ଆମର କମ୍ପାନୀ ଯୋଗାଏ |SiC ଆବରଣ |CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ graph ାରା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ସେରାମିକ୍ସ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ସେବା ସେବା, ଯାହା ଦ୍ carbon ାରା ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଧାରଣ କରିଥିବା ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ୟାସ୍ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ସିକ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ପାଇପାରିବେ, ଯାହାକି ଆବୃତ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇପାରିବ |SiC ପ୍ରତିରକ୍ଷା ସ୍ତର |ଏପିଟାକ୍ସି ବ୍ୟାରେଲ୍ ପ୍ରକାର ହାଇ ପ୍ନୋଟିକ୍ ପାଇଁ |
ମୁଖ୍ୟ ବ features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
1। ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ |
2। ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସମାନତା |
3। ଭଲSiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଆବୃତ |ଏକ ସୁଗମ ପୃଷ୍ଠ ପାଇଁ |
ରାସାୟନିକ ସଫେଇ ବିରୁଦ୍ଧରେ ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ |
ର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା |CVD-SIC ଆବରଣ |
| SiC-CVD ଗୁଣ | | ||
| କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ | FCC β ପର୍ଯ୍ୟାୟ | | |
| ଘନତା | g / cm ³ | 3.21 |
| କଠିନତା | | ବିକର୍ସ କଠିନତା | | 2500 |
| ଶସ୍ୟ ଆକାର | | μm | 2 ~ 10 |
| ରାସାୟନିକ ଶୁଦ୍ଧତା | | % | 99.99995 |
| ଉତ୍ତାପ କ୍ଷମତା | | J · kg-1 · K-1 | | 640 |
| ସବଲିମେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା | | ℃ | 2700 |
| ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | | MPa (RT 4-point) | 415 |
| ୟଙ୍ଗ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ | | Gpa (4pt bend, 1300 ℃) | 430 |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | (W / mK) | 300 |
