ସେମିସେରା ଶିଳ୍ପ-ଅଗ୍ରଣୀ ଉପସ୍ଥାପନ କରେ |ୱାଫର୍ ବାହକ |, ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ବିଭିନ୍ନ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ସୂକ୍ଷ୍ମ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ୱାଫରଗୁଡିକର ଉନ୍ନତ ସୁରକ୍ଷା ଏବଂ ନିରବିହୀନ ପରିବହନ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ | ଆମରୱାଫର୍ ବାହକ |ଆଧୁନିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫ୍ୟାକେସନ୍ ର କଠୋର ଚାହିଦା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଯତ୍ନର ସହିତ ପରିକଳ୍ପନା କରାଯାଇଛି, ଆପଣଙ୍କ ୱାଫରର ଅଖଣ୍ଡତା ଏବଂ ଗୁଣବତ୍ତା ସବୁବେଳେ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ କରେ |
ମୁଖ୍ୟ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
• ପ୍ରିମିୟମ୍ ସାମଗ୍ରୀ ନିର୍ମାଣ:ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ, ପ୍ରଦୂଷଣ-ପ୍ରତିରୋଧକ ସାମଗ୍ରୀରୁ ନିର୍ମିତ ଯାହା ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଦୀର୍ଘାୟୁତାକୁ ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦେଇଥାଏ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ କ୍ଲିନରୁମ୍ ପରିବେଶ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ କରିଥାଏ |
•ସଠିକ୍ ଡିଜାଇନ୍:ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ପରିବହନ ସମୟରେ ୱେଫର୍ ସ୍ଲିପେଜ୍ ଏବଂ କ୍ଷତିକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ସଠିକ୍ ସ୍ଲଟ୍ ଆଲାଇନ୍ମେଣ୍ଟ ଏବଂ ସୁରକ୍ଷିତ ହୋଲଡିଂ ମେକାନିଜମ୍ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ |
•ବହୁମୁଖୀ ସୁସଙ୍ଗତତା:ବିଭିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ନମନୀୟତା ପ୍ରଦାନ କରି ୱେଫର୍ ଆକାର ଏବଂ ଘନତାର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ପରିସରକୁ ସ୍ଥାନିତ କରେ |
•ଏର୍ଗୋନୋମିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ:ହାଲୁକା ଏବଂ ଉପଭୋକ୍ତା-ଅନୁକୂଳ ଡିଜାଇନ୍ ସହଜ ଲୋଡିଂ ଏବଂ ଅନଲୋଡିଂ, କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ପରିଚାଳନା ସମୟ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ |
•କଷ୍ଟମାଇଜେବଲ୍ ବିକଳ୍ପଗୁଡିକ:ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ କଷ୍ଟୋମାଇଜେସନ୍ ପ୍ରଦାନ କରେ, ବସ୍ତୁ ପସନ୍ଦ, ଆକାର ଆଡଜଷ୍ଟେସନ୍, ଏବଂ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ୱାର୍କଫ୍ଲୋ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେସନ୍ ପାଇଁ ଲେବଲ୍ ସହିତ |
ସେମିକେରା ସହିତ ଆପଣଙ୍କର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୃଦ୍ଧି କରନ୍ତୁ |ୱାଫର୍ ବାହକ |, ପ୍ରଦୂଷଣ ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ କ୍ଷତିରୁ ଆପଣଙ୍କର ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକୁ ସୁରକ୍ଷିତ ରଖିବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ସମାଧାନ | ଉତ୍ପାଦ ବିତରଣ କରିବା ପାଇଁ ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ନବସୃଜନ ପ୍ରତି ଆମର ପ୍ରତିବଦ୍ଧତା ଉପରେ ବିଶ୍ Trust ାସ କର ଯାହା କେବଳ ଶିଳ୍ପ ମାନକକୁ ପୂରଣ କରେ ନାହିଁ, ତୁମର କାର୍ଯ୍ୟକଳାପ ସୁରୁଖୁରୁରେ ଏବଂ ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ଚାଲିବା ନିଶ୍ଚିତ କରେ |
| ଆଇଟମ୍ | ଉତ୍ପାଦନ | ଅନୁସନ୍ଧାନ | | ଡମି |
| ସ୍ଫଟିକ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ପଲିଟାଇପ୍ | | 4H | ||
| ସର୍ଫେସ୍ ଆରିଏଣ୍ଟେସନ୍ ତ୍ରୁଟି | | <11-20> 4 ± 0.15 ° | | ||
| ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ଡୋପାଣ୍ଟ | | n- ପ୍ରକାର ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ | | ||
| ପ୍ରତିରୋଧକତା | | 0.015-0.025ohm · cm | ||
| ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | |||
| ବ୍ୟାସ | 150.0 ± 0.2 ମିମି | ||
| ମୋଟା | | 350 ± 25 μm | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଆଭିଏଣ୍ଟେସନ୍ | | [1-100] ± 5 ° | | ||
| ପ୍ରାଥମିକ ଫ୍ଲାଟ ଲମ୍ବ | | 47.5 ± 1.5 ମିମି | ||
| ଦ୍ Secondary ିତୀୟ ଫ୍ଲାଟ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ଧନୁ | -15μm ~ 15μm | | -35μm ~ 35μm | | -45μm ~ 45μm | |
| ଯୁଦ୍ଧ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| ସାମ୍ନା (ସି-ଚେହେରା) ରୁଗ୍ଣତା (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ଗଠନ | |||
| ମାଇକ୍ରୋପାଇପ୍ ସାନ୍ଧ୍ରତା | | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା | | ≤5E10atoms / cm2 | | NA | |
| BPD | ≤1500 ea / cm2 | | 0003000 ea / cm2 | | NA |
| TSD | ≤500 ea / cm2 | | 0001000 ea / cm2 | | NA |
| ଆଗ ଗୁଣବତ୍ତା | | |||
| ଆଗ | Si | ||
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶେଷ | ସି-ମୁହଁ CMP | ||
| କଣିକା | | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ ≤ ଡାଇମିଟର | | ସଂକଳନ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA |
| କମଳା ଚୋପା / ଗର୍ତ୍ତ / ଦାଗ / ଷ୍ଟ୍ରିଏସନ୍ / ଫାଟ / ପ୍ରଦୂଷଣ | | କିଛି ନୁହେଁ | | NA | |
| ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍ / ଫ୍ରାକଚର୍ / ହେକ୍ସ ପ୍ଲେଟ୍ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଲିଟାଇପ୍ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤20% | | ସଂଗୃହିତ କ୍ଷେତ୍ର ≤30% | |
| ଆଗ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ଗୁଣ | |||
| ପଛକୁ ଶେଷ | C- ମୁହଁ CMP | | ||
| ସ୍କ୍ରାଚ୍ | | ≤5ea / mm, ସଂଗୃହିତ ଲମ୍ବ≤2 * ବ୍ୟାସ | | NA | |
| ପଛ ଦୋଷ (ଧାର ଚିପ୍ସ / ଇଣ୍ଡେଣ୍ଟସ୍) | କିଛି ନୁହେଁ | | ||
| ପଛ ରୁଗ୍ଣତା | | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| ପଛ ଲେଜର ମାର୍କିଂ | | 1 ମିମି (ଉପର ଧାରରୁ) | ||
| ଧାର | |||
| ଧାର | ଚାମ୍ଫର୍ | | ||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | |||
| ପ୍ୟାକେଜିଂ | ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ ସହିତ ଏପି-ପ୍ରସ୍ତୁତ | ମଲ୍ଟି ୱେଫର୍ କ୍ୟାସେଟ୍ ପ୍ୟାକେଜିଂ | | ||
| * ଟିପ୍ପଣୀ ： "NA" ର ଅର୍ଥ କ no ଣସି ଅନୁରୋଧ ଆଇଟମଗୁଡିକ SEMI-STD କୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ ନାହିଁ | | |||
