ସେମିକେରାର ସିଲିକନ୍ ଅନ୍ ଇନସୁଲେଟର (SOI) ୱେଫର୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ନବସୃଜନର ଅଗ୍ରଭାଗରେ ଅଛି, ବର୍ଦ୍ଧିତ ବ electrical ଦୁତିକ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଏବଂ ଉନ୍ନତ ତାପଜ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ | SOI ସଂରଚନା, ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଏକ ପତଳା ସିଲିକନ୍ ସ୍ତରକୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଲାଭ ପ୍ରଦାନ କରେ |
ଆମର SOI ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ପରଜୀବୀ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ ଏବଂ ଲିକେଜ୍ ସ୍ରୋତକୁ କମ୍ କରିବାକୁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ଗତି ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ବିକାଶ ପାଇଁ ଜରୁରୀ | ଏହି ଉନ୍ନତ ଜ୍ଞାନକ technology ଶଳ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପାଇଁ ଉନ୍ନତ ଗତି ଏବଂ ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ ସହିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ କାର୍ଯ୍ୟ କରନ୍ତି |
ସେମିସେରା ଦ୍ୱାରା ନିୟୋଜିତ ଉନ୍ନତ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସମାନତା ଏବଂ ସ୍ଥିରତା ସହିତ SOI ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନକୁ ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦିଏ | ଟେଲିକମ୍, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଏବଂ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହି ଗୁଣ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ, ଯେଉଁଠାରେ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରଦର୍ଶନକାରୀ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ଆବଶ୍ୟକ |
ସେମାନଙ୍କର ବ electrical ଦ୍ୟୁତିକ ଲାଭ ସହିତ, ସେମିସେରାର SOI ୱାଫର୍ ଉନ୍ନତ ତାପଜ ଇନସୁଲେସନ୍ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଉଚ୍ଚ-ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଉପକରଣରେ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଏବଂ ସ୍ଥିରତା ବ ancing ାଇଥାଏ | ଏହି ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ବିଶେଷ ମୂଲ୍ୟବାନ ଅଟେ ଯାହାକି ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନ ସହିତ ଜଡିତ ଏବଂ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ତାପଜ ପରିଚାଳନା ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
ସେମିସେରାର ସିଲିକନ୍ ଅନ୍ ଇନସୁଲେଟର ୱାଫର୍ ଚୟନ କରି, ଆପଣ ଏକ ଉତ୍ପାଦରେ ବିନିଯୋଗ କରନ୍ତି ଯାହାକି ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ଜ୍ଞାନକ .ଶଳର ଅଗ୍ରଗତିକୁ ସମର୍ଥନ କରେ | ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ନବସୃଜନ ପ୍ରତି ଆମର ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଆମର SOI ୱାଫର୍ ଆଜିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର କଠୋର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରେ, ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଭିତ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରେ |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
