ବର୍ଣ୍ଣନା
ଆମ କମ୍ପାନୀ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ସେରାମିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ Si ାରା SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସେବା ଯୋଗାଇଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ carbon ାରା କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଧାରଣ କରିଥିବା ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ୟାସ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଅଣୁ, ଆବୃତ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ, SIC ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ |
ମୁଖ୍ୟ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
1। ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ |
2। ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସମାନତା |
3। ଏକ ସୁଗମ ପୃଷ୍ଠ ପାଇଁ ସୂକ୍ଷ୍ମ SiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଆବୃତ |
ରାସାୟନିକ ସଫେଇ ବିରୁଦ୍ଧରେ ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ |
CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ବିଶେଷତା |
| SiC-CVD ଗୁଣ | | ||
| କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ | FCC β ପର୍ଯ୍ୟାୟ | | |
| ଘନତା | g / cm ³ | 3.21 |
| କଠିନତା | | ବିକର୍ସ କଠିନତା | | 2500 |
| ଶସ୍ୟ ଆକାର | | μm | 2 ~ 10 |
| ରାସାୟନିକ ଶୁଦ୍ଧତା | | % | 99.99995 |
| ଉତ୍ତାପ କ୍ଷମତା | | J · kg-1 · K-1 | | 640 |
| ସବଲିମେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା | | ℃ | 2700 |
| ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | | MPa (RT 4-point) | 415 |
| ୟଙ୍ଗ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ | | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | (W / mK) | 300 |
