ଚାଇନା ୱେଫର୍ ଉତ୍ପାଦକ, ଯୋଗାଣକାରୀ, କାରଖାନା |

ୱେଫର୍ ଉପରେ ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀ |

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ single ଏକକ-ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ରୁ ଏହାର ପ୍ରଚୁରତା, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ଏବଂ ମାନକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତତା କାରଣରୁ ନିର୍ମିତ | ତଥାପି, ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି, ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟ ୱାଫର୍ ତିଆରି କରିବାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇପାରେ | ଏଠାରେ କିଛି ଉଦାହରଣ ଅଛି:

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ହେଉଛି ଏକ ବ୍ୟାପକ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ପାରମ୍ପାରିକ ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ ଉନ୍ନତ ଶାରୀରିକ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରେ | ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରୁଥିବାବେଳେ ଏହା ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ଉପକରଣ, ମଡ୍ୟୁଲ୍, ଏବଂ ସମଗ୍ର ସିଷ୍ଟମର ଆକାର ଏବଂ ଓଜନ ହ୍ରାସ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ |

SiC ର ମୁଖ୍ୟ ଗୁଣ:

1. -ବାଇଣ୍ଡ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍:ସିସିର ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ ପ୍ରାୟ ତିନି ଗୁଣ ଅଟେ, ଯାହାକି 400 ° C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ |
2. - ଉଚ୍ଚ ଗୁରୁତର ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଫିଲ୍ଡ:SiC ସିଲିକନର ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର ଦଶଗୁଣ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧ କରିପାରିବ, ଯାହା ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ ହୋଇପାରିବ |
3. - ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା:SiC ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ଉତ୍ତାପକୁ ବିସ୍ତାର କରିଥାଏ, ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ସର୍ବୋଚ୍ଚ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା ବଜାୟ ରଖିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ଆୟୁ ବ olong ାଇଥାଏ |
4. - ଉଚ୍ଚ ସାଚୁଚରେସନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ ବେଗ:ସିଲିକନ୍ ର ଡ୍ରାଇଫ୍ ବେଗକୁ ଦୁଇଗୁଣ କରିବା ସହିତ, SiC ଉଚ୍ଚ ସୁଇଚ୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିଗୁଡ଼ିକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ, ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ ମିନିଟାଇଜେସନ୍ରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ |

ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ:

• -ପୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ:SiC ଶକ୍ତି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍, ଉଚ୍ଚ-କରେଣ୍ଟ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିବେଶରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ, ଶକ୍ତି ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତାକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ | ସେଗୁଡିକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ଚାର୍ଜିଂ ଷ୍ଟେସନ୍, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ସିଷ୍ଟମ, ରେଳ ପରିବହନ ଏବଂ ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

• -ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଯୋଗାଯୋଗ:ବେତାର ଯୋଗାଯୋଗ ଭିତ୍ତିଭୂମି ପାଇଁ ବିଶେଷକରି 5G ଆଧାର ଷ୍ଟେସନ ପାଇଁ SiC- ଆଧାରିତ GaN RF ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ଏହି ଡିଭାଇସ୍ ଗୁଡିକ GaC ର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଉଚ୍ଚ-ପାୱାର୍ ଆରଏଫ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ସହିତ SiC ର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ଚାଳନାକୁ ଏକତ୍ର କରି ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଟେଲିକମ୍ ନେଟୱାର୍କ ପାଇଁ ପସନ୍ଦଯୋଗ୍ୟ ପସନ୍ଦ କରିଥାଏ |

ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN)ଏକ ତୃତୀୟ ପି generation ଼ିର ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ, ଏକ ବୃହତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍, ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଚୁଚରେସନ୍ ଡ୍ରାଇଫ୍ ବେଗ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଫିଲ୍ଡ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସହିତ | GaN ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି କ୍ଷେତ୍ରରେ ଯେପରିକି ଏଲଇଡି ଶକ୍ତି ସଞ୍ଚୟ ଆଲୋକ, ଲେଜର ପ୍ରୋଜେକସନ ପ୍ରଦର୍ଶନ, ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍ ଏବଂ 5G ଯୋଗାଯୋଗରେ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ଆଶା ଅଛି |

ଗାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍ (GaAs)ଏହା ହେଉଛି ଏକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ, କମ୍ ଶବ୍ଦ ଏବଂ ଭଲ ର ar ଖିକତା ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା | ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ଏହା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ, GaA ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗୁଡିକ ଏଲଇଡି (ହାଲୁକା ନିର୍ଗତ ଡାୟୋଡ୍), LD (ଲେଜର ଡାୟୋଡ୍) ଏବଂ ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଉପକରଣ ତିଆରି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ, ସେମାନେ MESFETs (ଧାତୁ-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର), HEMTs (ହାଇ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ମୋବିଲିଟି ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର), HBTs (ହେଟେରୋଜକ୍ସନ୍ ବାଇପୋଲାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର), ଆଇସି (ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍), ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଡାୟୋଡ୍ ଏବଂ ହଲ୍ ଇଫେକ୍ଟ ଉପକରଣ ଉତ୍ପାଦନରେ ନିୟୋଜିତ ଅଟନ୍ତି |

ଇଣ୍ଡିୟମ୍ ଫସଫାଇଡ୍ (InP)ଏହା ହେଉଛି ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ III-V ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର, ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବିକିରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା | ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ଏହା ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |