ବର୍ଣ୍ଣନା
ଆଧୁନିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନର କଠୋର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ସେମିସେରା ଗଏନ୍ ଏପିଟାକ୍ସି କ୍ୟାରିଅର୍ ଯତ୍ନର ସହିତ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି | ଉଚ୍ଚମାନର ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ସଠିକତା ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂର ମୂଳଦୁଆ ସହିତ, ଏହି ବାହକ ଏହାର ଅସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ହେତୁ ଛିଡା ହୋଇଛି | ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ଆବରଣର ଏକୀକରଣ ଉନ୍ନତ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ, ତାପଜ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସୁରକ୍ଷାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ଯାହା ଏହାକୁ ଶିଳ୍ପ ବୃତ୍ତିଗତମାନଙ୍କ ପାଇଁ ଏକ ପସନ୍ଦଯୋଗ୍ୟ ପସନ୍ଦ କରେ |
ମୁଖ୍ୟ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
1। ବ୍ୟତିକ୍ରମିକ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ |GaN ଏପିଟାକ୍ସି କ୍ୟାରିଅର୍ ଉପରେ ଥିବା CVD SiC ଆବରଣ ଏହାର ପିନ୍ଧିବା ଏବଂ ଛିଣ୍ଡିବା ପ୍ରତିରୋଧକୁ ବ ances ାଇଥାଏ, ଏହାର କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଜୀବନକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ବ ending ାଇଥାଏ | ଏହି ଦୃ ust ତା ଉତ୍ପାଦନ ପରିବେଶର ଚାହିଦା ମଧ୍ୟରେ ମଧ୍ୟ କ୍ରମାଗତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ବାରମ୍ବାର ବଦଳ ଏବଂ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣର ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ହ୍ରାସ କରେ |
2। ସର୍ବୋଚ୍ଚ ତାପଜ ଦକ୍ଷତା |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ଥର୍ମାଲ୍ ପରିଚାଳନା ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | GaN ଏପିଟାକ୍ସି କ୍ୟାରିଅରର ଉନ୍ନତ ତାପଜ ଗୁଣଗୁଡିକ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାରକୁ ସହଜ କରିଥାଏ, ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥା ବଜାୟ ରଖେ | ଏହି ଦକ୍ଷତା କେବଳ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ୱାଫରର ଗୁଣବତ୍ତାକୁ ଉନ୍ନତ କରେ ନାହିଁ ବରଂ ସାମଗ୍ରିକ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତାକୁ ମଧ୍ୟ ବ ances ାଇଥାଏ |
3। ପ୍ରତିରକ୍ଷା କ୍ଷମତା |SiC ଆବରଣ ରାସାୟନିକ କ୍ଷୟ ଏବଂ ତାପଜ ଶକ୍ ଠାରୁ ଦୃ strong ସୁରକ୍ଷା ଯୋଗାଏ | ଏହା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ କ୍ୟାରିଅରର ଅଖଣ୍ଡତା ବଜାୟ ରହିଥାଏ, ସୂକ୍ଷ୍ମ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀକୁ ସୁରକ୍ଷିତ ରଖେ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ସାମଗ୍ରିକ ଅମଳ ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ବ ancing ାଇଥାଏ |
ଯାନ୍ତ୍ରିକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:
ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ：
ସେମିକୋରକ୍ସ GaN ଏପିଟାକ୍ସି କ୍ୟାରିଅର୍ ବିଭିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ, ଏଥିରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ:
GaN epitaxial ଅଭିବୃଦ୍ଧି |
ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟା |
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD)
ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଉନ୍ନତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ |
