ସେମିସେରାର SOI ୱାଫର୍ (ସିଲିକନ୍ ଅନ୍ ଇନସୁଲେଟର) ଉନ୍ନତ ବ electrical ଦୁତିକ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଏବଂ ତାପଜ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପ୍ରଦାନ କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି | ଏହି ଅଭିନବ ୱେଫର୍ ଗଠନ, ଏକ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତରରେ ଏକ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ବିଶିଷ୍ଟ, ବର୍ଦ୍ଧିତ ଉପକରଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାରକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ଯାହା ବିଭିନ୍ନ ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ |
ଆମର SOI ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକ ପରଜୀବୀ କ୍ଷମତାକୁ କମ୍ କରି ଏବଂ ଉପକରଣର ଗତି ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରି ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଅତୁଳନୀୟ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି | ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପାଇଁ ଏହା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ, ଯେଉଁଠାରେ ଉଭୟ ଉପଭୋକ୍ତା ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ଦକ୍ଷତା ଜରୁରୀ |
ସେମିସେରା କ୍ରମାଗତ ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସହିତ SOI ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉନ୍ନତ ଉତ୍ପାଦନ କ ques ଶଳକୁ ନିୟୋଜିତ କରେ | ଏହି ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ଇନସୁଲେସନ୍ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ପରିବେଶରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ ଯେଉଁଠାରେ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଏକ ଚିନ୍ତାର ବିଷୟ, ଯେପରିକି ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣ ଏବଂ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା ପ୍ରଣାଳୀରେ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫ୍ୟାକେସନ୍ରେ SOI ୱାଫର୍ ବ୍ୟବହାର ଛୋଟ, ତୀବ୍ର ଏବଂ ଅଧିକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଚିପ୍ସର ବିକାଶ ପାଇଁ ଅନୁମତି ଦିଏ | ସଠିକ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ପାଇଁ ସେମିସେରାର ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଆମର SOI ୱାଫର୍ ଟେଲିକମ୍, ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଏବଂ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପରି ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ଜ୍ଞାନକ technologies ଶଳ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଉଚ୍ଚ ମାନକୁ ପୂରଣ କରେ |
ସେମିସେରାର SOI ୱାଫର୍ ବାଛିବାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଏକ ଉତ୍ପାଦରେ ବିନିଯୋଗ ଯାହା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅଗ୍ରଗତିକୁ ସମର୍ଥନ କରେ | ଆମର ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ପ୍ରଦାନ କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି, ଆପଣଙ୍କର ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ ପ୍ରକଳ୍ପର ସଫଳତାରେ ସହାୟକ ହେଉଛି ଏବଂ ଆପଣ ନିଶ୍ଚିତ କରନ୍ତୁ ଯେ ଆପଣ ନୂତନତ୍ୱର ଅଗ୍ରଭାଗରେ ରହିବେ |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
