ସେମିସେରା |SiC କ୍ୟାଣ୍ଟିଲାଇଭର ୱାଫର୍ ପ୍ୟାଡଲ୍ |ଆଧୁନିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି | ଏହାୱେଫର୍ ପ୍ୟାଡଲ୍ |ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି ଏବଂ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ ୱାଫର୍ ପରିଚାଳନା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ସିସି କ୍ୟାଣ୍ଟିଲାଇଭର ଡିଜାଇନ୍ ସଠିକ୍ ୱେଫର୍ ପ୍ଲେସମେଣ୍ଟକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ସମୟରେ କ୍ଷତି ହେବାର ଆଶଙ୍କା ହ୍ରାସ କରିଥାଏ | ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଚରମ ଅବସ୍ଥାରେ ମଧ୍ୟ ୱେଫର୍ ସ୍ଥିର ରହିଥାଏ, ଯାହା ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତା ବଜାୟ ରଖିବା ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
ଏହାର ଗଠନମୂଳକ ସୁବିଧା ସହିତ, ସେମିସେରାର |SiC କ୍ୟାଣ୍ଟିଲାଇଭର ୱାଫର୍ ପ୍ୟାଡଲ୍ |ଓଜନ ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱରେ ମଧ୍ୟ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରେ | ହାଲୁକା ନିର୍ମାଣ କାର୍ଯ୍ୟ ବିଦ୍ୟମାନ ସିଷ୍ଟମରେ ପରିଚାଳନା ଏବଂ ଏକୀକରଣକୁ ସହଜ କରିଥାଏ, ଯେତେବେଳେ ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା SiC ସାମଗ୍ରୀ ଚାହିଦା ଅନୁଯାୟୀ ଦୀର୍ଘସ୍ଥାୟୀ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |
| ପୁନ ry ସ୍ଥାପିତ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ର ଭ Phys ତିକ ଗୁଣ | | |
| ସମ୍ପତ୍ତି | ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ |
| କାର୍ଯ୍ୟର ତାପମାତ୍ରା (° C) | 1600 ° C (ଅମ୍ଳଜାନ ସହିତ), 1700 ° C (ପରିବେଶ ହ୍ରାସ) |
| SiC ବିଷୟବସ୍ତୁ | | > 99.96% |
| ମାଗଣା ସି ବିଷୟବସ୍ତୁ | | <0.1% |
| ବଲ୍କ ଘନତା | | 2.60-2.70 g / cm3 |
| ଦୃଶ୍ୟମାନ | <16% |
| ସଙ୍କୋଚନ ଶକ୍ତି | | > 600 MPa |
| ଥଣ୍ଡା ନମ୍ର ଶକ୍ତି | | 80-90 MPa (20 ° C) |
| ଗରମ ନମ୍ର ଶକ୍ତି | | 90-100 MPa (1400 ° C) |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର @ 1500 ° C | 4.70 10-6/ ° C |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି @ 1200 ° C | | 23 W / m • K। |
| ଇଲଷ୍ଟିକ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ | | 240 GPa |
| ଥର୍ମାଲ୍ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ | | ଅତ୍ୟନ୍ତ ଭଲ | |
