ବର୍ଣ୍ଣନା
ସ୍ଥିର ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ସହିତ CVD-SiC ଆବରଣର ସମାନ ଗଠନ, କମ୍ପାକ୍ଟ ସାମଗ୍ରୀ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଏସିଡ୍ ଏବଂ କ୍ଷାର ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଜ organic ବ ପୁନ ag ର ଗୁଣ ରହିଛି |
ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ତୁଳନା କଲେ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ 400C ରେ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ହେବା ଆରମ୍ଭ କରେ, ଯାହା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ କାରଣରୁ ପାଉଡର ନଷ୍ଟ ହୋଇଯାଏ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ପେରିଫେରାଲ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ ପରିବେଶ ପ୍ରଦୂଷଣ ହୁଏ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧ ପରିବେଶର ଅପରିଷ୍କାରତା ବ increase େ |
ତଥାପି, SiC ଆବରଣ 1600 ଡିଗ୍ରୀରେ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ବଜାୟ ରଖିପାରେ, ଏହା ଆଧୁନିକ ଶିଳ୍ପରେ ବିଶେଷ ଭାବରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଆମ କମ୍ପାନୀ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ସେରାମିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Si ାରା SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସେବା ଯୋଗାଇଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ carbon ାରା କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଧାରଣ କରିଥିବା ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ୟାସ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଅଣୁ, ଆବୃତ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ, SIC ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ | ଗଠିତ ସିଆରସିସି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସହିତ ଦୃ ly ଭାବରେ ବନ୍ଧା ହୋଇଛି, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍କୁ ବିଶେଷ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଏହିପରି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ କମ୍ପାକ୍ଟ, ପୋରୋସିଟିମୁକ୍ତ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧକ |
ଆବେଦନ
ମୁଖ୍ୟ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
1। ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ |
2। ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସମାନତା |
3। ଏକ ସୁଗମ ପୃଷ୍ଠ ପାଇଁ ସୂକ୍ଷ୍ମ SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଆବୃତ |
ରାସାୟନିକ ସଫେଇ ବିରୁଦ୍ଧରେ ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ |
CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |
| SiC-CVD | ||
| ଘନତା | (g / cc) | 3.21 |
| ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | | (Mpa) | 470 |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର | | (10-6 / K) | 4 |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | (W / mK) | 300 |
ପ୍ୟାକିଂ ଏବଂ ସିପିଂ
ଯୋଗାଣ କ୍ଷମତା:
ପ୍ରତି ମାସରେ 10000 ଖଣ୍ଡ / ଖଣ୍ଡ |
ପ୍ୟାକେଜିଂ ଏବଂ ବିତରଣ:
ପ୍ୟାକିଂ: ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ଏବଂ ମଜବୁତ ପ୍ୟାକିଂ |
ପଲି ବ୍ୟାଗ୍ + ବାକ୍ସ + କାର୍ଟନ୍ + ପ୍ୟାଲେଟ୍ |
ବନ୍ଦର:
ନିଙ୍ଗବୋ / ଶେନଜେନ୍ / ସାଂଘାଇ |
ଲିଡ୍ ସମୟ:
| ପରିମାଣ (ଖଣ୍ଡ) | 1 - 1000 | > 1000 |
| ଇଷ୍ଟ ସମୟ (ଦିନ) | 15 | ବୁ be ାମଣା ହେବା | |
