MOCVD ପାଇଁ SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସସପେଟର |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ସେମିକେରା ଦ୍ M ାରା MOCVD ପାଇଁ ସର୍ବୋଚ୍ଚ SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସସପେପ୍ଟର୍, ଯାହା ଆପଣଙ୍କର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଆଣିବା ପାଇଁ ପରିକଳ୍ପିତ | ସେମିସେରାର ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ, ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ SiC ସହିତ ଆବୃତ ଏକ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସହିତ, MOCVD ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଅପୂର୍ବ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରେ |


ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ବର୍ଣ୍ଣନା

ସିସି କୋଟେଡ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସସେପ୍ଟର |ସେମିସେରାରୁ MOCVD ପାଇଁ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅସାଧାରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରିବାକୁ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ | ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସରେ ଥିବା ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ MOCVD (ଧାତୁ ଜ Organ ବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା) କାର୍ଯ୍ୟ ସମୟରେ ସ୍ଥିରତା, ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଏବଂ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନାକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ | ସେମିସେରାର ଅଭିନବ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରି, ଆପଣ ବର୍ଦ୍ଧିତ ସଠିକତା ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ହାସଲ କରିପାରିବେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ଏବଂSiC ଏପିଟାକ୍ସି |ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ |

ଏଗୁଡ଼ିକ |MOCVD ସନ୍ଦେହକାରୀ |ବିଭିନ୍ନ ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ସମର୍ଥନ କରିବାକୁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି, ଯେପରି |PSS ଏଚିଂ କ୍ୟାରିଅର୍ |, ଆଇସିପି ଏଚିଂ କ୍ୟାରିଅର୍ |, ଏବଂଆରଟିପି ବାହକ |ବିଭିନ୍ନ ଏଚିଂ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ କାର୍ଯ୍ୟ ପାଇଁ ସେମାନଙ୍କୁ ବହୁମୁଖୀ କରିବା | ଉଚ୍ଚ ମାନର ସେମିସେରାର ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଏହି ସେସେପ୍ଟରଗୁଡିକ ଆଧୁନିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନର କଠୋର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରନ୍ତି |

ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ |ଏଲଇଡି ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ |ସସେପ୍ଟର, ବ୍ୟାରେଲ୍ ସସେପ୍ଟର, ଏବଂ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଏହି ସସେପ୍ଟରଗୁଡିକ ପାନକେକ୍ ସସେପ୍ଟର ବିନ୍ୟାସକରଣ ସହିତ ବିଭିନ୍ନ ୱେଫର୍ ସାଇଜ୍ ପାଇଁ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ ହୋଇପାରିବ | ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଅଂଶଗୁଡିକ ପରିଚାଳନା କରିବାରେ ମଧ୍ୟ ସେମାନେ ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ, ସେମାନଙ୍କୁ ଦକ୍ଷ ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକର ବିକାଶରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉପାଦାନ କରିଥାନ୍ତି |

ଏହା ସହିତ, MOCVD ପାଇଁ SiC Coated Graphite Base Susceptors SiC Epitaxy ରେ GaN ପାଇଁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ହୋଇଛି, ଉନ୍ନତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ସୁସଙ୍ଗତତା ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ | ଆପଣ ଅମଳର ଉନ୍ନତି କିମ୍ବା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧିର ଗୁଣବତ୍ତା ବୃଦ୍ଧି ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦିଅନ୍ତୁ, ସେମିସେରାର ସସପେପ୍ଟରଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ ଶିଳ୍ପରେ ସଫଳତା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି |

 

ମୁଖ୍ୟ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ

1। ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ |

2। ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସମାନତା |

3। ଭଲSiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଆବୃତ |ଏକ ସୁଗମ ପୃଷ୍ଠ ପାଇଁ |

ରାସାୟନିକ ସଫେଇ ବିରୁଦ୍ଧରେ ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ |

 

CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:

SiC-CVD
ଘନତା (g / cc) 3.21
ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | (Mpa) 470
ତାପଜ ବିସ୍ତାର | (10-6 / K) 4
ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | (W / mK) 300

ପ୍ୟାକିଂ ଏବଂ ସିପିଂ

ଯୋଗାଣ କ୍ଷମତା:
ପ୍ରତି ମାସରେ 10000 ଖଣ୍ଡ / ଖଣ୍ଡ |
ପ୍ୟାକେଜିଂ ଏବଂ ବିତରଣ:
ପ୍ୟାକିଂ: ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ଏବଂ ମଜବୁତ ପ୍ୟାକିଂ |
ପଲି ବ୍ୟାଗ୍ + ବାକ୍ସ + କାର୍ଟନ୍ + ପ୍ୟାଲେଟ୍ |
ବନ୍ଦର:
ନିଙ୍ଗବୋ / ଶେନଜେନ୍ / ସାଂଘାଇ |
ଲିଡ୍ ସମୟ:

ପରିମାଣ (ଖଣ୍ଡ)

1-1000

> 1000

ଇଷ୍ଟ ସମୟ (ଦିନ) 30 ବୁ be ାମଣା ହେବା |
ସେମିସେରା କାର୍ଯ୍ୟ ସ୍ଥାନ |
ସେମିସେରା କାର୍ଯ୍ୟ ସ୍ଥାନ 2
ଉପକରଣ ଯନ୍ତ୍ର
CNN ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ରାସାୟନିକ ସଫେଇ, CVD ଆବରଣ |
ସେମିସେରା ୱେୟାର ହାଉସ୍ |
ଆମର ସେବା

  • ପୂର୍ବ:
  • ପରବର୍ତ୍ତୀ: