍ପାଦ ବଜାରରେ ପ୍ରତିଯୋଗୀତା ବଜାୟ ରଖେ |

ତୁମର ଆବଶ୍ୟକତା ପାଇଁ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ସମାଧାନ |ବୁ project ିବା ଯେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ପ୍ରକଳ୍ପ ଅନନ୍ୟ,ସେମିସେରା |କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍ ଅଫର୍ କରେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ତୁମର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ସମାଧାନ ପାଇଁ ସମାଧାନ | ଆପଣ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଡୋପିଂ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍, ସ୍ତରର ଘନତା, କିମ୍ବା ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତି ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି କି ନାହିଁ, ଆମର ଦଳ ଆପଣଙ୍କ ସହିତ ଘନିଷ୍ଠ ଭାବରେ ଏକ ଉତ୍ପାଦ ବିତରଣ କରିବାକୁ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ ଯାହା ଆପଣଙ୍କର ସଠିକ୍ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା ପୂରଣ କରେ |

ଆଇଟମ୍

ଉତ୍ପାଦନ

ଅନୁସନ୍ଧାନ |

ଡମି

ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |

ପଲିଟାଇପ୍ |

4H

ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି |

<11-20> 4 ± 0.15 ° |

ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |

ଡୋପାଣ୍ଟ |

n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ |

ପ୍ରତିରୋଧକତା |

0.015-0.025ohm · cm

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |

ବ୍ୟାସ

150.0 ± 0.2 ମିମି

ମୋଟା |

350 ± 25 μm

ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ |

[1-100] ± 5 ° |

ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ |

47.5 ± 1.5 ମିମି

ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ |

କିଛି ନୁହେଁ |

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

ଧନୁ

-15μm ~ 15μm |

-35μm ~ 35μm |

-45μm ~ 45μm |

ଯୁଦ୍ଧ

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

ଗଠନ

ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା |

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା |

≤5E10atoms / cm2 |

NA

BPD

≤1500 ea / cm2 |

0003000 ea / cm2 |

NA

TSD

≤500 ea / cm2 |

0001000 ea / cm2 |

NA

ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା |

ଆଗ

Si

ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ

ସି-ମୁହଁ CMP

କଣିକା |

≤60ea / wafer (size≥0.3μm)

NA

ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର |

ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ |

NA

କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ |

କିଛି ନୁହେଁ |

NA

ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ |

କିଛି ନୁହେଁ |

ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |

କିଛି ନୁହେଁ |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% |

ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% |

ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ |

କିଛି ନୁହେଁ |

ପଛ ଗୁଣ

ପଛକୁ ଶେଷ

C- ମୁହଁ CMP |

ସ୍କ୍ରାଚ୍ |

≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ |

NA

ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍)

କିଛି ନୁହେଁ |

ପଛ ରୁଗ୍ଣତା |

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ |

1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ)

ଧାର

ଧାର

ଚାମ୍ଫର୍ |

ପ୍ୟାକେଜିଂ

ପ୍ୟାକେଜିଂ

ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ |

ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ |

* ଟିପ୍ପଣୀ : "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ |

tech_1_2_size
SiC ୱାଫର୍ |

  • ପୂର୍ବ:
  • ପରବର୍ତ୍ତୀ: