ସେମିସେରା ଦ୍ୱାରା ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ଏକ ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ ଉପାଦାନ | ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିଲିକନ୍ (ସି) ରୁ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ହୋଇଥିବା ଏହି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଅତୁଳନୀୟ ସମାନତା, ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ବହୁ ଉନ୍ନତ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ | ସି ୱାଫର୍, ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ସୋଇ ୱାଫର୍, କିମ୍ବା ସିଏନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉ, ସେମିସେରା ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ ବିଜ୍ଞାନର ବ growing ୁଥିବା ଚାହିଦା ପୂରଣ ପାଇଁ ସ୍ଥିର ଗୁଣ ଏବଂ ଉନ୍ନତ ପ୍ରଦର୍ଶନ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |
ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ସଠିକତା ସହିତ ତୁଳନାତ୍ମକ ପ୍ରଦର୍ଶନ |
ସେମିସେରାର ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ ଟାଇଟ୍ ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏପି-ୱାଫର୍ସ ଏବଂ ଆଲଏନ୍ ୱାଫର୍ସ ସମେତ ବିଭିନ୍ନ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମୂଳଦୁଆ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ | ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ସଠିକତା ଏବଂ ସମାନତା ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ପତଳା-ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଜଟିଳ ଉପାଦାନ ସୃଷ୍ଟି ପାଇଁ ଏହାକୁ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପସନ୍ଦ କରିଥାଏ | ଆପଣ ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (Ga2O3) କିମ୍ବା ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଛନ୍ତି, ସେମିସେରାର ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ସ୍ତରର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ, ସେମିସେରାରୁ ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରୟୋଗର ଏକ ବ୍ୟାପକ ଧାଡିରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ସି ୱାଫର୍ ଏବଂ ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉତ୍ପାଦନ, ଯେଉଁଠାରେ ଏହା ସକ୍ରିୟ ସ୍ତରର ଜମା ପାଇଁ ଏକ ସ୍ଥିର, ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଆଧାର ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ | SOI ୱାଫର୍ସ (ସିଲିକନ୍ ଅନ୍ ଇନସୁଲେଟର) ତିଆରି କରିବାରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ, ଯାହା ଉନ୍ନତ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଜରୁରୀ | ଅଧିକନ୍ତୁ, ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ନିର୍ମିତ ଏପି-ୱାଫର୍ସ (ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ୱାଫର୍) ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଯେପରିକି ପାୱାର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର, ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଅବିଚ୍ଛେଦ୍ୟ |
ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ (Ga2O3) ବ୍ୟବହାର କରି ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନକୁ ମଧ୍ୟ ସମର୍ଥନ କରେ, ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଏକ ପ୍ରତିଜ୍ଞାକାରୀ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡପ୍ୟାପ୍ ସାମଗ୍ରୀ | ଅତିରିକ୍ତ ଭାବରେ, ଆଲାଇନ୍ ୱାଫର୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉନ୍ନତ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସେମିସେରାର ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ସୁସଙ୍ଗତତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଏହା ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ ଶିଳ୍ପଗୁଡିକର ବିଭିନ୍ନ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ, ଯାହା ଟେଲିକମ୍, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଏବଂ ଶିଳ୍ପ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ସମାଧାନ ହୋଇପାରିବ | ।
ଉଚ୍ଚ-ଟେକ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ ସ୍ଥିର ଗୁଣ |
ସେମିକେରା ଦ୍ୱାରା ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ତିଆରିର କଠୋର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଯତ୍ନର ସହିତ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ହୋଇଛି | ଏହାର ଅସାଧାରଣ ଗଠନମୂଳକ ଅଖଣ୍ଡତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ପୃଷ୍ଠ ଗୁଣ ଏହାକୁ ୱେଫର୍ ପରିବହନ ପାଇଁ କ୍ୟାସେଟ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ସହିତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ ଉଚ୍ଚ-ସଠିକତା ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ପଦାର୍ଥ କରିଥାଏ | ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅବସ୍ଥାରେ ସ୍ଥିର ଗୁଣବତ୍ତା ବଜାୟ ରଖିବା ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର କ୍ଷମତା ସର୍ବନିମ୍ନ ତ୍ରୁଟି ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ଅନ୍ତିମ ଉତ୍ପାଦର ଅମଳ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ବ ancing ାଇଥାଏ |
ଏହାର ଉନ୍ନତ ତାପଜ ଚାଳନା, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି, ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ସହିତ, ସେମିକେରାର ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ହେଉଛି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ସଠିକତା, ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ମାନ ହାସଲ କରିବାକୁ ଚାହୁଁଥିବା ନିର୍ମାତାମାନଙ୍କ ପାଇଁ ପସନ୍ଦ ସାମଗ୍ରୀ |
ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା, ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସମାଧାନ ପାଇଁ ସେମିସେରାର ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବାଛନ୍ତୁ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ନିର୍ମାତାମାନଙ୍କ ପାଇଁ, ସେମିସେରାରୁ ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଏକ ଦୃ ust, ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରେ, ସି ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ଏପି-ୱାଫର୍ସ ଏବଂ SOI ୱାଫର୍ ସୃଷ୍ଟି ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ | ଅଦୃଶ୍ୟ ଶୁଦ୍ଧତା, ସଠିକତା, ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସହିତ, ଏହି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉତ୍ପାଦନକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଯାହା ଦୀର୍ଘମିଆଦି କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସର୍ବୋଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ | ତୁମର ସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଆବଶ୍ୟକତା ପାଇଁ ସେମିସେରା ବାଛ, ଏବଂ ଆସନ୍ତାକାଲିର ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ଏକ ଉତ୍ପାଦ ଉପରେ ବିଶ୍ୱାସ କର |
ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
ଗଠନ | |||
ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
ଆଗ | Si | ||
ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
ପଛ ଗୁଣ | |||
ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
ଧାର | |||
ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
* ଟିପ୍ପଣୀ : "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | |