ବର୍ଣ୍ଣନା
ୱାଫର୍ ବାହକ |ସହିତସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ଆବରଣ |ସେମିସେରାରୁ ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ବିଶେଷଜ୍ଞ ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି, ଏଥିରେ ସର୍ବୋତ୍ତମ ଫଳାଫଳ ନିଶ୍ଚିତ କରେ |ସି ଏପିଟାକ୍ସି |ଏବଂSiC ଏପିଟାକ୍ସି |ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ | ସେମିସେରାର ସଠିକତା-ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ବାହକଗୁଡିକ ଚରମ ଅବସ୍ଥାକୁ ପ୍ରତିହତ କରିବା ପାଇଁ ନିର୍ମିତ ହୋଇଛି, ଯାହା ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ଶିଳ୍ପଗୁଡିକ ପାଇଁ MOCVD ସସେପ୍ଟର ସିଷ୍ଟମରେ ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ ଉପାଦାନ କରିଥାଏ |
ଏହି ୱେଫର୍ ବାହକଗୁଡିକ ବହୁମୁଖୀ, ଯନ୍ତ୍ରାଂଶ ସହିତ ଜଟିଳ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସମର୍ଥନ କରନ୍ତି |PSS ଏଚିଂ କ୍ୟାରିଅର୍ |, ଆଇସିପି ଏଚିଂ କ୍ୟାରିଅର୍ |, ଏବଂଆରଟିପି ବାହକ |। ସେମାନଙ୍କର ଦୃ ust SiC ଆବରଣ ପରି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ବ ances ାଇଥାଏ |ଏଲଇଡି ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ |ସସେପ୍ଟର ଏବଂ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍, ଚାହିଦା ପରିବେଶରେ ମଧ୍ୟ ସ୍ଥିର ଫଳାଫଳ ନିଶ୍ଚିତ କରେ |
ଏକାଧିକ ସଂରଚନାରେ ଉପଲବ୍ଧ, ଯେପରିକି ବ୍ୟାରେଲ୍ ସସେପ୍ଟର ଏବଂ ପାନକେକ୍ ସସେପ୍ଟର, ଏହି ବାହକମାନେ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରନ୍ତି, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ପାର୍ଟସ୍ ଉତ୍ପାଦନକୁ ସମର୍ଥନ କରନ୍ତି ଏବଂ SiC ଏପିଟାକ୍ସି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ GaN କୁ ସୁଗମ କରନ୍ତି | ସେମାନଙ୍କର ଉନ୍ନତ ଡିଜାଇନ୍ ସହିତ, ଏହି ବାହକଗୁଡିକ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଲକ୍ଷ୍ୟ ରଖିଥିବା ନିର୍ମାତାମାନଙ୍କ ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସମ୍ପତ୍ତି |
ମୁଖ୍ୟ ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
1। ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ |
2। ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସମାନତା |
3। ଭଲSiC ସ୍ଫଟିକ୍ ଆବୃତ |ଏକ ସୁଗମ ପୃଷ୍ଠ ପାଇଁ |
ରାସାୟନିକ ସଫେଇ ବିରୁଦ୍ଧରେ ଉଚ୍ଚ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ |
CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:
| SiC-CVD | ||
| ଘନତା | (g / cc) | 3.21 |
| ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | | (Mpa) | 470 |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର | | (10-6 / K) | 4 |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | (W / mK) | 300 |
ପ୍ୟାକିଂ ଏବଂ ସିପିଂ
ଯୋଗାଣ କ୍ଷମତା:
ପ୍ରତି ମାସରେ 10000 ଖଣ୍ଡ / ଖଣ୍ଡ |
ପ୍ୟାକେଜିଂ ଏବଂ ବିତରଣ:
ପ୍ୟାକିଂ: ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ଏବଂ ମଜବୁତ ପ୍ୟାକିଂ |
ପଲି ବ୍ୟାଗ୍ + ବାକ୍ସ + କାର୍ଟନ୍ + ପ୍ୟାଲେଟ୍ |
ବନ୍ଦର:
ନିଙ୍ଗବୋ / ଶେନଜେନ୍ / ସାଂଘାଇ |
ଲିଡ୍ ସମୟ:
| ପରିମାଣ (ଖଣ୍ଡ) | 1-1000 | > 1000 |
| ଇଷ୍ଟ ସମୟ (ଦିନ) | 30 | ବୁ be ାମଣା ହେବା | |
