ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନ: ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ,ଇଚିଂଟେକ୍ନୋଲୋଜି ହେଉଛି ଏକ ଗୁରୁତ୍ process ପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ଜଟିଳ ସର୍କିଟ୍ s ାଞ୍ଚା ଗଠନ ପାଇଁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରେ ଅବାଞ୍ଛିତ ସାମଗ୍ରୀକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ଅପସାରଣ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଏଚିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିକୁ ବିସ୍ତୃତ ଭାବରେ ଉପସ୍ଥାପନ କରିବ - କ୍ୟାପିସିଟିଭ୍ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ (CCP) ଏବଂ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ (ICP), ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ଇଚ୍ କରିବାରେ ସେମାନଙ୍କର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡିକ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରନ୍ତୁ |

କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ (CCP)

ସାମର୍ଥ୍ୟ ସହିତ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ (CCP) ଏକ ମ୍ୟାଚ୍ ଏବଂ ଏକ ଡିସି ବ୍ଲକିଂ କ୍ୟାପେସିଟର ମାଧ୍ୟମରେ ଦୁଇଟି ସମାନ୍ତରାଳ ପ୍ଲେଟ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡରେ RF ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରି ହାସଲ ହୁଏ | ଦୁଇଟି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ଏକତ୍ର ଏକ ସମାନ କ୍ୟାପେସିଟର୍ ଗଠନ କରନ୍ତି | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆରଏଫ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ନିକଟରେ ଏକ କ୍ୟାପିସିଟିଭ୍ ସିଟ୍ ସୃଷ୍ଟି କରେ ଏବଂ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ର ଦ୍ରୁତ ଦୋହରିବା ସହିତ ଶୀଟ୍ ର ସୀମା ବଦଳିଯାଏ | ଯେତେବେଳେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏହି ଦ୍ରୁତ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ଖଣ୍ଡରେ ପହଞ୍ଚେ, ସେତେବେଳେ ସେମାନେ ପ୍ରତିଫଳିତ ହୋଇ ଶକ୍ତି ଲାଭ କରନ୍ତି, ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଗ୍ୟାସ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକର ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା କିମ୍ବା ଆୟନାଇଜେସନ୍ ସୃଷ୍ଟି କରି ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କରେ | CCP ଇଚିଂ ସାଧାରଣତ higher ଉଚ୍ଚ ରାସାୟନିକ ବଣ୍ଡ ଶକ୍ତି ସହିତ ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ, ଯେପରିକି ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ସ, କିନ୍ତୁ ଏହାର କମ୍ ଇଚିଂ ହାର ହେତୁ ଏହା ସୂକ୍ଷ୍ମ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |

ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ଇଚିଂ (ଆଇସିପି)

ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ପ୍ଲାଜ୍ମାଇଚିଂ(ଆଇସିପି) ନୀତି ଉପରେ ଆଧାରିତ ଯେ ଏକ ବିକଳ୍ପ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଏକ ବିକଳ୍ପ କରେଣ୍ଟ ଏକ କୋଇଲ ଦେଇ ଯାଇଥାଏ | ଏହି ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ରର କାର୍ଯ୍ୟ ଅଧୀନରେ, ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠରେ ଥିବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହୁଏ ଏବଂ ପ୍ରବର୍ତ୍ତିତ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହେବାକୁ ଲାଗେ, ଶେଷରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ସହିତ ମୁହାଁମୁହିଁ ହୋଇ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ହୋଇ ଆୟନାଇଜ୍ ହୋଇ ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କଲେ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ଏକ ଉଚ୍ଚ ଆୟୋନାଇଜେସନ୍ ହାର ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ ଏବଂ ପ୍ଲାଜ୍ମା ଘନତା ଏବଂ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ଶକ୍ତିକୁ ସ୍ୱାଧୀନ ଭାବରେ ଆଡଜଷ୍ଟ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇପାରେ, ଯାହା ତିଆରି କରେ |ଆଇସିପି ଇଚିଂକମ୍ ରାସାୟନିକ ବନ୍ଧ ଶକ୍ତି ସହିତ ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଧାତୁ ସହିତ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ଏଚିଂ ପାଇଁ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉପଯୁକ୍ତ | ଏଥିସହ, ଆଇସିପି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଉନ୍ନତ ସମାନତା ଏବଂ ଇଚିଂ ହାର ମଧ୍ୟ ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ |

ଧାତୁ ଖୋଳିବା |

ଧାତୁ ଇଚିଂ ମୁଖ୍ୟତ inter ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ଏବଂ ମଲ୍ଟି ଲେୟାର ଧାତୁ ତାରର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହାର ଆବଶ୍ୟକତା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ଉଚ୍ଚ ଇଚିଂ ହାର, ଉଚ୍ଚ ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି (ମାସ୍କ ସ୍ତର ପାଇଁ 4: 1 ରୁ ଅଧିକ ଏବଂ ଇଣ୍ଟରଲେୟର ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ପାଇଁ 20: 1 ରୁ ଅଧିକ), ଉଚ୍ଚ ଇଚିଂ ସମାନତା, ଭଲ କ୍ରିକଟିକ୍ ଡାଇମେନ୍ସନ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍, କ pl ଣସି ପ୍ଲାଜମା କ୍ଷତି, କମ୍ ଅବଶିଷ୍ଟ ପ୍ରଦୂଷକ, ଏବଂ ଧାତୁରେ କ os ଣସି କ୍ଷୟ ନାହିଁ | ଧାତୁ ଇଚିଂ ସାଧାରଣତ ind ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରେ |

•ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଇଚିଂ: ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନର ମଧ୍ୟମ ଏବଂ ପଛ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ହେଉଛି ସବୁଠାରୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ତାର ସାମଗ୍ରୀ, କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ସହଜ ଜମା ଏବଂ ଇଚିଙ୍ଗ୍ ସୁବିଧା ସହିତ | ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଇଚିଂ ସାଧାରଣତ ch କ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ଦ୍ ated ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ପ୍ଲାଜମା ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ (ଯେପରିକି Cl2) | ଅସ୍ଥିର ଆଲୁମିନିୟମ୍ କ୍ଲୋରାଇଡ୍ (AlCl3) ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆଲୁମିନିୟମ୍ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ | ଏଥିସହ, ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ହାଲାଇଡ୍ ଯେପରିକି SiCl4, BCl3, BBr3, CCl4, CHF3 ଇତ୍ୟାଦି ଆଲୁମିନିୟମ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରକୁ ସାଧାରଣ ଇଚିଂ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ଯୋଗ କରାଯାଇପାରିବ |

ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଇଚିଂ: ମଲ୍ଟି-ଲେୟାର୍ ଧାତୁ ତାରର ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ସଂରଚନାରେ, ଚିଙ୍ଗର ମଧ୍ୟମ ବିଭାଗ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ଧାତୁ | ଧାତୁ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଇଚ୍ କରିବା ପାଇଁ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ କିମ୍ବା କ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ ଗ୍ୟାସ୍ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ ଗ୍ୟାସର ସିଲିକନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ପାଇଁ ଖରାପ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ଥିବାବେଳେ କ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ ଗ୍ୟାସ୍ (ଯେପରିକି CCl4) ଭଲ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ଥାଏ | ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ସାଧାରଣତ a ଏକ ଉଚ୍ଚ ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ଗ୍ଲୁ ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି ପାଇବା ପାଇଁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସରେ ଯୋଗ କରାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ହ୍ରାସ ପାଇଁ ଅମ୍ଳଜାନ ଯୋଗ କରାଯାଇଥାଏ | କ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ ଗ୍ୟାସ୍ ସହିତ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଇଞ୍ଚ କରିବା ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଏଚିଂ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ହାସଲ କରିପାରିବ | ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍‌ର ଶୁଖିଲା ଇଚିଂରେ ବ୍ୟବହୃତ ଗ୍ୟାସ୍ ଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ SF SF6, Ar ଏବଂ O2, ଯାହା ମଧ୍ୟରେ ଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ପରମାଣୁ ଏବଂ ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ SF6 ପ୍ଲାଜାରେ କ୍ଷୟ ହୋଇପାରେ |

ଟାଇଟାନିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏଚିଂ: ଟାଇଟାନିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍, ଏକ ହାର୍ଡ ମାସ୍କ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ, ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ କିମ୍ବା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ମାସ୍କକୁ ଡୁଆଲ୍ ଡ୍ୟାମାସେନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସ୍ଥାନିତ କରେ | ଟାଇଟାନିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏଚିଂ ମୁଖ୍ୟତ the ହାର୍ଡ ମାସ୍କ ଖୋଲିବା ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦ ହେଉଛି TiCl4 | ପାରମ୍ପାରିକ ମାସ୍କ ଏବଂ ଲୋ-କେ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ତର ମଧ୍ୟରେ ଚୟନତା ଅଧିକ ନୁହେଁ, ଯାହା ଲୋ-କେ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ତରର ଉପରି ଭାଗରେ ଆର୍କ ଆକୃତିର ପ୍ରୋଫାଇଲ୍ ଦେଖାଯିବ ଏବଂ ଇଚ୍ କରିବା ପରେ ଗ୍ରୀଭ୍ ଓସାରର ବିସ୍ତାର ହେବ | ଜମା ହୋଇଥିବା ଧାତୁ ରେଖା ମଧ୍ୟରେ ବ୍ୟବଧାନ ବହୁତ ଛୋଟ, ଯାହା ଲିକେଜ୍ କିମ୍ବା ସିଧାସଳଖ ଭାଙ୍ଗିବା ପ୍ରବଣ |

ଇନସୁଲେଟର ଇଚିଂ

ଇନସୁଲେଟର ଇଚିଂର ବସ୍ତୁ ସାଧାରଣତ die ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଯେପରିକି ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ କିମ୍ବା ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍, ଯାହା ବିଭିନ୍ନ ସର୍କିଟ୍ ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକୁ ସଂଯୋଗ କରିବା ପାଇଁ କଣ୍ଟାକ୍ଟ ହୋଲ୍ ଏବଂ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଛିଦ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଏଚିଂ ସାଧାରଣତ capac କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂର ନୀତି ଉପରେ ଆଧାର କରି ଏକ ଇଥର ବ୍ୟବହାର କରେ |

ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ: ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ସାଧାରଣତ flu ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଧାରଣ କରିଥିବା ଗ୍ୟାଚ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ଇଚ୍ କରାଯାଇଥାଏ, ଯେପରିକି CF4, CHF3, C2F6, SF6 ଏବଂ C3F8 | ଇଚିଂ ଗ୍ୟାସରେ ଥିବା ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ଅମ୍ଳଜାନ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି CO ଏବଂ CO2 ଉତ୍ପାଦନ କରିଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ ox ାରା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତରରେ ଥିବା ଅମ୍ଳଜାନକୁ ବାହାର କରିଦିଆଯାଏ | CF4 ହେଉଛି ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ଇଚିଂ ଗ୍ୟାସ୍ | ଯେତେବେଳେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସହିତ CF4 ଧକ୍କା ହୁଏ, ବିଭିନ୍ନ ଆୟନ, ରେଡିକାଲ୍, ପରମାଣୁ ଏବଂ ମୁକ୍ତ ରେଡିକାଲ୍ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୁଏ | ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ଫ୍ରି ରେଡିକାଲ୍ସ SiO2 ଏବଂ Si ସହିତ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିପାରିବ ଯାହା ଅସ୍ଥିର ସିଲିକନ୍ ଟେଟ୍ରାଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ (SiF4) ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ |

ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ପ୍ଲାଜମା ଏଚିଂ: ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର CF4 କିମ୍ବା CF4 ମିଶ୍ରିତ ଗ୍ୟାସ୍ (O2, SF6 ଏବଂ NF3 ସହିତ) ସହିତ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ବ୍ୟବହାର କରି ଇଚ୍ କରାଯାଇପାରିବ | Si3N4 ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପାଇଁ, ଯେତେବେଳେ CF4-O2 ପ୍ଲାଜମା କିମ୍ବା F ପରମାଣୁ ଧାରଣ କରିଥିବା ଅନ୍ୟ ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ର ଏଚିଂ ହାର 1200Å / ମିନିଟରେ ପହଞ୍ଚିପାରେ, ଏବଂ ଏଚିଂ ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି 20: 1 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ହୋଇପାରେ | ମୁଖ୍ୟ ଉତ୍ପାଦ ହେଉଛି ଅସ୍ଥିର ସିଲିକନ୍ ଟେଟ୍ରାଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ (SiF4) ଯାହା ବାହାର କରିବା ସହଜ |

4। ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ |

ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ ମୁଖ୍ୟତ shall ଅସ୍ଥାୟୀ ଟ୍ରେଞ୍ଚ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା (STI) ଗଠନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ a ଏକ ସଫଳତା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଏକ ମୁଖ୍ୟ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ବ୍ରେକ୍ଥ୍ରୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସିଏଫ୍ 4 ଏବଂ ଏନ୍ଏଫ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ଶକ୍ତିଶାଳୀ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ସିଲିକନ୍ ର ପୃଷ୍ଠଭୂମିରେ ଥିବା ଅକ୍ସିଡ୍ ସ୍ତରକୁ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଆଇନ୍ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ଏବଂ ଫ୍ଲୋରାଇନ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ରାସାୟନିକ କାର୍ଯ୍ୟ ଦ୍ୱାରା ବାହାର କରିଥାଏ; ମୁଖ୍ୟ ଇଚିଂ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ବ୍ରୋମାଇଡ୍ (HBr) କୁ ମୁଖ୍ୟ ଇଚାଣ୍ଟ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରେ | ପ୍ଲାଜମା ପରିବେଶରେ HBr ଦ୍ omp ାରା କ୍ଷୟ ହୋଇଥିବା ବ୍ରୋମାଇନ୍ ରେଡିକାଲ୍ସ ସିଲିକନ୍ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ହୋଇ ଅସ୍ଥିର ସିଲିକନ୍ ଟେଟ୍ରାବ୍ରୋମାଇଡ୍ (SiBr4) ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ଦ୍ sil ାରା ସିଲିକନ୍ ଅପସାରଣ ହୁଏ | ଏକକ ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ ସାଧାରଣତ an ଏକ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ମେସିନ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ |

ପଲିସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ

ପଲିସିଲିକନ୍ ଇଚିଂ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରମୁଖ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଗେଟ୍ ଆକାର ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ ଏବଂ ଗେଟ୍ ଆକାର ସିଧାସଳଖ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରେ | ପଲିସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ ଏକ ଭଲ ଚୟନ ଅନୁପାତ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ହାଲୋଜେନ ଗ୍ୟାସ୍ ଯେପରିକି କ୍ଲୋରାଇନ୍ (Cl2) ସାଧାରଣତ an ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଇଚିଂ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଏବଂ ଏହାର ଭଲ ଚୟନ ଅନୁପାତ (10: 1 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ) ରହିଥାଏ | ବ୍ରୋମାଇନ୍ ଆଧାରିତ ଗ୍ୟାସ୍ ଯେପରିକି ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ବ୍ରୋମାଇଡ୍ (HBr) ଏକ ଉଚ୍ଚ ଚୟନ ଯୋଗ୍ୟତା ଅନୁପାତ (100: 1 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ) ହାସଲ କରିପାରିବ | କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଏବଂ ଅମ୍ଳଜାନ ସହିତ HBr ର ମିଶ୍ରଣ ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ହାର ବ increase ାଇପାରେ | ହାଲୋଜେନ ଗ୍ୟାସ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିବା ପାଇଁ ରାସ୍ତା କଡ଼ରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ପଲିସିଲିକନ୍ ଏଚିଂ ସାଧାରଣତ an ଏକ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ମେସିନ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ |

ଏହା କ୍ୟାପସିଟିଭ୍ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ହେଉ କିମ୍ବା ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଭାବରେ ଯୋଡି ହୋଇଥିବା ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ହେଉ, ପ୍ରତ୍ୟେକର ନିଜର ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ସୁବିଧା ଏବଂ ବ technical ଷୟିକ ଗୁଣ ଅଛି | ଏକ ଉପଯୁକ୍ତ ଇଚିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବାଛିବା କେବଳ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ ନାହିଁ, ବରଂ ଅନ୍ତିମ ଦ୍ରବ୍ୟର ଅମଳ ମଧ୍ୟ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିପାରିବ |