ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (TaC)ଉଚ୍ଚ ତରଳ ତାପମାତ୍ରା, ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, ଉତ୍ତମ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା, ଶକ୍ତିଶାଳୀ ବ electrical ଦୁତିକ ଏବଂ ତାପଜ ଚାଳନା ଇତ୍ୟାଦିର ସୁବିଧା ସହିତ ଏକ ସୁପର-ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧକ ସେରାମିକ୍ ପଦାର୍ଥ |TaC ଆବରଣ |ଆବ୍ଲେସନ୍-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଆବରଣ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଆବରଣ, ଏବଂ ପୋଷାକ-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଆବରଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ତାପଜ ସୁରକ୍ଷା, ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ପ୍ରକ୍ରିୟା:
ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (TaC)ଉଚ୍ଚ ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ, ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, ଉତ୍ତମ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା, ଶକ୍ତିଶାଳୀ ବ electrical ଦୁତିକ ଏବଂ ତାପଜ ଚାଳନା ସୁବିଧା ସହିତ ଏକ ପ୍ରକାର ଅଲ୍ଟ୍ରା-ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧକ ସେରାମିକ୍ ପଦାର୍ଥ | ତେଣୁ,TaC ଆବରଣ |ଆବ୍ଲେସନ୍-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଆବରଣ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଆବରଣ, ଏବଂ ପୋଷାକ-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଆବରଣ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ ଏବଂ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ତାପଜ ସୁରକ୍ଷା, ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି, ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ରରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ଆବରଣର ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ଚରିତ୍ର:
ଆମେ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାକୁ ସ୍ଲୁରି-ସିନ୍ଟରିଂ ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରୁ |TaC ଆବରଣ |ବିଭିନ୍ନ ଆକାରର ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ବିଭିନ୍ନ ଘନତା | ପ୍ରଥମେ, Ta ଉତ୍ସ ଏବଂ C ଉତ୍ସ ଧାରଣ କରିଥିବା ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ପାଉଡର ଏକ ସମାନ ଏବଂ ସ୍ଥିର ପୂର୍ବବର୍ତ୍ତୀ ସ୍ଲୁରି ଗଠନ ପାଇଁ ବିସର୍ଜନକାରୀ ଏବଂ ବାଇଣ୍ଡର୍ ସହିତ ବିନ୍ୟାସିତ | ସେହି ସମୟରେ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅଂଶଗୁଡିକର ଆକାର ଏବଂ ମୋଟା ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ |TaC ଆବରଣ |, ସ୍ପ୍ରେ, ing ାଳିବା, ଅନୁପ୍ରବେଶ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଫର୍ମ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରି-ଆବରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତ | ଶେଷରେ, ଏକ ୟୁନିଫର୍ମ, ଘନ, ଏକକ ଚରଣ ଏବଂ ଭଲ-ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାକୁ ଏକ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ ପରିବେଶରେ ଏହାକୁ 2200 above ରୁ ଅଧିକ ଗରମ କରାଯାଏ |TaC ଆବରଣ |.
ଆବରଣର ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ଚରିତ୍ର:
ମୋଟା |TaC ଆବରଣ |ପ୍ରାୟ 10-50 μm ଅଟେ, ଶସ୍ୟଗୁଡିକ ଏକ ମୁକ୍ତ ଆଭିମୁଖ୍ୟରେ ବ grow ିଥାଏ, ଏବଂ ଏହା ଅନ୍ୟ ଅପରିଷ୍କାରତା ବିନା ଏକକ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମୁଖ-କେନ୍ଦ୍ରିତ ଘନ ଗଠନ ସହିତ TaC ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ | ଆବରଣ ଘନ, ଗଠନ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ, ଏବଂ ସ୍ଫଟିକତା ଅଧିକ |TaC ଆବରଣ |ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଖାଲଗୁଡିକ ପୂରଣ କରିପାରିବ, ଏବଂ ଏହା ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତି ସହିତ ବନ୍ଧା | ଆବରଣରେ Ta ରୁ C ଅନୁପାତ 1: 1 ପାଖାପାଖି | GDMS ଶୁଦ୍ଧତା ଚିହ୍ନଟ ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ ASTM F1593, ଅପରିଷ୍କାର ଏକାଗ୍ରତା 121ppm ରୁ କମ୍ ଅଟେ | ଆବରଣ ପ୍ରୋଫାଇଲର ଗାଣିତିକ ଅର୍ଥ ବିଘ୍ନ (Ra) ହେଉଛି 662nm |
ସାଧାରଣ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ:
GaN ଏବଂSiC epitaxial |ୱେଫର୍ ବାହକ, ସାଟେଲାଇଟ୍ ଡିସ୍, ସାୱାରହେଡ୍, ଟପ୍ କଭର ଏବଂ ସସେପ୍ଟର ସହିତ CVD ରିଆକ୍ଟର ଉପାଦାନ |
SiC, GaN ଏବଂ AlN ସ୍ଫଟିକ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଉପାଦାନଗୁଡିକ, କ୍ରୁସିବଲ୍, ବିହନ ସ୍ଫଟିକ୍ ଧାରକ, ଫ୍ଲୋ ଗାଇଡ୍ ଏବଂ ଫିଲ୍ଟର୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ |
ପ୍ରତିରୋଧକ ଗରମ ଉପାଦାନ, ଅଗ୍ରଭାଗ, ield ାଲ ରିଙ୍ଗ ଏବଂ ବ୍ରଜ୍ ଫିକ୍ଚର୍ ସହିତ ଶିଳ୍ପ ଉପାଦାନଗୁଡିକ |
ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
2600 at ରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା |
H ର କଠିନ ରାସାୟନିକ ପରିବେଶରେ ସ୍ଥିର-ରାଜ୍ୟ ସୁରକ୍ଷା ପ୍ରଦାନ କରେ |2, NH3, SiH4ଏବଂ ସି ବାଷ୍ପ |
ସ୍ୱଳ୍ପ ଉତ୍ପାଦନ ଚକ୍ର ସହିତ ବହୁ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |
